Главная страница
Навигация по странице:

  • «Пермский национальный исследовательский политехнический университет»

  • Лабораторная работа № 1

    		•

    Лаба 1. Полупроводниковые ключевые элементы


    Скачать 58.38 Kb.
    НазваниеПолупроводниковые ключевые элементы
    АнкорЛаба 1
    Дата19.03.2021
    Размер58.38 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаlaba_1 (1).docx
    ТипЛабораторная работа
    #186265

    Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

    Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

    высшего образования

    «Пермский национальный исследовательский
    политехнический университет»
    Электротехнический факультет

    Кафедра «Микропроцессорные средства автоматизации»


    Лабораторная работа № 1

    по дисциплине «Силовая электронника»

    на тему: «Полупроводниковые ключевые элементы»

    Выполнили студенты
    гр. ЭМ-18-1б

    _ Тятенков И.А. __ ___________

    (Фамилия И.О.) (подпись)

    Мехряков С.И. _

    (Фамилия И.О.) (подпись)

    ___Насртдинов Р.Н.__ _____________

    (Фамилия И.О.) (подпись)

    ___Милюков В.А.__ _______________

    (Фамилия И.О.) (подпись)


    Проверил:


    Доцент кафедры МСА Самусин С.И.

    (должность, Ф.И.О. преподавателя кафедры)


    ___________ _________________________

    (оценка) (подпись)
    _____________

    (дата)
    г. Пермь 2020

    Цель работы: получить экспериментальное подтверждение теоретическим знаниям, изучить принципы управления ключевыми элементами.

    Задача 1.

    А)



    Схема 1.1.

    Тип диода
    I, mA
    0.5
    1
    3
    4
    5
    10
    15
    20

    mbr1060
    U, mB
    637.1
    655.1
    683.5
    691
    696.7
    714.7
    725.1
    732.6


    Б)



    Схема 1.2.

    Тип диода
    I, mA
    0.5
    1
    3
    4
    5
    10
    15
    20

    mbr1060
    U, B
    -500
    -1000
    -3000
    -4000
    -5000
    -10000
    -15000
    -20000


    Вольтамперная характеристика для задачи 1.



    Вывод: для работы диода в прямом направлении требуется достаточно низкое напряжение, а если включить его в обратном направлении, то нужно высокое напряжение для его пробоя.

    Задача 2.


    Схема 2.1.

    Вольтамперная характеристика для mbr1060.
    Статическая вольтамперная характеристика для mbrd835.


    Uобр.мах = -46,99 В
    Задача 3.



    Схема 2.1.
    Расчёт мощности отдаваемой тиристором в нагрузку производится по формуле:



    Измерение

    R1, %
    UT, B
    TЗ, ms
    Iупр
    IH, mA
    UH, В
    PH, BA

    1
    90
    14,0
    3,5
    0,068
    6,532
    653,2
    4266,7024

    2
    85
    12,6
    2,25
    0,118
    8,568
    856,8
    7341,0624

    3
    80
    9,1
    1,00
    0,165
    9,859
    985,9
    9719,9881

    4
    75
    8,7
    0,87
    0,213
    9,851
    985,1
    9704,2201

    5
    70
    8,7
    0,87
    0,259
    9,844
    984,4
    9690,4336

    6
    60
    8,7
    0,87
    0,350
    10,010
    1001
    10020,01

    7
    50
    8,7
    0,87
    0,445
    10,020
    1002
    10040,04

    8
    40
    8,7
    0,87
    0,549
    10,030
    1003
    10060,09

    9
    37
    0
    0
    0,582
    10,500
    1050
    11025


    График зависимости передаваемой в нагрузку мощности от тока управления тиристора:



    Вывод:

    написать администратору сайта