Пояснительная записка к курсовому проекту по мдк 02. 01
 Скачать 1.46 Mb.
|
 , (6.3)где R - сопротивление резистора;  - напряжение насыщения коллектор-эмиттер, B; - напряжение высокого уровня на выходе микроконтроллера, B; - прямое падение напряжения сегмента индикатора;Iпр- прямой ток сегмента.   Выбирается сопротивление резисторов 180 Ом. Рассчитывается мощность, рассеиваемая на резисторе R:  , (6.4)  .Выбираются резисторы R10-R16 C2-23-0,125-180Ом ± 10%. Рассчитывается ток базы по формуле  (6.5)где Кнас - коэффициент насыщения;  - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером; - ток коллектора; - ток базы.  Рассчитывается сопротивление резистора R в цепи базы по формуле  , (6.6)где  - напряжение высокого уровня на выходе микроконтроллера; - напряжение насыщения база-эмиттер.  Выбирается сопротивление резистора 5,1кОм Рассчитывается мощность, рассеиваемая на резисторе R:  , (6.7)  Выбираются резисторы R17, R18 C2-23-0,125-5,1кОм ± 10%. Список используемых источников 1. Евстифеев А.В. Микроконтроллеры семейства Mega. Руководство пользователя. - М.: ДМК Пресс, 2015 . http://www.ect.ru/catalog.phtml?item=6/47/213/1/133 . https://www.chipdip.ru/product/al307bm . http://naladchikkip.ru/spravochnik/142en5 . http://gderadiodetali.ru/magaziny-radiodetaley/radiodetali-v-ekaterinburge . https://www.youtube.com . http://www.promelec.ru/radiodetali/ . http://radioelek.ru/product/radiodetali |