Шабашов С.В. _ ИБ 22-429 P-n переход. Pn переход
 Скачать 63.84 Kb.
|
|
P-n переход - это граница между двумя различными областями полупроводника, одна из которых имеет избыток дырок (p-область), а другая - избыток электронов (n-область). При соединении этих областей происходит диффузия свободных носителей заряда, что приводит к образованию зарядовой зоны и возникновению электрического поля. Это явление имеет много применений в электронике, например, в производстве диодов и транзисторов. P-n переход также является ключевым элементом в технологии солнечных батарей. Когда фотоны света попадают на p-n переход, они могут создать пары электрон-дырка. Электрическое поле в переходе разделяет эти пары, что приводит к появлению электрической разности потенциалов и току. Благодаря этому, солнечные батареи могут преобразовывать энергию света в электрическую энергию. P-n переход также используется в производстве лазеров и светодиодов. P-n переход может быть использован для создания диодов, которые позволяют электронам протекать через них только в одном направлении. Это свойство делает диоды полезными в различных электронных устройствах, таких как выпрямители, стабилизаторы напряжения и транзисторы. P-n переход также может быть использован для создания сенсоров, которые могут измерять температуру, освещенность или другие параметры окружающей среды. Благодаря своим уникальным свойствам, p-n переход остается одним из наиболее важных элементов в электронике и солнечной энергетике. |