Главная страница

РГР №3. Расчетнографическая работа 3 Определение h параметров биполярного транзистора


Скачать 31.45 Kb.
НазваниеРасчетнографическая работа 3 Определение h параметров биполярного транзистора
Дата23.06.2020
Размер31.45 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файлаРГР №3 .docx
ТипДокументы
#132206

Расчетно-графическая работа №3

«Определение h-параметров биполярного транзистора»

Вариант №17

Тип транзистора- КТ312Б

Uk=10 В

Iб=0,4*10-3 А

По вольтамперным характеристикам в пределах центральной рабочей части определяем его h-параметры:

Uбэ (1) =0,46 В Iб(1)=0,4*10-3 А Uкэ(1)=10 В

Uбэ (2) =0,435 В Iб(2)=0,3*10-3 А Uкэ(3)=0 В

Uбэ (3) =0,3 В

Параметры h11 и h12 определяют по входным характеристикам в соответствии с выражениями:







Параметр - безразмерный коэффициент передачи тока; он характеризует усилительные свойства биполярного транзистора и является ничем иным, как коэффициентом усиления по току в схеме с общим эмиттером.



Параметр имеет размерность проводимости и характеризует выходное сопротивление транзистора:



Вывод: в ходе выполнения расчетно-графической работы №3 графическим и расчетным путем были найдены h-параметры биполярного транзистора КТ312Б.

Таким образом, для точки с координатами Uкэ=10 В, Iб=400 мкА транзистор КТ373В имеет значения, показанные в таблице 1.

Таблица 1 – результаты расчета h-параметров

Обозначение


Наименование


Расчетное значение






Входное сопротивление








Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме холостого хода









Коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе









Выходная проводимость






написать администратору сайта