ИБП. реф. Список принятых сокращений
Скачать 2.61 Mb.
|
2.1.4. Расчёт разрядного устройства Схема разрядного устройства (РУ) на базе непосредственного преобразователя постоянного напряжения повышающего типа [5,12,13,20] приведена на рисунке 2.6. Рисунок 2.6 – Схема разрядного устройства В установившемся режиме на интервале открытого состояния γT, который задаётся управляющим напряжением Uу, дроссель L1 подключен к источнику питания. Диод VD1 закрыт под действием напряжения конденсатора C1, напряжение которого приложено и к нагрузке. Напряжение на дросселе равно напряжению АБ, а ток в нём изменяется по линейному закону от ILmin до ILmax на величину 2ΔI.
На интервале (1 – γ)T транзистор закрыт и энергия, накопленная в дросселе, передаётся в конденсатор и нагрузку через открывшийся диод. Ток дросселе спадает по линейному закону, и к нему приложена разность входного и выходного напряжений. 68 Если постоянной составляющей падения напряжения на дросселе пренебречь, то можно составить выражение [12]:
Откуда
Так как стабилизацию выходного напряжения обеспечивает инвертор, то преобразователь выполняем нерегулируемым с жестко заданным γ из условия:
где кП = 0,05 – коэффициент пульсаций; Pu= Udmin⋅ I1= 170⋅49,3 = 8380Вт. Этому условию с избытком удовлетворяет конденсатор входного фильтра ёмкостью C = 450⋅10-6 Ф. Величина пульсаций выходного напряжения преобразователя не зависит от индуктивности дросселя при выполнении условия, что ILmin > IН. Выбираем значение индуктивности [14]:
170 72 1 0,58 2 170 0, 06 103 Гн. 8380 0,58 104
Зная L = 0,06⋅10-3 Гн и IL = 100 А можно рассчитать дроссель, расчет которого в данной работе расчёт не приводится. Ток, протекающий через диод равен току потреблённому инвертором IVD= 41,8А.Обратное напряжение,прикладываемое к диоду,определяется максимальным значением напряжения питания UVDобр= 341В. Выбираем три диода 2Д2990А включенные параллельно с параметрами: Uобр = 600 В; IП = 20 А; tвост = 0,05 мкс. Максимальное напряжение, прикладываемое к транзистору UVT= 341В. Амплитуда коллекторного тока транзистора равна максимальному значению тока дросселя [12]:
Выбираем IGBT транзистор IXGE200N60B с параметрами: Uкэ= 600В; Iк= 160А; Uзэ= 20В; Iк0= 200мкА; tвкл= 60⋅10-9; tвыкл= 200⋅10-9; Qз= 350нКл; Сiss= 680пФ= 680⋅10-12Ф; Rкэ= 2,7⋅10-3Ом. Статические потери [14]:
70 Для уменьшения динамических потерь используем LCD цепь L2–VD2–C2. Индуктивность L2 рассчитаем из условий ограничения сквозного тока на уровне импульсного тока транзистора при его включении на время восстановления запирающих свойств диода VD1.
Такую индуктивность обеспечивают соединительные поэтому установка дросселя L2 не требуется. (2.2.50) провода, Так как повышающий преобразователь должен вступать в работу при отключении сети переменного тока или снижении её ниже напряжения минимально допустимого уровня, то запуск должен происходить по сигналу Uсинхс блока контроля за состоянием сети.Для управления транзисторомIGBT используем драйвер IX2127 – высоковольтный драйвер верхнего ключа IGBT транзисторов с параметрами: Voffset = 600 В; Ion/Ioff = 250 мА/450 мА; ton= 100⋅10-9c; toff= 73⋅10-9c. [8, 10, 20].Схема повышающегопреобразователя представлена на рисунке 2.7. Рисунок 2.7 – Схема повышающего преобразователя 71 Высокочастотный генератор выполнен на компараторе DA1 521СА3 и вырабатывает импульсы с частотой 10 кГц.[10]:
Делитель R1 – R2 в соотношении 2:1; R3 = 10 кОм; R4 = 10 кОм; VD4 VD5 – КД 5225; R10 принимаем 1кОм. Тогда:
72 Схема управления, блок контроля, зарядное устройство, блок выпрямителя не рассчитываются в связи с существующими готовыми решениями. |