Отчет №1. Отчет по лабораторной работе по дисциплине "Оптические направляющие среды и пассивные компоненты волс"
Скачать 234.92 Kb.
|
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОННИКИ (ТУСУР) Факультет повышения квалификации(ФПК) ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАТУХАНИЯ СВЕТА В ОПТИЧЕСКОМ ВОЛОКНЕ ОТЧЕТ по лабораторной работе по дисциплине "Оптические направляющие среды и пассивные компоненты ВОЛС" Выполнил студент гр. 164 _______Потхоллаев А.К. _______Николаенко В.А. _______Соловьев Д.П. _______Михальченко К.А. _______Белокрылов И.А. Проверил Преподователь _______Попков А.Ю. 2018 Цель работы: Исследование эффективности экранирования источника вторичного питания экранами, выполненными из разных материалов различной толщины. Результаты работы: Рисунок 1 - Форма сигнала помехи при r = 4см, Н = 152 В. Определили структуру помехонесущего поля. Для этого измерили зависимость Н от растояния r с помощью рецептора помех Р, удаляя его по салазкам от трансформатора. Максимальная величина напряженности магнитного поля без экрана Нмакс = 328 В. Таблица 1 – Зависимость H от r.
Рисунок 2 – Зависимость H/Hmax от r. Таблица 2- Данные для нахождения эффективности экранирования магнитного поля.
Эффективности экранирования магнитного поля: Рисунок 3 – Расчет эффективности экранирования магнитного поля. Эффективности экранирования магнитного поля от частоты: Рисунок 4 – Расчет эффективности экранирования магнитного поля от частоты. Таблица 3- Зависимость эффективности экранирования магнитного поля от частоты.
Рисунок 5 – Зависимость эффективности экранирования магнитного поля от частоты. Оценили зависимость эффективности экранирования от толщины листа: Рисунок 6 – Расчет эффективности экранирования от толщины листа. Таблица 4- Зависимость эффективности экранирования магнитного поля от толщины листа.
Рисунок 7 – Зависимость эффективности экранирования магнитного поля от толщины листа. Сравнили эффективности экранирования сплошного и перфорированного экранов (4 и 6 экранов): Таблица 5- Сравнение сплошного и перфорированного экранов.
Исследовали зависимость SH от расположения щели экрана и оценили влияние расположения щели: Рисунок 8 – Расчет зависимости SH от расположения щели экрана. Рассчитали значения для исследованных экранов: Рисунок 9 – Расчет значений для исследованных экранов. Вывод:
|