Радиолюбителюконструктору с. Андрианов импульсные устройства на цифровых имс
Скачать 99.5 Kb.
|
РАДИОЛЮБИТЕЛЮ-КОНСТРУКТОРУ С. Андрианов ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ЦИФРОВЫХ ИМСЦифровые ИМС широко используют при разработке и создании многих импульсных устройств, так как при этом не требуется расчет транзисторных ключей, не надо согласовывать уровни напряжений сигналов при работе этих устройств с однотипной логикой. Рассмотрим некоторые из таких устройств на основе цифровых ИМС. При анализе их работы все р-nпереходы будем считать идеальными ключами с пороговым напряжением Uo. Начнем с устройства задержки фронта импульса [1, 2], являющегося основой всех рассматриваемых далее устройств. На его примере, к тому же, легче всего уяснить особенности работы импульсных устройств на цифровых ИМС. Схемы устройства показаны на рис. 1, а эпюры напряжений и токов в различных его цепях — на рис. 2 (здесь и далее примеры устройств приводятся применительно к ДТЛ микросхемам серии К217, что не ограничивает общности выводов применительно к ТТЛ микросхемам). В исходном состоянии на вход устройства (рис. 1, б) подан сигнал логического 0, т. е. ток i0 отводится на общий провод через открытый ключ предыдущего элемента. Конденсатор С1 заряжен до напряжения Uoоткрытого диода VI. В момент времени tx(рис. 2) на вход приходит сигнал логической единицы, что эквивалентно отключению входа устройства от общего провода. Диоды VI, V3 закрываются и отключают источник сигнала от входа устройства. Теперь ток I0 заряжает конденсатор С1 до напряжения 2U0. При этом напряжение в точке bстановится равным 3U0. Открываются диоды V4, V5 и транзистор V6 — на выходе устройства появляется инвертированный задержанный фронт входного импульса. При прохождении среза вход устройства снова замкнется на общий провод, диоды V2, V4 и V5 закроются, а конденсатор С1 за очень короткое время разрядится через диод VIдо напряжения Uo. Транзистор V6 закроется, и устройство примет исходное состояние. Чтобы задержка фронта входного импульса была без инверсии, на выходе устройства должен быть инвертор. Рис. 1. Функциональная (а) и принципиальная (б) схемы устройствй задержки фронта импульсов Устройство задержки среза импульса, схема и временные диаграммы работы которого показаны на рис. 3, отличаются от устройства задержки фронта импульса [1, 2] только тем, что на его вход подается инвертированный сигнал. А так как оно управляется положительным перепадом напряжения, то происходит задержка среза входного импульса. Следующее импульсное устройство — устройство задержки импульса. Оно по существу представляет собой два каскада задержки фронта. Пройдя через первый каскад, импульс инвертируется с задержкой фронта, второй же каскад работает точно так же, как и в предыдущем устройстве. В результате задержки фронта и среза на одно и то же время поступивший на вход импульс оказывается задержанным во времени с сохранением его прежней длительности. Рис. 2. Временные диаграммы напряжений и токов в цепях устройства задержки фронта импульсов Схема устройства задержки и временная диаграмма его работы показаны на рис. 4. Недостаток такого устройства заключается в том, что оно обрабатывает импульсы, длительность которых не меньше времени задержки. Этот его недостаток можно устранить, если вслед за устройством задержки среза каскадно включить устройство задержки фронта и выходной сигнал проинвертировать. При этом времена задержки везде должны быть равны. Однако число логических элементов, а следовательно, паразитная задержка распространения сигнала здесь вдвое больше, чем В предыдущем устройстве. Рис. 3. Устройство задержки среза импульсов: а — функциональная схема; б — временные диаграммы напряжений Эти особенности определяют области использования рассмотренных устройств временной задержки. Второе из них лучше применять, когда длительность импульса или соотношение длительностей неизвестно. Формирователь импульсов [1,2] заданной длительности (рис. 5) состоит из элемента совпадения D2 (2И-НЕ), на один из входов которого входной импульс подается непосредственно, а на другой — с задержкой фронта и с инверсией. Выходным сигналом является импульс логического нуля, длительность которого равна времени задержки фронта входного импульса. Рис. 4. Устройство временной задержки импульсов: а — функциональная схема; 6 — временные диаграммы напряжений Рис. 5. Устройство формирования импульсов заданной длительности: а — функциональная схема; б — временные диаграммы напряжений На основе такого устройства можно сконструировать преобразователь частота-напряжение. Для этого достаточно на выходе его включить интегрирующую цепочку. Принцип работы преобразователя заключается в том, что постоянная составляющая периодического импульсного сигнала обратно пропорциональна скважности (отношению периода к длительности импульса), а, следовательно, при постоянной длительности прямо пропорциональна частоте [3, 4]. Постоянная составляющая импульсного напряжения выделяется интегрирующей цепочкой. Следующее импульсное устройство — автоколебательный мультивибратор [5], схема которого изображена на рис. 6. Он состоит из двух одинаковых (симметричный случай) формирователей импульсов заданной длительности, собранных на элементах Dl...Df, диодах VI, V2, и конденсаторах С1 и С2. Элемент D5 предназначен для запуска мультивибратора и установления автоколебательного режима работы после включения питания. Период колебаний определяется суммой длительностей импульсов, формируемых в плечах мультивибратора. Устройство работает следующим образом. После включения питания, когда конденсаторы С1 и С2 еще не заряжены, на выходах плеч мультивибратора наблюдается сигнал логической единицы. Элемент D5 вырабатывает сигнал логического нуля, т. е. замыкает соответствующий вход элемента D1 на общий провод. Следовательно, возможность заряжаться получает только конденсатор С2. С момента начала зарядки конденсатора С2 и до конца формирования импульса элементами D2, D4 на выходе элемента D4 и на соответствующем входе элемента D1 поддерживается сигнал логического нуля, который не позволяет конденсатору С1 заряжаться до тех пор, пока не закончится цикл зарядки конденсатора С2, и наоборот. Так как теперь на входах. элемента D5 поочередно появляются сигналы логического нуля и единицы в противофазе, то на выходе элемента D5 все время наблюдается сигнал логической единицы и он практически не оказывает влияния на дальнейшую работу устройства. Ждущий мультивибратор [1, 2] представляет собой совокупность устройства задержки фронта и RS-триггера, состояние которого изменяется логическим нулем (рис. 7). Импульсы запуска, являющиеся сигналами логического нуля, попадают на вход элемента D2. В исходном состоянии на выходе этого элемента логический нуль, а на выходе элемента D3 — единица. Триггер будет находиться в таком состоянии сколь угодно долго, пока не поступит импульс запуска. Рис. 6. Функциональная схема автоколебательного мультивибратора Рис. 7. Функциональная схема ждущего мультивибратора В момент запуска триггер переключается в другое состояние, и с выхода элемента D2 на вход устройства задержки фронта, образованного элементом D1, диодом VIи конденсатором С1, приходит сигнал логической единицы. Устройство задержки инвертирует сигнал с задержкой по времени, что обеспечивает обратное переключение триггера и восстановление исходного состояния. Рассмотренный здесь ждущий мультивибратор имеет два выхода: для импульсов логического нуля — выход элемента D3, для импульсов логической единицы — выход элемента D2. Расчет временных характеристик не представляет собой сложности. Анализ переходных процессов в устройстве по схеме рис. 1, б для времени задержки фронта tад дает следующее выражение: (1) где Ual— напряжение питания. При малом значении отношения Uo/Un1можно воспользоваться приближенной формулой (2) тогда при U0=0,7 В, Uп1=6 В относительная погрешность расчетного времени задержки составит менее 6 %, а при U0=0,7 В и UП1 = 5 В — менее 8 %. Температурная стабилизация рассмотренных импульсных устройств может осуществляться путем задания соответствующей температурной зависимости питающих напряжений смещения так, чтобы скомпенсировать температурный дрейф порогового напряжения р-nпереходов. Из выражения (1), при учете температурной зависимости только Uoи Unl, получается выражение температурного дрейфа времени задержки: (3) Приравняв величину температурного дрейфа времени задержки нулю и решив полученное уравнение относительно температурного дрейфа напряжения источника смещения, в рассматриваемом примере (см. рис. 1, б) — UnUполучим требуемую зависимость питающего напряжения от температуры, обеспечивающую стабилизацию времени задержки при изменении температуры окружающей среды: (4) Рис. 8. Схема источника напряжения смещения (питания) с температурной зависимостью выходного напряжения для компенсации теплового дрейфа Рассмотрим теперь расчет источника напряжения с требуемой температурной зависимостью. Для примера возьмем стабилизатор, выполненный по схеме рис. 8. Здесь полевой транзистор V4 — источник стабильного тока. С коллектора транзистора V5 снимается образцовое напряжение. На транзисторе V6 собран усилитель тока. Нагрузкой Rnявляются параллельно соединенные цепи смещения логических элементов, требующих стабилизацию напряжения смещения с определенной температурной зависимостью. Чтобы температурная зависимость выходного напряжения соответствовала необходимым требованиям, должно выполняться соотношение (5) Предположим, требуется стабилизировать с описанной здесь температурной зависимостью напряжение смещения у трех логических элементов серии К217. Известно: UП1 = =6 В, U0 = 0,7 В [4], Rl = 6 кОм (получено измерением, см. рис. 1, б). По формуле (5) получаем Kи — 4,78. Нагрузка R11 — это параллельно соединенные три резистора R1. Транзистор V6 может быть КТ603А с коэффициентом h21Э, равным 10 [6]; входное сопротивление такого эмиттерного повторителя составит около 20 кОм. Чтобы не учитывать влияние входного сопротивления эмиттерного повторителя V6, возьмем резистор R3 сопротивлением 2,2 кОм, тогда из формулы (5) следует, что сопротивление резистора R2 должно быть 460 Ом. Для обеспечения номинального напряжения на выходе стабилизатора с учетом падения напряжения на переходе эмиттер — база транзистора V6 необходимо, чтобы на резисторе R3 падало напряжение, равное 6,7 В. Для этого нужно установить ток коллектора транзистора V5, равный 3 мА, подав на его базу напряжение смещения 2,1 В. Падение напряжения на диодах VI..УЗ составит 2,1 В, поэтому сопротивление R1 — 0. Можно использовать любые кремниевые диоды, однако лучше всего подойдут диоды КД503А, через которые потечет стабильный ток стока полевого транзистора V4. Наиболее подходящим является транзистор КЛ302А с начальным током стока Iсо=10 мА [6]. Напряжение питания стабилизатора Uaвыбирают настолько большим, чтобы все транзисторы работали в активной области. Для этого необходимо выполнить условие Un > kUKn + Iк (R, + R3), (6) где UKn— напряжение насыщения транзистора V5 при заданном Iк, к — коэффициент запаса (1,5...2,0). Для нашего примера Uaдолжно быть больше 8,13 В. Выберем 9 В. На этом расчет стабилизатора заканчивается. Управлять временными характеристиками импульсных устройств рассмотренного типа можно путем замыкания части тока i0на общий провод. Ток i1, заряжающий конденсатор С1, уменьшается на значение отводимого из точки bтока i2. Тогда, воспользовавшись формулой (2), преобразованной в формулу (7) где i1— ток, заряжающий конденсатор С1, получим упрощенное выражение для зависимости времени задержки фронта от тока, замыкаемого на общий провод: (8) В устройстве задержки фронта импульса по схеме рис. 9 время задержки управляется напряжением, подаваемым на модулирующий вход. Это напряжение может быть как постоянным (медленно изменяющимся), так и пульсирующим. Токоотводом служит транзистор VI, ток через который определяется управляющим напряжением и номиналами резисторов R1,R2. Резистор R1 играет роль ограничителя тока базы (Транзистора VI. Резистор R2 влияет на линейность модуляционной характеристики и на динамический диапазон управляющих напряжений. Рис. 9. Схема устройства задержки фронта импульса с модулятором времени задержки Ток i1 ограничивается требован-ием обеспечения работы транзистора V8 в ключевом режиме. Практически это означает, что i1 макс = i0 — iбн. (9) Здесь i1mакс — максимальное значение отводимого тока, fcн — ток насыщения базы транзистора V8, равный (10) Рис. 10. Функциональные схемы устройств задержки фронта импульса с различными способами модуляции времени задержки: а — управляющим напряжением; б — управляющим током Из формул (9) и (10) определяется максимальное значение отводимого тока: (11) Для микросхем серии К217 i1макс=0,8б мА. По известному значению максимально отводимого тока можно рассчитать токоотвод. Модуляция управляющим напряжением в устройстве по схеме на рис. 10, а осуществляется при сопротивлении R1=/=О и R2=/=0. В этом случае разброс параметров транзистора практически не влияет на значение отводимого тока. При выборе транзистора с коэффициентом h21Э>10, когда током базы можно пренебречь, расчет модулятора упрощается. В этом случае отводимый ток, приближенно равный току эмиттера, равен (12) где Uбэ — напряжение база — эмиттер транзистора: для кремниевых транзисторов можно принять: 0,7 В, для германиевых — 0,4 В. Сопротивление резистора R2 можно вычислить по формуле (12). При расчете транзистора-токоотвода такого варианта модуляции следует иметь в виду, что при увеличении сопротивления резистора R2 транзистор-токоотвод может оказаться в насыщении. Это обязательно нужно проверять, исходя из условия (см. рис. 9) (13) Модуляция управляющим током по схеме рис. 10, б осуществляется большим сопротивлением резистора R1. В этом случае ток базы транзистора V2 равен i6=Uупр/R1, (14) а ток коллектора V2, он же и, равен i1 = h21Э iб. (15) Из формул (14) и (15) следует зависимость отводимого тока от управляющего напряжения: (16) Для расчета сопротивления резистора R1 необходимо в формулу (16) подставить: Uупр. = UулР.маКс — максимальное значение управляющего напряжения, i1 = i1Макс — максимальное значение отводимого тока из (11), h21Э= = h21эмакс — максимальное значение h2i3транзистора-токоотвода. Но такой способ модуляции обладает существенным недостатком, связанным с непостоянством тока i1из-за разброса параметра h21Этранзистора-токоотвода. При расчете модуляторов рекомендуется пользоваться входными и выходными характеристиками транзисторов, используемых в качестве токоотводов. В качестве токоотво-дов можно применять не только биполярные, но и полевые транзисторы. При необходимости температурной стабилизации токоотводов расчеты ведутся аналогично расчетам температурной стабилизации усилительных каскадов. При использовании рассмотренных способов модуляции временных характеристик импульсных устройств можно конструировать: преобразователь напряжение — шим (широтно-импульс-ная модуляция) из ждущего мультивибратора или из формирователя импульсов заданной длительности; преобразователь напряжение — вим (время-импульсная модуляция) из устройств задержки; преобразователь напряжение — частота . из автоколебательного мультивибратора, но с применением токоотводов в каждом плече мультивибратора. Эти преобразователи вырабатывают сигналы со спектром, ширину которого можно регулировать напряжением. Поэтому они могут найти применение и при конструировании электромузыкальных инструментов. Описанные импульсные устройства могут быть сконструированы на логических элементах микросхем ДТЛ серий: К217, К121, К194. Из ТТЛ микросхем можно использовать серии К133, К155, К158 и другие. От ранее опубликованных аналогичных устройств [7] [8] разобранные здесь выгодно отличаются тем, что содержат меньше дискретных компонентов на один логический элемент, а следовательно, налаживание их сокращается до минимума. ЛИТЕРАТУРА1. Авторское свидетельство № 481127 БИ № 30, 1975. 2. Авторское свидетельство № 496672 БИ № 47, 1975. 3. Гольденберг Л. М. Основы импульсной техники. — М.: Связь, 1964. 4. Основы импульсной и цифровой техники. — М. : Советское радио, 1975. 5. Широкополосный импульсный генератор, — Радио, 1975, № 3. 6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным микросхемам. Под ред. Н. Н. Горюновой. — М.: Энергия, 1976. 7. Мильченко В. Импульсные устройства на логических элементах. — Радио, 1977, № 1. 8. Токарев Б., Соколов Ю. Ждущий мультивибратор. — Радио, 1977, №6. ББК 32.884.19 В80Рецензент кандидат технических наук В. Т. Поляков 380 В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 84/ Сост. В. Г. Борисов. — М.: ДОСААФ, 1983, — 79 с, ил. 35 к. Приведены описания конструкций, принципиальные схемы и методика расчета их некоторых узлов. Учтены интересы начинающая и квалифицированных радиолюбителей. Для широкого круга радиолюбителей. 2402020000 — 108 ББК 32.884.19 В--------------- 26—84 6Ф2.9 072(02) — 83 В ПОМОЩЬ РАДИОЛЮБИТЕЛЮВыпуск 84Составитель Виктор Гаврилович Борисов Редактор М. Е. Орехова. Художник S. А. Клочков. Художественный редактор Т. А. Хитрова. Технический редактор С. А, Бирюкова. Корректор Я. В. Елкина. ИБ № 1618. Сдано в набор 07.04.83. Подписано в печать 28.09.83. Г — 63834. Формат 84X108 1/32. бумага типографская № 1. Гарнитура литературная. Печать высокая Уcл. п. л. 4,20. Уч. изд. л. 4,67. Тираж 700 000. Заказ № 3 — 1188. Цена 35 к. Ордена «Знак Почета» Издательство ДОСААФ СССР. 12Э110, г. Москва Олимпийский просп., д. 22. Головное предприятие республиканского ароизпод-ственного объединения «Полиграфкнига», 252057, Киев, ул. Довженко 3 OCR Pirat |