Билет. сброс мпра Выбрать правильные ответы

• Название: сброс мпра Выбрать правильные ответы
• Дата: 19.03.2020
• Размер: 320.64 Kb.
• Имя файла: Билет.docx
• Тип: Документы; #112381
• страница: 1 из 7

Билет №1

1. 
   Даны три числа 7Ah, 73h и 19h; необходимо определить их логическую и арифметическую суммы и ответить на вопрос: помещаются или нет эти результаты в 8-ми битный регистр?
   

2. 
   Функции сигнала «сброс» МП-ра? Выбрать правильные ответы.
   

a. установка внутренних регистров МП-ра в исходное состояние;

b. остановить работу МП-ра.

c. остановить работу ГТИ микропроцессора

d. микропроцессор начинает выполнять программу сначала.

3. 
   Что произойдет при выполнении команды add ax, 1, если ax содержит число 0FFFFh? Чему будет равно содержимое регистра ax и почему, какие флаги в регистре F будут выставлены ?
   

4. 
   Составить для каждой схемы таблицу истинности, и какой базовый элемент эквивалентен каждой из схем?
   

Билет №2

1. 
   В чем принципиальное отличие команды МП-ра от директивы? Поясните назначение директивы ORG 100h.
   
2. 
   Выберите правильный ответ. Сколько направлений передачи информации обеспечивает системная шина?
   

3; 2; 4; 1.

3. 
   Как представлены уровни логической «1» и логического «0» в микросхемах памяти динамического типа и в микросхемах памяти статического типа? Выбрать правильные ответы.
   

Выберите один или несколько ответов:

a. в микросхемах памяти динамического типа «0» представлен отсутствием заряда конденсатора, а в микросхемах памяти статического типа «0» представлен наличием заряда конденсатора;

b. в микросхемах памяти динамического типа «1» представлена высоким уровнем
напряжения, а в микросхемах памяти статического типа низким;

c. в микросхемах памяти динамического типа «0» представлен низким уровнем
напряжения, а в микросхемах памяти статического типа высоким;

d. в микросхемах памяти динамического типа «0» представлен отсутствием заряда онденсатора, а в микросхемах памяти статического типа «0» представлен низким уровнем напряжения;

e. в микросхемах памяти динамического типа «1» представлена наличием заряда конденсатора, а в микросхемах памяти статического типа «1» представлена высоким  уровнем напряжения

f. в микросхемах памяти динамического типа «1» представлена наличием регенерации заряда конденсатора, а в микросхемах памяти статического типа «1» представлен высоким  уровнем напряжения.

4. 
   Составить для схемы таблицу истинности, и какой базовый элемент эквивалентен этой схеме?