Решение в собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы (1)
 Скачать 149.4 Kb.
|
|
Ответ:  .7. Образец арсенида галлия, легированный донорной примесью с концентрацией (см-3), подвергается действию некоторого внешнего возбуждения, в результате которого каждую секунду в 1 см3 генерируется G электронно-дырочных пар. Считается, что имеет место низкий уровень инжекции. Вычислить коэффициент рекомбинации , если время жизни электронов и дырок равны  (нс), а также избыточную концентрацию носителей в стационарном режиме.а)  см-3 б)  см-3, в)  см-3,G=1020 c-1см-3, G=51019 c-1см-3, G=1019 c-1см-3, =50 нс, =100 нс, =80 нс.  Решение В донорном полупроводнике в случае полной ионизации доноров n0= ND, p0<< n0. Коэффициент рекомбинации  (1)Числовое значение   (2)Следовательно, решение дифференциального уравнения (2):  (3)В стационарном режиме  (4)Числовое значение:  Ответ:  , .Подвижность электронов и дырок в образце полупроводника собственной проводимости составляют и  , концентрация собственных носителей (м-3), площадь поперечного сечения образца S(м2). Определить скорости дрейфа электронов и дырок, электропроводность образца и полный дрейфовый ток, если в образце создано электрическое поле напряженностью Е.а) =0,12  , б)=0,1,в)=0,2,=0,025 , =0,02, =0,03,=2, 51016 м-3, =1016 м-3,=1015м-3, S=0,0310-4м2, S=10-5м2, S=510-5м2, E=400  , E=300, E=200. |