Главная страница

Содержание. Техническое задание Введение Структура лазера Активная среда полупроводникового лазера Система накачки полупроводникового лазера Резонатор полупроводникового лазера Потери в резонаторе


Скачать 0.87 Mb.
НазваниеТехническое задание Введение Структура лазера Активная среда полупроводникового лазера Система накачки полупроводникового лазера Резонатор полупроводникового лазера Потери в резонаторе
Дата01.06.2022
Размер0.87 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файлаСодержание.docx
ТипТехническое задание
#563187
страница4 из 4
1   2   3   4
*** - в конусе с углом при вершине (30±2)°


Тип лазера

Амплитуда тока накачки, А, не более

Средняя мощность импульса лазерного излучения*, Вт, не менее

Длительность импульсов (по уровню 0,5), нс, не более

Частота повторения импульсов лазерного излучения, кГц, не более

Длина волны излучения, нм

Цена

Диапазон рабочих температур, °С

ЛД-101

12-28*

6*

150

8,0

875±75




-

ЛД-120

17-32*

10*

150

8,0

875±25




-

ИЛГН-205

-

15 

-

-

-




-

ИЛПИ-103

14,5

18 

100

-

-




-60...+70

SSP-DHS-450-S

-

30

-

-

450

17900

-10...+35

SSP-DHS-442

-

80 

-

-

442

17900

-10...+35

SSP-DHS-1850-F

-



-

10кГц-30 кГц

1850

17900

-10...+35









































































































































































Примечания:
* - мощность излучения - 6 Вт, лазерное излучение в конусе с углом при вершине (40±3)°



Тип лазера

Амплитуда тока накачки, А, не более

Средняя мощность импульса лазерного излучения*, Вт, не менее

Длительность импульсов (по уровню 0,5), нс, не более

Частота повторения импульсов лазерного излучения, кГц, не более

Длина волны излучения, нм

Цена

Диапазон рабочих температур, °С

PLM-405

2

150

-

-

405




-10...+40

SLM-632,8 

-

 50 

-

 < 1

632,8




-15...+40
























































































































































































































































































































































































































Приложение 2

(обязательное)
Параметрическая модель полупроводниковых лазеров
1   2   3   4


написать администратору сайта