Главная страница
Навигация по странице:

  • Тип полупроводника Длина генерируемой волны, мкм Режим генерации Рабочая температура, °C

  • полупроводниковые лазеры. Презентация Microsoft PowerPoint. Полупроводниковые лазеры Подготовил Абдулин и р. характеристика


    Скачать 474.55 Kb.
    НазваниеПолупроводниковые лазеры Подготовил Абдулин и р. характеристика
    Анкорполупроводниковые лазеры
    Дата17.12.2020
    Размер474.55 Kb.
    Формат файлаpptx
    Имя файлаПрезентация Microsoft PowerPoint.pptx
    ТипДокументы
    #161825

    Полупроводниковые лазеры

    Подготовил: Абдулин и.р.

    характеристика

    Полупроводниковым лазером называют оптоэлектронное устройство, генерирующее когерентное излучение при пропускании через них электрического тока.

    Принцип действия


    Работа лазера связана с тремя основными процессами, обусловленными переходом носителей: поглощением, спонтанным излучением и стимулированным излучением. Расмотрим два энергетических уровня E1 и Е2, один из которых Е1 характеризует – возбужденное состояние, а другой Е2 – основное состояние.

    применение

    • В быту и промышленности
    • В медицине
    • В измерительных приборах
    • Контроль загрязненности атмосферы
    • В качестве источников излучения для волоконно-оптических линий связи .

    Приборы с использованием полупроводниковых лазеров

    материалы


    Тип полупроводника

    Длина генерируемой волны, мкм

    Режим генерации

    Рабочая температура, °C

    Арсенид-фосфид галлия

    0,6—0,8

    Импульсный

    —175

    Арсенид галлия

    0,84

    Импульсный и непрерывный

    20 и —196

    Фосфид индия

    0,91

    Импульсный и непрерывный

    —153 и —253

    Арсенид индия

    3,1

    Импульсный и непрерывный

    — 196 и —269


    написать администратору сайта