Зан.
| Название работы
| Вид работы
|
1
| Исследование идеализированного p-n перехода (л.р. 1 из сборника «Физические основы электроники»/Практикум 1)
| Вводное занятие Выполнение
|
2
| Исследование идеализированного p-n перехода
| Защита
|
3
| Исследование металло-полупроводниковых переходов (л.р. 2 из сборника «Физические основы электроники»/Практикум 1)
| Выполнение
|
4
| Исследование металло-полупроводниковых переходов
| Защита
|
5
| Исследование МДП-структуры (л.р. 4 из сборника «Физические основы электроники»/Практикум 1)
| Выполнение
|
6
| Исследование МДП-структуры
| Защита
|
7
| Исследование биполярного транзистора (л.р. 5 из сборника «Физические основы электроники»/Практикум 1)
| Выполнение
|
8
| Исследование биполярного транзистора
| Защита
|
9
| Итоговое занятие
| Защита
|