Решение в собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы (1)

• Название: Решение в собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы (1)
• Дата: 17.01.2020
• Размер: 149.4 Kb.
• Имя файла: FC8833A4-5F26-46F2-8369-01FD4274F3BF.docx
• Тип: Решение; #104478
• страница: 3 из 4

Решение

Скорость дрейфа электронов

(1)

Скорость дрейфа дырок

(2)

Электропроводимость

(3)

Полный дрейфовый ток

(4)

Полный ток

(5)

Ответ:,,,,.

17. 
    Дан образец кремния, в котором сформирован p-n-переход. Удельное сопротивление дырочной и электронной областей и (Омсм), подвижности электронов и дырок соответственно равны и , а концентрация собственных носителей (см^-3).Определите, чему равен потенциальный барьер при комнатной температуре 290К.
    

а) =0,013 Омсм, б) =0,01 Омсм, в)=0,02 Омсм,

=44,5 Омсм, =30 Омсм, =50 Омсм,

=1400 , =1500 , =1300 ,

=480 , =300 , =350 ,

=1,610¹⁰ см^-3, =10¹¹ см^-3,=10¹² см^-3.