- прямая проводимость (крутизна) транзистора,
- обратная проводимость транзистора,
- выходная проводимость транзистора,
- входная проводимость транзистора. Таблица 1
Параметры транзистора
| Расчетные формулы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где , При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2. Таблица 2
Параметры транзистора в схеме с ОЭ
| Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей
N (дБ)
|
|
| N (дБ)
|
|
| N (дБ)
|
|
| 0
| 1,0
| 1,0
| 2,1
| 1,27
| 1,62
| 7,0
| 2,2
| 5,02
| 0,1
| 1,012
| 1,024
| 2,2
| 1,29
| 1,66
| 8,0
| 2,5
| 6,31
| 0,2
| 1,024
| 1,048
| 2,3
| 1,31
| 1,7
| 9,0
| 2,8
| 8,0
| 0,3
| 1,035
| 1,07
| 2,4
| 1,32
| 1,74
| 10,0
| 3,2
| 10,0
| 0,4
| 1,047
| 1,09
| 2,5
| 1,34
| 1,8
| 11,0
| 3,58
| 13,0
| 0,5
| 1,06
| 1,12
| 2,6
| 1,35
| 1,82
| 12,0
| 4,0
| 16,0
| 0,6
| 1,07
| 1,14
| 2,7
| 1,365
| 1,86
| 13,0
| 4,5
| 20,0
| 0,7
| 1,085
| 1,17
| 2,8
| 1,38
| 1,9
| 14,0
| 5,02
| 25,1
| 0,8
| 1,097
| 1,2
| 2,9
| 1,4
| 1,95
| 15,0
| 5,67
| 31,0
| 0,9
| 1,11
| 1,23
| 3,0
| 1,42
| 2,0
| 16,0
| 6,31
| 40,0
| 1,0
| 1,12
| 1,26
| 3,1
| 1,437
| 2,048
| 17,0
| 7,1
| 51,0
| 1,1
| 1,135
| 1,29
| 3,2
| 1,45
| 2,096
| 18,0
| 8,0
| 64,0
| 1,2
| 1,148
| 1,3
| 3,3
| 1,47
| 2,14
| 19,0
| 8,96
| 80,0
| 1,3
| 1,161
| 1,3
| 3,4
| 1,486
| 2,18
| 20,0
| 10
| 100
| 1,4
| 1,17
| 1,3
| 3,5
| 1,5
| 2,24
| 30,0
| 32
|
| 1,5
| 1,19
| 1,4
| 3,6
| 1,52
| 2,28
| 40,0
| 100
|
| 1,6
| 1,2
| 1,4
| 3,7
| 1,54
| 2,34
| 50,0
| 320
|
| 1,7
| 1,22
| 1,48
| 3,8
| 1,557
| 2,4
| 60,0
|
|
| 1,8
| 1,23
| 1,52
| 3,9
| 1,57
| 2,46
| 70,0
|
|
| 1,9
| 1,245
| 1,55
| 4,0
| 1,6
| 2,5
| 80,0
|
|
| 2,0
| 1,26
| 1,6
| 5,0
| 1,8
| 3,2
| 90,0
|
|
|
|
|
| 6,0
| 2,0
| 4,0
| 100.0
|
|
|
Приложение 4
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты
Серии МС
|
| (кГц)
|
|
|
| К 226 УН1А,Б,С
| 250…350
| 0,2…100
| +12,-6
|
|
| К 226 УН2А,Б,С
| 25…35
| 0,02…100
| +12,-6
|
|
| К 226 УН3А,Б,С
| 270…330
| 0,02…100
| +6,-9
|
|
| К 226 УН4А,Б,С
| 9…11
| 0,02…100
| +6,-9
|
|
| К 226 УН5А,Б,С
| 90…100
| 0,02…100
| +12,-6
|
|
|
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ. |