Тесты по РК. Тесты РК. Пучки ускоренных электронов отличаются от излучения радионуклидов

• Название: Пучки ускоренных электронов отличаются от излучения радионуклидов
• Анкор: Тесты по РК
• Дата: 12.12.2020
• Размер: 24.35 Kb.
• Имя файла: Тесты РК.docx
• Тип: Документы; #159842
• страница: 4 из 4

Определите толщину слоя свинца Δ1/16 , ослабляющего мощность дозы рентгеновского излучения в 16 раз при напряжении на трубке аппарата U = 150 кВ, если слой половинного ослабления свинца при указанном напряжении составляет Δ0.5 = 0,3 мм:

• 
  Δ1/16 = 8,0 мм;
  
• 
  Δ1/16 = 2,5 мм;
  
• 
  Δ1/16 = 1,2 мм;
  
• 
  Δ1/16 = 0,9 мм.
  

Экспозиционная доза излучения, воздействующая на объект контроля:

• 
  равна произведению мощности экспозиционной дозы (МЭД) излучения на время экспозиции;
  
• 
  представляет собой плотность потока ионизирующих частиц;
  
• 
  прямо пропорциональна МЭД излучения и обратно пропорциональна времени экспозиции;
  
• 
  изменяется экспоненциально во времени и пропорционально МЭД.
  

По мере проникновения излучения в материал объекта контроля:

• 
  его спектральный состав становится более длинноволновым;
  
• 
  его спектральный состав становится боле коротковолновым;
  
• 
  интенсивность излучения возрастает;
  
• 
  2 + 3.
  

Два радиоактивных источника одинаковой интенсивности имеют разные значения удельной активности. Источник с большим значением удельной активности будет:

• 
  иметь меньшие размеры активной части;
  
• 
  иметь более короткий период полураспада;
  
• 
  излучать более жесткое γ-излучение;
  
• 
  иметь большие размеры активной части.
  

Определите оптимальное время экспозиции для рентгеновского аппарата на 300кВ, с максимальным током 6 мА для фокусного расстояния 350 мм, если по номограмме, экспозиция составляет 12 мА х мин., а фокусное расстояние 700 мм :

• 
  0,5 мин.
  
• 
  1,0 мин.
  
• 
  1,5 мин.
  
• 
  2.0 мин.
  

Определите минимальное расстояние «источник-объект контроля» f при проведении радиографического контроля, если максимально допустимая геометрическая нерезкость Uг = 0,2 мм, размер фокусного пятна источника Ф = 1,5 мм, радиационная толщина объекта h = 16 мм, пленка прилегает к поверхности объекта:

• 
  f = 120 мм;
  
• 
  f = 160 мм;
  
• 
  f = 240 мм;
  
• 
  f = 300 мм.
  

Для повышения контраста радиографического снимка необходимо:

• 
  увеличить расстояние «источник излучения –объект»;
  
• 
  уменьшить расстояние «объект – пленка»;
  
• 
  снизить энергию используемого излучения;
  
• 
  увеличить время проявления в рекомендуемых пределах.
  

Изображения дефектов на ближней к источнику стороне объекта контроля становятся менее различимыми по мере того, как:

• 
  расстояние «источник-объект» увеличивается;
  
• 
  толщина объекта контроля увеличивается;
  
• 
  размер фокусного пятна увеличивается;
  
• 
  2 + 3.
  

Чему равна оптическая плотность почернения?

• 
  экспонента отношения падающего и прошедшего сквозь пленку света;
  
• 
  десятичный логарифм отношения падающего к прошедшему сквозь пленку света;
  
• 
  отношение падающего и прошедшего сквозь пленку света;
  
• 
  геометрическая сумма падающего и прошедшего сквозь пленку света.
  

Форма характеристической кривой радиографической пленки:

• 
  не зависит от типа применяемой пленки;
  
• 
  не зависит от энергии рентгеновского или γ-излучения;
  
• 
  коренным образом изменяется, когда меняется энергия рентгеновского излучения;
  
• 
  определяется, в основном, контрастностью объекта контроля.
  

Неравномерное распределение проявленных частиц в эмульсии обработанного снимка создает субъективное ощущение:

• 
  зернистости;
  
• 
  волокнистости;
  
• 
  пятнистости;
  
• 
  белых пятен.
  

Известно, что для экранных радиографических пленок существует предел увеличения оптической плотности снимка при увеличении экспозиции. Увеличение экспозиции сверх этого предела приводит к фактическому снижению плотности. Это явление называется:

• 
  частотно-контрастная характеристика;
  
• 
  недопроявление;
  
• 
  изменение контраста пленки;
  
• 
  соляризация.
  

В каких условиях следует производить зарядку и сканирование фосфорных пластин:

• 
  в любом помещении;
  
• 
  в затемненном помещении с рассеянным светом низкой интенсивности;
  
• 
  в помещении с газоразрядными источниками света;
  
• 
  вне помещения при ярком солнечном свете.