КУРСОВИК НА ОТПРАВКУ. Проектирование приемника непрерывных сигналов

• Название: Проектирование приемника непрерывных сигналов
• Дата: 16.04.2023
• Размер: 0.99 Mb.
• Имя файла: КУРСОВИК НА ОТПРАВКУ.doc
• Тип: Курсовой проект; #1065427
• страница: 3 из 4

= (46)

= (47)
коэффициент усиления усилителя сигнальной частоты равняется:

(48)

N=4

4.Определить усиление в тракте низкой частоты.

Коэффициент усиления в тракте низкой частоты равняется:
(49)
где =2…5 – коэффициент запаса,

=(0,8…0,9)

= (50)

Определяем напряжение в нагрузке:
= В (51)

В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены в Приложении 4.

Параметры и схемы включения микросхем серии К226, предназначенные для усиления низкой частоты.
Таблица 4.

Серии МС		(кГц)
К 226 УН1А,Б,С	250…350	0, 2…100	+12,-6

Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.

9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ
В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению и вычислить динамический диапазон АРУ:
(52)




Число охватываемых каскадов N равняется:
(53)
где - динамический диапазон регулировки одного каскада


(54)

- число охватываемых каскадов АРУ
10.Составление структурной схемы проектируемого приемника
Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4


Рис.4
Особенности построения структурной схемы приемника следующие:

в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;

около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;

ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;

показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;

вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:

для АТ сигналов – АД,

для ЧТ сигналов – ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим ограничитель),

для сигналов с ОМ – СД (синхронный детектор). Обычно СД – это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.


Р ис. 5


Рис.6
Приложение 1

Параметры биполярных транзисторов

Тип транзистора	(МГц)	(Ом)		(пФ)	(пС)	Шт (дБ)	(Ом) (Ом)
КТ 342 В	300	200	400	4	700	7	5 50
КТ 306 А	500	30	30	5	500	15	30 100
КТ 306 Б	650	30	60	5	500	15	30 100
КТ 3126 А	500	7	100	2,5	15	8	5 6
КТ 3127 А	600	6	150	1	10	5	5 10
КТ 316 А	600	17	60	3	50	10	15 16,7
КТ 316 Б,В	800	17	120	3	50	10	15 16,7
КТ 316 Г	600	17	100	3	150	10	15 50
КТ 316 Д	800	17	300	3	150	10	15 50
КТ 3128 А	800	7	150	1	5	5	6 5
КТ 397 А	800	25	300	1,3	40	6	20 30,8
КТ 3109 А	800	8	15	1	10	6	7 10
ГТ 311 А	770	8	70	1,8	50	8	8 27,8
ГТ 311 Б	1500	8	80	1,5	100	5,1	8 66,7
ГТ 311 Г	1500	8	60	1,5	75	5,1	8 50
ГТ 311 Д	1500	7	110	1,5	75	5,1	8 50
ГТ 329 А	1200	22	100	2	15	4	10 7,5
Т 341 А	1950	60	60	1	10	4,5	30 10
КТ 382 А	2250	3	330	2	6	3	3 3
КТ 382 Б	2250	3	330	0,7	5,5	4,5	3 2,8
КТ 372 А	2400	20	10	1	9	3,5	8 9
КТ 372 Б	3000	20	10	1	9	3,5	8 9
КТ 371 А	3600	10	200	1,2	10	5	8 8,3
Т 362	4800	5	200	1	10	4	8 10
ГТ 362 Б	4800	5	200	0,5	30	4	8 6
КТ 391 А	7000	8	150	0,7	3,7	4,5	7 5,3
КТ 391 Б	7000	8	150	1	3,7	4,5	7 5,3
КТ 368 А	7000	6	300	1,7	15	3,3	5 2,8
КТ 368 Б	7000	6	300	1,7	15	2,8	5 2,8
КТ 3115 А-2	7500	9	20	0,6	9	5	7 15
КТ 3124 А-2	8000	6	200	0,6	2,5	5	5 4,2
КТ 610 А	10000	12	300	4,1	55	6	10 13,4
КТ 610 Б	7000	12	300	4,1	22	6	5,4

Приложение 2

Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где: