Главная страница

Диоды и транзисторы на основе SiC и GaN. Реферат по дисциплине Актуальные проблемы современного приборостроения


Скачать 0.73 Mb.
НазваниеРеферат по дисциплине Актуальные проблемы современного приборостроения
Дата21.06.2023
Размер0.73 Mb.
Формат файлаdoc
Имя файлаДиоды и транзисторы на основе SiC и GaN.doc
ТипРеферат
#1215582
Предварительный просмотр недоступен. Но вы можете скачать оригинальный файл.


написать администратору сайта