Курсовая работа по Твердотельной электроники ФИНИШШШ 2. Расчет бездрейфового сплавного биполярного транзистора
Скачать 0.87 Mb.
|
. (11) Коэффициент диффузии дырок рассчитывается по формуле: (12) 2.1.3 Расчёт эффективности коллектора αi Эффективность коллектора определяется умножением носителей заряда и изменением условий диффузии неосновных носителей заряда в коллекторной области. В соответствии с этим расчёт будем производить по формуле: (13) где M - коэффициент умножения ударной ионизации в p-n-переходе; α* - коэффициент усиления по току коллекторного перехода, обусловленный увеличением тока за счёт неосновных носителей заряда в коллекторе. M будем рассчитывать по формуле: . (14) где Uпроб рассчитывается последующей формуле, а n = 3 для германиевых транзисторов р-n-р типа; ; (15) α* рассчитывается по формуле: (16) где ρi - удельное сопротивление собственного полупроводника, а η рассчитывается для транзисторов p-n-p-типа по формуле: (17) где b находится из выражения: (18) Таким образом, Расчёт сопротивления эмиттера, базы, коллектора 2.2.1 Расчёт сопротивления эмиттера Различают две составляющие эмиттерного сопротивления: r’ - сопротивление эмиттера без учёта эффекта Эрли; r” - сопротивление эмиттера с учётом эффекта Эрли; Где рассчитывается по формуле: (19) А находится из выражения: (20) 2.2.2 Расчёт сопротивления базы Расчёт сопротивления базы подобен расчёту сопротивления эмиттера. Различают две составляющие базового сопротивления: r’ - омическое сопротивление материала базовой области, зависящее от геометрии транзистора; r” - диффузионное сопротивление, обусловленное изменениями концентрации неосновных носителей в базе, вызванным эффектом Эрли. По определению , (21) где: , (22) (23) 2.2.3 Расчёт сопротивления коллектора Сопротивление коллектора рассчитывается следующим образом: сначала рассчитывается по формуле: (24) где d - ширина области пространственного заряда p-n-перехода, которая рассчитывается по формуле: (25) Расчёт диффузионных емкостей Cэ и Cк 2.4.1 Расчёт диффузионной ёмкости эмиттера Значение диффузионной ёмкости эмиттера определяем согласно следующему выражению: (26) 2.4.2 Расчёт диффузионной ёмкости коллектора Расчёт диффузионной ёмкости коллектора производим в соответствии с выражением: . (27) 2.4.3 Расчёт емкостей переходов Расчёт концентрации электронов в эмиттере и коллекторе и концентрации дырок в базе: ; ; ; ; (28) ; (29) (30) (31) (32) (33) (34) 2.5 Расчёт граничной частоты Для германиевых транзисторов p-n-p типа граничная частота рассчитывается по следующей формуле: (35) 2.5.1 Расчёт максимальной частоты генерации Максимальная частота генерации рассчитывается по следующей формуле: (36) 2.6 Расчет длин Дебая ; (37) 2.7 Вычисление обратных токов Обратные токи, определяемые объемной рекомбинацией: (38) (39) Обратные токи, определяемые поверхностной рекомбинацией; (40) где Lб эфф - эффективная длина диффузии неосновных носителей заряда в базе, которая определяется по формуле: ; (41) где τэф - эффективное время жизни неосновных носителей заряда, обусловленное суммарным механизмом объёмной и поверхностной рекомбинацией: (42) (43) (44) Ток генерации в запорном слое коллектора определяется выражением: (45) где d - ширина области пространственного заряда коллекторного перехода; ni - концентрация электронов в собственном полупроводнике в условиях термодинамического равновесия. С учётом обратных токов, обусловленных объёмно и поверхностной рекомбинацией, а также тока генерации в запорном слое коллектора получаем суммарный обратный ток: (46) Отношение тока генерации в запорном слое коллектора к суммарному обратному току имеет следующий вид: (47) 2.8 Определение пробивных напряжений Напряжение прокола (48) Для сплавных транзисторов малой мощности вследствие неравномерного фронта вплавления: (49) Минимальное предельное напряжение, соответствующее а=1, определяется величиной: ; (50) (51) Для германиевых переходов напряжение туннельного пробоя может быть рассчитано по следующим формулам (для удельных сопротивлений порядка сотых долей ом.см): (52) 2.9 Расчет зависимости αкб = f(Iэ) 3. Расчёт r - g - и h - параметров (активные составляющие) а) Расчёт r-параметров б)Расчёт g-параметров в) Расчёт h-параметров Определение rm 4. Расчет максимальной мощности, рассеиваемой коллектором Для германиевых приборов максимальная температура перехода tмакс=85÷100°C. Выбираем tмакс=95°C. Выбираем для транзистора конструкцию в универсальном корпусе с тепловым сопротивлением Rт=400°С/вт. Максимальная рассеиваемая мощность будет зависеть от температуры корпуса. При температуре корпуса 20° С она определится из выражения 3 Программа на языке Python importmath Iэ = 10 ** (-3) poэ = 0.003 poк = 0.003 poб = 1.5 w1 = 7 * 10 ** (-3) w2 = 10 ** (-2) Lэ = 5 * 10 ** (-4) Lк = 6 * 10 ** (-4) Rэ = 0.45 Rб = 1.5 Rк = 0.65 pэ = 6 * 10 ** 18 pк = 6 * 10 ** 18 pi = 3.14 S = 1200 Uк = 10 ni = 6.25 * 10 ** 26 h = 4.58 e = 16 tб = 30 * 10 ** (-6) #1.расчет кэффициента передачи по току α #а)Расчёт эффективности эмиттерного перехода γ y0 = 1 - (500 * 230 / (3800 * 1800)) * poэ * w1 / poб * Lэ print ('y0 = ', y0) #б)Вычисляемβ0 Aэ = pi * (Rэ / 10) ** 2 print ('Aэ = ',Aэ) As = 2 * pi * (Rэ / 10) * w1 Lб = math.sqrt (0.0026 * 1800 * 30 * 10 ** (-6)) print ('Lб = ',Lб) Dp = 0.026 * 1800 print ('Dp = ',Dp) b0 = 1 - (S * As * w1 / (Dp * Aэ))- 1 / 2 * (w1 / Lб) ** 2 print ('b0 = ',b0) #в)Расчет эффективности коллектора αi Uпроб = 83.4 * poб * 0.61 M = 1 / (1 - ((Uк / Uпроб) ** 3)) print ('M = ',M) a_ = 1 + h / 2 * poк ** 2 / (47 ** 2) ai = M * a_ print ('a* = ',a_) #Таким образом a0 = y0 * b0 * ai print ('a0 = ',a0) #2.Расчёт сопротивления эмиттера, базы, коллектора r1э = 0.0026 / Lэ print ('r1э = ',r1э) r2э = (r1э * (1 - b0)) / ((1 - a0) + (1 - b0)) print ('r2э = ',r2э) r1б = poб * (1 / (8 * pi * w1) + 1 / (2 * pi * w2) * math.log(2 * Rк / (2 * Rэ)) + 1 / (2 * pi * w2) * math.log(2 * Rб / (2 * Rк))) print ('r1б = ',r1б) r2б = r1э / 2 * (1 - b0) + (1 - y0) print ('r2б = ',r2б) rб = r1б + r2б print ('rб = ',rб) d = math.sqrt(2 * e * 8.86 * 10 ** (-16) * Uк / (1.6 * 10 ** (-19))) print ('d = ',d) rк = 1 / ((Iэ / w1) * (2 * (1 - b0) + (1 - y0)) * (d / (2 * Uк))) print ('rк = ',rк) #а)Расчёт диффузионных емкостей Cэ и Cк Cдк = Iэ * (w1 / Dp) *(d / (2 * Uк)) print ('Cдк = ',Cдк) Cдэ = 1.6 * 10 ** (-19) * Iэ * w1 ** 2 / (2 * 0.026 * Dp) print ('Cдэ = ',Cдэ) #б)Расчёт емкостей переходов fкб = 0.026 * math.log (6 * 10 ** 18 / 5.4 * 10 ** 11) print ('fкб = ',fкб) Aк = pi * Rк ** 2 print ('Aк = ',Aк) Cэк = Aк * math.sqrt((e * 8.86 * 10 ** (-14) * 1.6 * 10 ** (-19) * 1.1 * 10 ** 13) / (2 * (fкб + Uк))) print ('Cэк = ',Cэк) fбэ = Iэ * w1 / (Aэ * Dp *1.6 * 10 ** (-19)) fUэ = 0.026 * math.log(6 * 10 ** 18 / 9.4 * 10 ** 18) Aб = pi * Rэ ** 2 Cээ = Aб * math.sqrt(e * 8.86 * 10 ** (-14) * 1.6 * 10 ** (-19) * 1.1 * 10 ** 13 / (2 * (fUэ))) print ('Cээ = ',Cээ) #3. Расчёт граничной частоты fa = 17 / w1 ** 2 print ('fa = ',fa) # Расчёт максимальной частоты генерации fмакс = math.sqrt(a0 * fa / (30 * r1б * Cэк)) print ('fмакс = ',fмакс) #4. Расчет длин Дебая LDк = math.sqrt(e * 8.86 * 10 ** (-14) * 0.026 / (1.6 * 10 ** (-19) * 6 * 10 ** 18) ) print ('LDк = ',LDк) LDb = math.sqrt(e * 8.86 * 10 ** (-14) * 0.026 / (1.6 * 10 ** (-19) * 1.6 * 10 ** 8) ) print ('LDb = ',LDb) #5. Вычислениеобратныхтоков Iкov = 0.026 * 0.23 / (47 ** 2)* (((Aк - Aэ) * w2 * poб / (Lб ** 2)) + (Aэ * w1 * poб / Lб) + (Aк * poк / Lк)) print ('Iкov = ',Iкov) Iэov = (Aэ * 0.026 * 0.23 / 47 ** 2) * (w1 * poб / (Lб ** 2) + poэ / Lэ) print ('Iэov = ',Iэov) ts = w1 / 2 * S tэфф = 1 / (1 / tб + 1 / ts) Lб_эфф = math.sqrt(Dp * tэфф) Iкos = 0.026 * poб / 47 ** 2 * 0.22 * pi * w1 * (1 + 2 * Rк / Lб_эфф + 1 / 2 * (Rк ** 2 - Rэ ** 2) / Lб_эфф ** 2) print ('Iкos = ',Iкos) Iэоs = 0.026 * poб / 47 ** 2 * 0.22 * w1 * (1 + 2 * Rэ / Lб_эфф) print ('Iэоs = ',Iэоs) Irg = 1.6 * 10 ** (-19) * d * 2.5 * 10 ** 13 * 2 * tб * Aк print ('Irg = ',Irg) Iко = Iкov + Iкos + Irg print ('Iко = ',Iко) H = Irg / Iко print ('H = ',H) Iэо = Iэоs + Iэov alfI = a0 * (Iэо / Iко)#Вычисление обратного коэффициента усиления print ('alfI=',alfI) #6.Определение пробивных напряжений w1_мин = w1 / 3 Uпрок = w1_мин ** 2 / (2 * e * 8.86 * 10 ** (-14) * 3600 * poб) a_кбн = a0 / (1 - a0) print ('a_кбн = ',a_кбн) Ua = Uпрок / (a_кбн ** 1/3) print ('Ua = ',Ua) Uz = 99 * 1.5 print ('Uz = ',Uz) #Результат занесен в таблицу. Построен график import math Iэ = float(input('Введите Iэ')) Lэ = 5 * 10 ** (-4) Aэ = 0.0063585 Dp = 46.8 w1 = 6 * 10 ** (-3) poэ = 0.003 poб = 1.5 S = 1200 y0 = 0.9999999998823099 As = 0.0019782000000000003 Lб = 0.011849050594878898 #7. Расчетзависимости aкб = f(Iа) pб_э = w1 / (Aэ * Dp * 1.6 * 10 ** -19) * Iэ print ('pб_э = ',pб_э) g = (1 + pб_э / 1.1 * 10 ** 13) / (1 + 2 * pб_э / 1.1 * 10 ** 13) print ('g = ',g) Z = w1 * 39 * 2.1 * poб / Aэ * Iэ print ('Z = ',Z) Л = 1 - y0 X1 = S * As / Aэ * w1 / Dp X2 = w1 ** 2 / 2 * Lб ** 2 X3 = S * As * w1 / (Dp - Aэ) print ('X3 = ',X3) X4 = 1 + Z / 2 print ('X4 = ',X4) X5 = Л * X4 print ('X5 = ',X5) a1кб = (S * As / Aэ * w1 / Dp) * g + (poэ * w1 / (poб * Lэ)) * X4 + X2 print ('a1кб = ',a1кб) aкб = 1 / a1кб print ('aкб = ',aкб) Таблица 1
|