Главная страница
Навигация по странице:

  • «Электроника»

  • Исследование характеристик биполярного транзистора

  • Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

  • Получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток

  • Получение семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком

  • Протокол №2. Протокол выполнения лабораторной работы 2 Исследование характеристик полевых и биполярных транзисторов


    Скачать 71.8 Kb.
    НазваниеПротокол выполнения лабораторной работы 2 Исследование характеристик полевых и биполярных транзисторов
    Дата26.12.2020
    Размер71.8 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаПротокол №2.docx
    ТипПротокол
    #164404



    МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

    ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

    «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова»

    (БГТУ им. В.Г. Шухова)

    Институт энергетики, информационных технологий и управляющих систем

    Кафедра электроэнергетики и автоматики

    «Электроника»

    Протокол выполнения лабораторной работы №2

    «Исследование характеристик полевых и биполярных транзисторов»





    Выполнил:






    Отметка о допуске

    Дата, подпись

    Отметка о выполнении

    Дата, подпись



    1. Исследование характеристик биполярного транзистора

    Таблица 1.1

    Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

    IБ, мкА

    10

    40

    UБЭ, В





    Таблица 1.2

    Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

    IК1, мА

    IК2, мА

    IК3, мА

    IК4, мА

    IК5, мА



















    1. Исследование характеристик полевого транзистора

    Таблица 2.1

    Получение передаточной характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком

    UПОР, В

    UЗИ.1, В

    UЗИ.2, В

    UПОР, В













    Таблица 2.2

    Получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток

    RК.макс, Ом

    RК.мин, Ом







    Таблица 2.3

    Получение семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком

    IС1, мА

    IС2, мА

    IС3, мА

    IС4, мА

    IС5, мА

















    написать администратору сайта