Курсовая схемотехника. Курсовая — копия. Проектирование усилителяфотоприёмника воспи

• Название: Проектирование усилителяфотоприёмника воспи
• Анкор: Курсовая схемотехника
• Дата: 22.11.2020
• Размер: 1.13 Mb.
• Имя файла: Курсовая — копия.docx
• Тип: Курсовой проект; #152798
• страница: 1 из 6

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

«Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций

им. проф. М. А. Бонч-Бруевича»

курсовой проект на тему:
«Проектирование усилителя-фотоприёмника ВОСПИ»
по дисциплине «Схемотехника»

Вариант №

Выполнил:,

Принял:

Санкт-Петербург

2020г.

1. Содержание задания курсового проектирования

1. 
   Требования к проектируемому устройству
   

Содержанием курсового проекта является проектирование широкополосного RC-усилителя, источником сигнала которого является генератор тока. Подобные усилители находят широкое применение помимо оптической связи в видеоаппаратуре, а также в блоках управления радио- и видеотехникой. Особенность проектирования заключается в том, что по ряду показателей – стабильности коэффициента усиления, динамическому диапазону входных сигналов и полосы пропускания, к усилителям предъявляются достаточно высокие требования.

2. Проектное задание

Задание на курсовой проект представляет собой технические условия, по которым надлежит спроектировать устройство, работающее в режиме малогосигнала. В задании указаны следующие данные:

-тип полевого транзистора,

-тип биполярного транзистора,

-тип операционного усилителя,

-напряжение источника питания E₀,

-сопротивление внешней нагрузки R_2Н,

-нижняя рабочая частота fн ,

-верхняя рабочая частота fв ,

-выходное напряжение U₂.

3. Техническое задание

Вариант технического задания выбирается по последним трем цифрам зачетной книжки. Номер зачетной книжки –******124, следовательно, номер варианта 124.

Первая цифра определяет классификационный индекс полевого транзистора КП 307 и его параметры. В соответствии с вариантом выбираю:

Таблица 1 – Параметры полевых транзисторов

№	Параметр	Нач. ток стока Iс нач	Крутизна макс. Smax	Напряжение отсечки Uотс.
	Единицы измерения	мА	мА/В	В
1	КП 307Б	10	15	−2.5

Напряжение затвор-исток принимается U_зи = −1В.

Входная ёмкость C_зи=5 пФ, проходная ёмкость С_зс=1.5 пФ.

Вторая цифра определяет тип и параметры биполярного транзистора:

Таблица 2 – Параметры биполярных транзисторов

№	Тип транзистора	Pк	Uкэmax	Iк max	h21max	h21min	fT	Cк	τк
		мВт	В	мА			МГц	пФ	пс
2	КТ325А	225	15	30	90	30	800	2.5	125

Третья цифра (табл.3) определяет величину напряжения источника питания E₀ (Рис.1), величину действующего значения выходного напряжения U_2Н и полосу пропускания fн и fв .

Таблица 3 – Параметры элементов схемы

№	Источник питания Е0	Выходное напряжение U2н	Нижняя частота fн	Верхняя частота fв
	В	В	кГц	МГц
4	9	2	20	1

Тип микросхемы AD1 операционного усилителя (ОУ) определяется чётным или нечётным значением третьей цифры(табл.4).

Таблица 4 – Основные параметры ОУ

	Тип ОУ	Частота единичного усиления f1	Коэффициент усиления ОУ
Нечётная	OPA655	400 МГц	55 дБ

Конденсаторы С1-С8 выбираются равными 1..5 мкФ. Ток источника сигнала I_m1=1мкА. Сопротивление внешней нагрузки R_2Н=3кОм.