Рассчет пленочных конденсаторов. Вариант 16 ПЗ6. Вариант 16 Провести расчет резисторов Сiи Сj расширителя импульсов при следующих условиях производство серийное, объем выпуска 10 000 штук, диапазон рабочих температур 2085С, время работы 3000 ч, шаг координатной сетки 1 мм, масштаб 20 16
Скачать 126.5 Kb.
|
Вариант 16 Провести расчет резисторов Сiи Сj расширителя импульсов при следующих условиях: производство серийное, объем выпуска 10 000 штук, диапазон рабочих температур 20–85С, время работы 3000 ч, шаг координатной сетки 1 мм, масштаб 20:1.
Up=13в, выбираем материал по таблице:
1. Формула емкости конденсатора S = LB – площадь взаимного перекрытия обкладок, см2; εд – относительная диэлектрическая проницаемость; d – толщина диэлектрика, см; С0 = (0,0885 εд)/d – удельная емкость, пФ/см 2. Минимальная толщина диэлектрика dmin>=k3*Up/Eпр=2.5*15/3.5*10^6=0,11 мкм Кз = 2÷3 – коэффициент запаса электрической прочности; Епр – электрическая прочность материала диэлектрика, В/мм 0,1 ≤ dmin ≤ 1 (мкм) dmin(опт) = 0,3–0,6 мкм Удельная емкость Сov=0.0885*4/0.0000107=33084 пФ/мм2 3. Суммарная относительная погрешность емкости конденсатора δС = δС0 + δS + δCt + δCст δC0 = 3÷5 % – относительная погрешность удельной емкости, которая зависит от материала и погрешности толщины; δS = ΔS/S = (ΔLB + ΔBL)/BL – относительная погрешность активной площади конденсатора; δСt = αС (Тmax–20С) – температурная погрешность; δСст = 1÷3 % – погрешность, обусловленная старением пленок конденсатора δСt = αС (Тmax–20С)=0.35*10^-4*65=22.75*10^-4=0.02275 δСст = 1÷3 %=0,01 4. Относительная погрешность активной площади конденсатора δS → min при L = В, ΔL = ΔВ = 0,03 мм δSдоп = δС – δС0 – δCt – δCст > 0 Расчет погрешностей δS2=0.1-0.03-0.22=0.048 δS3= 0.1-0.03-0.22-0.01=0.038 5. Удельная емкость , (пФ/см2) Соточн2=С2*(δSдоп/2l)2=1170*(0.048/2*0.003)2=74880 пФ/мм2 Соточн3=С3*(δSдоп/2l)2=870*(0.048/2*0.003)2=55680 пФ/мм2 Smin = 0,5×0,5 мм2 – минимальная площадь, занимаемая конденсатором, исходя из технологических ограничений С02 = min(Co Cov Coточн)=min(4000;3308;74880)=3308 пФ/мм2 С03 = min(Co Cov Coточн)=min(4000;3308;55680)=3308 пФ/мм2 6. Размеры верхней обкладки конденсатора (см2) - площадь верхней обкладки конденсатора К – эмпирический коэффициент, учитывающий краевой эффект К = 1, если С/С0 ≥ 5 мм2, К = 1,3 – 0,06 С/С0, если 1 ≤ С/С0 < 5 мм2 При Smin < S < 200 мм - округленное до числа, кратного шагу координатной сетки с учетом масштаба С2/Со= 1170/3308=0.35 С3/Со= 870/3308=0.26 K2=1.3-0.06*0.35=1.279 K3=1.3-0.06*0.26= 1.2844 S2=C2/Co*k2=1170/330840*1.279 =0. 00276 см2 S3=C3/Co*k3= 870/330840* 1.2844= 0.00204 см2 L2=B2=S20.5=0.0525см0.55мм L3=B3=S30.5= 0.045см0.50 мм Размеры нижней обкладки и диэлектрика Lн2=B=L+2*q= 0.55+2*0.1=0.75 Lн3=B=L+2*q= 0.50+2*0.1=0.70 Lд=Вд=Lн+2*f Lд2=Lн2+2f=0.75+2*0.2=1.15 мм=0.115 см Lд3=Lн3+2f=0.70+2*0.2=1.10 мм=0.110 см Площадь, занимаемая конденсатором, S2=0.115*0.115=0.013225 СМ2 S3=0.110*0.110=0.0121 CМ2 |