Главная страница
Навигация по странице:

  • Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)Отчет по лабораторной работе №2

  • «Исследование полевого транзистора с управляющим

  • Твердотельная электроника (лаб. Лабораторная работа 2. Отчет по лабораторной работе 2 Исследование полевого транзистора с управляющим p n переходом


    Скачать 224.5 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 2 Исследование полевого транзистора с управляющим p n переходом
    АнкорТвердотельная электроника (лаб.2
    Дата21.03.2022
    Размер224.5 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаЛабораторная работа 2.doc
    ТипОтчет
    #407462




    Министерство образования и науки РФ
    Федеральное государственное бюджетное образовательное

    учреждение высшего профессионального образования
    Томский государственный университет систем управления и

    радиоэлектроники

    Кафедра промышленной электроники (ПрЭ)

    Отчет по лабораторной работе №2

    «Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом»

    по дисциплине

    "Твердотельная электроника"
    Выполнил студент

    специальности 11.03.04

    гр.: з-368П5-6, поток 75

    Осипов Алексей Олегович

    20.02.2019

    г. Балаково 2019

    Цель работы:

    Исследовать физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора. Изучить передаточные и выходные характеристики полевого транзистора.

    Схема экспериментальной установки:

    line 32 line 33 line 34 line 35 line 36 line 37 line 38 line 39 oval 40 line 41 line 42 oval 43 oval 44 oval 45 oval 46 line 47 oval 48 oval 49 oval 50 oval 51 oval 52

    v




    мА




    v




    +




    +



    line 58 line 59 oval 60 oval 61


    Задание на работу:

    1. Снять передаточную характеристику (зависимость Iс=f(Uзи)) полевого транзистора при различных значениях напряжения сток-исток Uси, в диапазоне значений от 0 до Uсиmax(3-4 зависимости). Определить напряжение отсечки Uзиотс.

    2. Снять выходную характеристику (зависимость Ic=f(Uси)) полевого транзистора, при различных значениях напряжения на затворе Uзи, в диапазоне значений от 0 до Uзиотс (3-4 зависимости). Определить ток насыщения Icнас для каждой кривой.

    3. Построить график зависимости крутизны S=dIс/dUзи от Uзи.*


    Таблица передаточной характеристики транзистора КП305Б

    Передаточная характеристика Ic=f(Uзи)

    Uси=0 В

    Uси=5 В

    Uси=10 В

    Uси=20 В

    Uзи, В

    Iс, мА

    Uзи, В

    Iс, мА

    Uзи, В

    Iс, мА

    Uзи, В

    Iс, мА

    0

    0

    0

    35

    0

    38

    0

    39

    -1

    0

    -1

    18

    -1

    19

    -1

    20

    -2

    0

    -2

    9

    -2

    9

    -2

    10

    -3

    0

    -3

    4,5

    -3

    5

    -3

    5

    -4

    0

    -4

    2

    -4

    2

    -4

    2,5

    -5

    0

    -5

    1

    -5

    1

    -5

    1,5

    -6

    0

    -6

    0,5

    -6

    0,5

    -6

    0,5

    -7

    0

    -7

    0

    -7

    0

    -7

    0

    -8

    0

    -8

    0

    -8

    0

    -8

    0

    -9

    0

    -9

    0

    -9

    0

    -9

    0

    -10

    0

    -10

    0

    -10

    0

    -10

    0


    Таблица выходной характеристики транзистора КП305Б

    Выходная характеристика Ic=f(Uси)

    Uзи=0 В

    Uзи=-2,5 В

    Uзи=-5 В

    Uзи=-10 В

    Uси, В

    Iс, мА

    Uси, В

    Iс, мА

    Uси, В

    Iс, мА

    Uси, В

    Iс, мА

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    1

    20

    1

    3

    1

    0,8

    1

    0

    2

    28

    2

    5

    2

    0,9

    2

    0

    3

    32

    3

    5,5

    3

    1

    3

    0

    4

    34,5

    4

    6

    4

    1

    4

    0

    5

    35,5

    5

    6

    5

    1

    5

    0

    6

    36,5

    6

    6

    6

    1

    6

    0

    7

    37

    7

    6

    7

    1

    7

    0

    8

    37,5

    8

    6

    8

    1

    8

    0

    9

    38

    9

    7

    9

    1

    9

    0

    10

    38

    10

    7

    10

    1

    10

    0

    15

    39

    15

    7

    15

    1

    15

    0

    20

    39

    20

    7

    20

    1

    20

    0

    Напряжение отсечки Uзи отс, определяется из передаточной характеристики и соответствует значению -7 вольт.

    Ток насыщения стока Iс. нас., определяется из выходной характеристики. При Uзи=0 В , Iс. нас=39мА; Uзи=-2,5 В, Iс. нас=7мА ; Uзи=-5 В, Iс. нас=1мА ; Uзи=-10 В, Iс. нас=0 мА;

    График передаточной характеристики транзистора



    График выходной характеристики транзистора



    Из передаточной характеристики узнаем крутизну транзистора:


    Uси=5 В

    Uзи, В

    S, мА/В

    -1

    26

    -3

    1,16

    -5

    0,3

    -7

    0

    -9

    0




    Uси=10 В

    Uзи, В

    S, мА/В

    -1

    29

    -3

    2,3

    -5

    0,3

    -7

    0,07

    -9

    0



    Uси=20 В

    Uзи, В

    S, мА/В

    -1

    29

    -3

    2,5

    -5

    0,4

    -7

    0,07

    -9

    0



    Uси=0 В

    Uзи, В

    S, мА/В

    -1

    0

    -3

    0

    -5

    0

    -7

    0

    -9

    0



    График крутизны транзистора




    Вывод: проведено исследование передаточной и выходной характеристик КП305Б, так же исследована зависимость изменения крутизны транзистора от напряжения на затворе транзистора. Из передаточной характеристики видно, что с увеличением отрицательного напряжения на затворе, происходит снижение тока стока (транзистор «закрывается»). Данная передаточная характеристика характерна для транзистора n-типа.


    написать администратору сайта