ЭЛРМ тесты ответы. ЭлРМ ТЕСТЫ Экзамен. Стедентов. рус.. Тесты для кристаллического состояния вещества характерны высокая пластичность высокая электропроводность

• Название: Тесты для кристаллического состояния вещества характерны высокая пластичность высокая электропроводность
• Анкор: ЭЛРМ тесты ответы
• Дата: 03.09.2022
• Размер: 266.42 Kb.
• Имя файла: ЭлРМ ТЕСТЫ Экзамен. Стедентов. рус..docx
• Тип: Тесты; #660269

ТЕСТЫ

Для кристаллического состояния вещества характерны:

высокая пластичность;

высокая электропроводность;

анизотропия свойств;

коррозионная устойчивость;

изотропия свойств.
Твердое тело, представляющее собой совокупность неориентированных относительно друг друга зерен-кристаллитов, представляет собой:

поликристалл;

текстуру;

монокристалл;

композицию;

аморфное тело.
Кристалл формируется путем правильного повторения микрочастиц (атомов, ионов, молекул) только по одной координате:

верно;

верно только для монокристаллов;

неверно;

верно только для поликристаллов;

верно только для аморфных материалов.
Для аморфных материалов характерно:

наличие фиксированной точки плавления;

наличие температурного интервала плавления;

отсутствие способности к расплавлению;

наличие анизотропий свойств;

наличие дальнего порядка.
Вещество, состоящее из атомов одного химического элемента, называется:

химически простым;

химически чистым;

химическим соединением;

комплексным соединением;

композитом.
Вещество, состоящее из однородных атомов или молекул, и содержащее некоторое количество другого вещества, не превышающее заданного значения, называется:

химически простым;

химически чистым;

химическим соединением.

комплексным соединением;

композитом.
Укажите виды точечных статических дефектов кристаллической структуры:
дислокации;

вакансии;

фононы;

фотоны;

микропузыри.
Укажите основные характеристики структуры материала:

степень упорядоченности расположения микрочастиц;

концентрация носителей заряда;

теплопроводность;

электропроводность;

фотопроводимость.
Укажите основные характеристики структуры реальных кристаллов:

теплопроводность;

наличие дефектов;

концентрация носителей заряда;

электропроводность;

фотопроводимость.
Способность некоторых твердых веществ образовывать несколько типов кристаллических структур, устойчивых при различных температурах и давлениях, называется:

полиморфизмом;

поляризацией;

анизотопией;

изотропией;

политропией.
Укажите тип связи, который обеспечивает максимальную концентрацию носителей заряда без приложения внешних энергетических воздействий:

ковалентная;

металлическая;

ионная;

водородная;

ионно-ковалентный.
В проводниках с высокой проводимостью при повышении температуры от 50 С до 100 С концентрация носителей ………;

уменьшается не линейно

увеличивается два раза

уменьшается два раза

увеличивается не линейно

не изменяется
При увеличении температуры электропроводность металлов …  

возрастает, а при высоких температурах начинает убывать

уменьшается

уменьшается, а при высоких температурах начинает возрастать

увеличивается

остаётся постоянной
Для аморфных материалов характерно:

наличие температурного интервала плавления;

наличие фиксированной точки плавления;

отсутствие способности к расплавлению;

наличие дальнего порядка;

способности полиморфизма.

Укажите виды точечных дефектов кристаллической структуры:

дислокации;

примесные атомы;
фононы;
микроскопические пузыри;

фотоны.
Специфика металлической связи состоит в…….

обобществлении электронов, которые свободно перемещаются, образуя «электронный газ».

обобществлении ионов, которые свободно перемещаются, образуя «ионный газ».

обобществлении ионов и электронов, которые свободно перемещаются, образуя «электронный газ».

обобществлении молекул, которые свободно перемещаются, образуя «электронный газ»
Металлическим кристаллам свойственна пластичность при деформациях потому что они:

Имеют локализованные связи и не разрушаются при изменении положений атомов.

Не имеют локализованных связей и не разрушаются при изменении положений атомов.

Не имеют связей и не разрушаются при изменении положений атомов.

Не имеют локализованных связей и разрушаются при изменении положений атомов.
Молекулярная связь наблюдается у веществ с:

валентным характером взаимодействия;

ионным характером взаимодействия;

ковалентным характером взаимодействия;

молекулярным характером взаимодействия;

ионно-молекулярным характером взаимодействия.
Твердые тела бывают:

кристаллические и нестекловидные;

кристаллические и аморфные;

кристаллические и полиморфные;

полиморфные и аморфные;

полиморфные и изотропные.
У кристаллов наиболее характерным является:

непериодичность структуры и неправильная геометрическая форма;

непериодичность структуры и правильная геометрическая форма;

периодичность структуры и неправильная геометрическая форма;

периодичность структуры и правильная геометрическая форма;

все ответы не правильны.
Основные кристаллические системы твердых тел являются:

клинная, моноклинная, ромбическая, гексагональная.

триклинная, моноклинная, ромбическая, гексагональная.

триклинная, клинная, ромбическая, гексагональная.

триклинная, моноклинная, ромбическая, тетрагексагональная.

ромбоэдрическая, моноклинная, ромбическая, гексагональная.
Как влияют на проводимость инородные атомы в металлах?

в малых концентрациях пропорционально снижается;

в малых концентрациях пропорционально растет;

в больших концентрациях пропорционально растет;

повышают проводимость в любых концентрациях;

все ответы не правильные.
Способностью сопротивляться внедрению в поверхностный слой другого более твердого тела обладают:
твердые материалы;
хрупкие материалы;
пластичные материалы;
жидкие материалы;

упругие материалы.
К электрическим параметрам материалов электронной техники не относятся:
электропроводность;
концентрация носителей заряда;
подвижность носителей заряда;

теплопроводность;

длина свободного пробега электронов.
ρ проводниковых материалов определяется следующими:
все верно
внутренние кристаллические напряжения;
химический состав;
фазовый состав;

геометрические размеры образца;


Что входить в композиционный проводниковый материал:
керметы;
припои;
проводящие модификации углерода;
материалы высокой проводимости;

благородные металлы.


Сплавы тугоплавких и благородных металлов где используются:
для изготовления магнитопроводов;
для изготовления электровакуумных приборов;
для изготовления шин питания;
для изготовления обмоточных проводов;

во всех используются.


Удельное поверхностное сопротивление пленочного проводника:
удельное объемное сопротивление, деленное на толщину пленки;
удельное объемное сопротивление, умноженное на толщину пленки;
равно удельному объемному сопротивлению;
не зависит от удельного объемного сопротивления;

удельному объемному сопротивлению деленное на 2.


Входящие в группу материалы высокой проводимости:
медь и алюминий;
тантал и рений;
графит и пиролитический углерод;
цинк и хром.

серебро, медь, золото


Какие вещества относят к проводникам второго рода:
твердые растворы;
электролиты;
твердые металлы;
металлические расплавы;

естественножидкие металлы.


Какое из утверждений является верным:
в качестве проводниковых материалов могут использоваться только металлические сплавы;
в качестве проводниковых материалов могут использоваться композиционные материалы.
в качестве проводниковых материалов могут использоваться только чистые металлы;

в качестве проводниковых материалов могут использоваться только металлы высокой проводимости

в качестве проводниковых материалов могут использоваться только металлы высокого сопротивления.


Какое из утверждений является верным:
при введении примесей удельное сопротивление сплава возрастает;
при введении примесей удельное сопротивление сплава падает;
удельное сопротивление сплава не зависит от его состава.

удельное сопротивление сплавов всегда ниже, чем чистых металлов состоящий сплав;

верно и .


Контактное сопротивление тем ниже:
чем меньше разность между энергией Ферми сопрягаемых проводников;
контактное сопротивление не зависит от энергии Ферми сопрягаемых проводников;
разница работа выхода электронов должен быть существенный;
чем больше разность между энергией Ферми сопрягаемых проводников;

все утверждения не верны.


Термоэлектродвижущая сила чистых металлов существенно меньше, чем термоэлектродвижущая сила сплавов:
неверно;
верно;
верно в отдельных случаях;

зависит от линейного размера;

все ответы не верны.


Значение удельного объемного сопротивления для проводниковых материалов характерно:
ρ<10^-5 Ом·м;
ρ>10^-5 Ом·м;
ρ<10¹⁰ Ом·м;
ρ<10^-10 Ом·м;

ρ=0.


Какие металлы для сплавов высокого сопротивления являются основами:
олово и свинец;
медь и алюминий;
хром и никель;
золото и платина;

вольфрам и молибден.


Для изготовления ……..используются резистивные материалы на основе кремния (силициды):
пленочных сопротивлений;
проволочных сопротивлений;
нагревательных элементов;
термопар;

печатных плат.


Для изготовления ………. используются сплавы высокого сопротивления:
технических сопротивлений;
прецизионных сопротивлений;
нагревательных элементов;
пленочных сопротивлений;

все ответы верны.


Температурный коэффициент удельного сопротивления резистивного материала, использующегося для изготовления прецизионного сопротивления:
должен быть минимальным;
должен быть максимальным;
не учитывается при выборе материала.

выбирается в зависимости от назначения.

не корректное утверждение.

Какое из утверждений является верным:
в качестве резистивных материалов не могут использоваться химически простые (элементарные) материалы;
наиболее технологичными резистивными материалами являются керметы;
в качестве резистивных материалов могут использоваться только сплавы;

в качестве резистивных материалов могут использоваться металлы;

наиболее технологичными резистивными материалами являютсясплавы;
В проводниковом материале увеличение внутренних кристаллических напряжений:
приводит к увеличению удельного объемного сопротивления;
не влияет на удельное объемное сопротивление.
приводит к уменьшению удельного объемного сопротивления;

приводит к не равномерному сопротивлению по сечению;
вопрос не корректный.
Какое из утверждений является не верным:
пленочный и крупногабаритный образцы, изготовленные из одного проводникового материала, обладают равным удельным сопротивлением.
различие удельного сопротивления пленочного и крупногабаритного образцов, изготовленных из одного проводникового материала,  обусловлено размерным эффектом;
пленочный и крупногабаритный образцы, изготовленные из одного проводникового материала, обладают не равным удельным сопротивлением.

различие удельного сопротивления пленочного и крупногабаритного образцов, изготовленных из одного проводникового материала, связаны с различиями способов их получения;
не все утверждение верны.


К основным параметрам проводниковых материалов относятся:
сила тока, напряжение, сопротивление, термо-ЭДС;
удельная электропроводность, температурный коэффициент удельного сопротивления, предел прочности при растяжении;
пластичность, магнитная проницаемость, свариваемость;
контактная разность потенциалов, предел прочности, твердость;

ТермоЭДС, плотность, температурный коэффициент термического расширения, теплопроводность.
Какой металл не относится к тугоплавким проводниковым материалом:

Железо

Молибден

Тантал

Вольфрам

Титан
Собственный полупроводник - это ………..

полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре;

полупроводник, в котором преобладает в кремний влияние примесей V группы при данной температуре;

полупроводник, в котором преобладает в кремний влияние элементов III группы при данной температуре;

полупроводник, в котором преобладает влиянием электронных носителей при данной температуре;

полупроводник, в котором преобладает влиянием дырочных носителей при данной температуре;
Примесный полупроводник – это ……
полупроводник, в котором преобладает влиянием на кремний элементов V группы;

полупроводник, в котором преобладает влияния примесей при данной температуре;

полупроводник, в котором преобладает влиянием на кремний элементов III группы;

полупроводник, в котором преобладает влиянием электронных или донорных носителей при данной температуре;

все ответы верны.
В собственном полупроводнике – выполняется ……

равенство концентраций электронов (n_i ) и дырок (p_i);

зависимости влияния внешних факторов;

не равенство концентраций электронов (n_i ) и дырок (p_i);

преобладание концентраций электронов (n_i );

преобладание концентраций дырок (p_i);
Какие элементы создают в кремний электронную проводимость?

алюминий, бор, галлий

мышьяк, сурьма, фосфор

индий, мышяк, фосфор

алюминий, бор, фосфор

все ответы верны
Какие элементы создают в кремний дырочную проводимость?

мышьяк, сурьма, фосфор

алюминий, бор, галлий

индий, мышяк, фосфор

алюминий, бор, фосфор

все ответы верны
Какие элементы по отношению к германию являются донорами

мышьяк, сурьма, фосфор

алюминий, бор, галлий

индий, мышяк, фосфор

алюминий, бор, фосфор

все ответы верны
Какие элементы по отношению к германию являются акцепторами

мышьяк, сурьма, фосфор

алюминий, бор, галлий

индий, мышяк, фосфор

алюминий, бор, фосфор

все ответы верны
Кривой изменение концентрации вырожденного полупроводника
3-8-9

2-5 и 1-4

4-6 и 5-7

6-7-8

7-8-9
Какой кривой изменение концентрации не относится к не вырожденному полупроводнику

6-7-8

2-5 и 1-4

4-6 и 5-7

3-8-9

7-8-9
Участок кривой изменение концентрации связанные с ионизацией примесных атомов

2-5 и 1-4

3-8 и 5-7

4-6 и 5-7

6-7, 7-8 и 8-9

6-7-8-9
Кривой изменение концентрации связанные с ионизацией примесных атомов донора

3-8-9

2-5 и 1-4

4-6 и 5-7

6-7-8

7-8-9
Кривой изменение концентрации связанные с ионизацией валентных электронов

6-9

3-8-9

4-6 и 5-7

6-7-8

7-8-9
В кривой какие участки характеризует область истощения примеси



6-9

4-6 и 5-7

3-8-9

6-7-8

7-8-9
Подвижность носителей заряда – это ……

коэффициент пропорциональности между средней дрейфовой скорости носителей заряда и напряженности электрического поля

коэффициент пропорциональности между средней диффузионной скорости носителей заряда и напряженности электрического поля

коэффициент пропорциональности между током и напряжением

коэффициент пропорциональности между средней теплофой скорости носителей заряда и напряженности электрического поля

коэффициент пропорциональности между средней длиной свободного пробега электронов и напряженности электрического поля
Ширина запрещенной зоны полупроводника

2kT< E_g< 6 эВ

2kT < E_g< 3 эВ

2kT < E_g< 6 эВ

3< E_g

3эВ< E_g< 16 эВ
Единицы энергии электронвольта

1 эВ = 1,6‧10^-19 Дж.

1 эВ = 2,65‧10^-16 Дж.

1 эВ = 1,43‧10^-21 Дж.

1 эВ = 1,6‧10^-20 Кл.

1 эВ = 1,6‧10^-16 Кл.
Величина заряда электрона

2,65‧10^-16 Дж.

1,6‧10^-19 Дж.

1,43‧10^-21 Дж.

1,6‧10^-20 Кл.

1,6‧10^-16 Кл.
Уровень Ферми

максимальное значение энергии электрона при 0 К

максимальное значение энергии электрона при 0 °С

максимальное значение энергии электрона при 100 К

максимальное значение энергии электрона при 100 С°

энергия ионизации атомов донора или акцептора
соотношение «действующих масс» для носителей заряда

n₀p₀ = 2n_i

n₀p₀ = n_i²

n₀p₀ = 2n_i²

n₀p₀ = 2n_i²-1

n₀p₀ =1+ n_i²
Положение уровня Ферми при 0К в электронном полупроводнике

в середине запрещенной зоны

в середине между уровнями донора и дна зоны проводимости

на уровне донора

на уровне акцептора

в зоне проводимости
Положение уровня Ферми при полной ионизации атомов доноров

в середине запрещенной зоны

в середине между уровнями донора и зоны проводимости

на уровне донора

на уровне акцептора

в зоне проводимости
Положение уровня Ферми в вырожденном полупроводнике

в зоне проводимости

в середине запрещенной зоны

на уровне донора

на уровне акцептора

в середине между уровнями донора и зоны проводимости
Ток в собственном полупроводнике

J = en₀μ_nE + ep₀μ_pE

J = enμ_nE + epμ_pE

J = en₀v_nE + ep₀v_pE

J = en₀ε_nE + ep₀ε_pE

J = en₀²μ_nE
Участок кривых проводимости в примесном полупроднике связанные с ионизацией атомов доноров

2-3 и 5-6

1-2 и 4-5

3-9

7-8

3-6 и 6-8
Участок кривых проводимости в примесном полупроднике связанные с полной ионизацией атомов доноров

3-9

2-3, 5-6, 7-8

7-8

1-2 и 4-5

3-6 и 6-8
Участок кривых проводимости в примесном полупроднике связанные с ионизацией атомов полупродника

3-9

2-3 и 5-6

1-2 и 4-5

7-8

1-2-3-9
Участок кривых проводимости в примесном полупроднике связанные с взаимодействием электронов с кристал. решеткой

4-5 и 5-6

7-8, 2-3, 5-6

1-2 и 4-5

3-9

1-2-3-9
Участок кривых проводимости в примесном вырожденном полупроднике

7-8

2-3 и 5-6

1-2 и 4-5

3-9

1-2-3-9
Вырожденный полупроводник – это полупроводник с …….

высокой концентрацией примесей, где проявляются в основном свойства примеси.

высокой концентрацией примесей, где проявляются в основном свойства полупроводника.

низкой концентрацией примесей, где проявляются в основном свойства примеси.

низкой концентрацией примесей, где проявляются в основном свойства полупроводника.

низкой концентрацией донорной и акцепторной примесей.
Уровень Ферми в вырожденном полупроднике

находится выше середины запрещенной зоны

находится в зоне проводимости

находится ниже середины запрещенной зоны

находится в середине запрещенной зоны

находится под уровнем донорной примеси

Что влияет на фотопроводимость полупроводников?

оптические излучения

оптические и рентгеновские излучения

только рентгеновские излучения

магнитное поле

электрическое поле
Что влияет на проводимость полупроводников?

все ответы верны

оптические и рентгеновские излучения

температура

магнитное поле

электрическое поле
Какой переход связаны с примесным поглощением электромагнитного излучения

1

2 и 3

5

4

6
Какой переход связаны с собственным поглощением электромагнитного излучения

1

2 и 3

5

4

6
Какой переход связаны с экситонным поглощением электромагнитного излучения

2 и 3

1

5

4

6
Какой переход связаны с внутрицентровым поглощением электромагнитного излучения

2 и 3

1

5

4

6
Какой переход связаны с поглощением электромагнитного излучения свободными носителями

2 и 3

1

5

4

6
Какой переход определяет фотопроводимость при поглощений электромагнитного излучения полупроводником

1, 2, 3

2, 3, 4

6

4, 5

2, 3, 4, 5
Какой ответ не верны? Люминесценция – это …….

излучение связанное с эмиссией электронов

холодное свечение

нетепловое свечение вещества

свечение вещества, связанное с преобразованием поглощаемой энергии в световое излучение

излучение с длительность10⁻¹⁰ секунд и больше
Какой тип люминесценции не существует?

фотолюминесценция

теплолюминесценция

электролюминесценция

хемилюминесценция

катодолюминесценция
Принцип работы какого эффекта показан на рисунке
Эффект Зеебека

Эффект Пельте

Эффект Ганна

Эффект Холла

Эффект Томсона
Принцип работы какого эффекта показан на рисунке

Эффект Пельте

Эффект Зеебека

Эффект Ганна

Эффект Холла

Эффект Томсона
Принцип работы какого эффекта показан на рисунке
Эффект Холла

Эффект Зеебека

Эффект Ганна

Эффект Пельте

Эффект Томсона
Принцип работы какого эффекта показан на рисунке

Эффект Зеебека

Эффект Ганна

Эффект Холла

Эффект Пельте

Эффект Томсона
У какого материала эффект ганна обнаружена впервые?

Ge

GaAs

Se

Si

СdTe
Самый широко распространенный полупроводник применяемый для создания полупроводниковых приборов

Ge

Si

Se

GaAs

СdTe
У какого полупродника ширина запрещенной зоны составляет 1,12 эВ?

Si

Ge

Se

GaAs

СdTe
У какого полупродника ширина запрещенной зоны составляет 0,665 эВ?

Si

Ge

Se

GaAs

СdTe
У какого полупродника ширина запрещенной зоны составляет около 3 эВ?

Si

SiC

Se

GaAs

СdTe
Какой полупроводник не относится к типу А^IIIВ^V?

SiC

InAs

GaAs

InSb

AlSb
Какой полупроводник не относится к типу А^IIВ^VI?

CdS,

GaAs,

ZnSe,

HgS,

HgSe
Какой полупроводник не относится к типу А^IVВ^VI?

PbS,

AlSb,

PbSe,

PbTe,

SnTe.
Удельное электрическое сопротивление диэлектрических материалов

10– 10⁶ Ом‧м

10⁶ – 10¹⁶ Ом‧м

10^-5 – 10² Ом‧м

10² – 10⁶ Ом‧м

10^-2 – 10¹² Ом‧м
Ширина запрещенной зоны диэлектрических материалов

E_g>3эВ

E_g< 3 эВ

2 эВ g> 6 эВ

0,5 эВ g> 4эВ

2kTg> 3 эВ
П о л я р и з а ц и я диэлектриков– это

все ответы верны

с ограниченным смещением связанных зарядов в диэлектрике воздействием внешних сил

явление, связанное поворотом электрических диполей в диэлектрике воздействием внешних сил

явление смещение зарядов в электростатическом поле

состояние диэлектрика, характеризующееся наличием электрического момента у любого элемента объемавоздействием внешних сил
Какой тип поляризации в диэлектрическом материале приведен на рисунке

Ионная поляризация

Электронная поляризация

Ионно-релаксационная поляризация

Электронно - релаксационная поляризация

Самопроизвольная поляризация (спонтанная)
Какой тип поляризации в диэлектрическом материале приведен на рисунке

Самопроизвольная поляризация (спонтанная)

Ионная поляризация

Ионно-релаксационная поляризация

Электронно - релаксационная поляризация

Электронная поляризация
Какой тип поляризации в диэлектрическом материале приведен на рисунке

Ионная поляризация

Ионно-релаксационная поляризация

Самопроизвольная поляризация (спонтанная)

Электронно - релаксационная поляризация

Электронная поляризация
Какой тип поляризации в диэлектрическом материале приведен на рисунке

Ионная поляризация

Ионно-релаксационная поляризация

Самопроизвольная поляризация (спонтанная)

Электронно - релаксационная поляризация

Электронная поляризация
Какой тип поляризации в диэлектрическом материале приведен на рисунке
Ионно-релаксационная поляризация

Миграционная поляризация

Самопроизвольная поляризация (спонтанная)

Электронно - релаксационная поляризация

Электронная поляризация
Сопротивление диэлектрического материала определяется по формуле –

R_из= U / I_скв

R_из= U / I_утечки

R_из= U / I_смещ.

R_из = U / I_абс.

R_из = U / I_диф.
Диэлектрики обладающие спонтанной поляризацией, направление изменяется с помощью внешнего электрического поля

сегнетоэлектрики

пьезоэлектрики

пироэлектрики

электреты

жидкие кристаллы
Диэлектрики обладающий поляризацией под действием механических напряжений

сегнетоэлектрики

пьезоэлектрики

пироэлектрики

электреты

жидкие кристаллы
Диэлектрики обладающий свойствами изменение спонтанной поляризованности P_спон при изменении температуры T

сегнетоэлектрики

пироэлектрики

пьезоэлектрики

электреты

жидкие кристаллы
Диэлектрики, длительно сохраняющие поляризацию и создающие в связи с этим электрическое поле в окружающем пространстве

электреты

сегнетоэлектрики

пьезоэлектрики

пироэлектрики

жидкие кристаллы
Диэлектрики, обладаяющие текучестью и имеющие анизотропию оптических свойств

сегнетоэлектрики

пьезоэлектрики

жидкие кристаллы

пироэлектрики

электреты
Какой тип магнитного материала не существует

антиферромагнитные

парамагнитные

ферримагнитные

антиферромагнитные

диамагнитные
Магнитные материалы, которые намагничиваются противоположно приложенному полю и ослабляют его

диамагнитные

парамагнитные

ферримагнитные

антиферромагнитные

ферримагнитные
Магнитные материалы, которые имеютk_м> 0 (от 10^–2до 10^–5) слабо намагничиваются внешним магнитным полем

парамагнитные

диамагнитные

ферромагнитные

антиферромагнитные

ферримагнитные
Магнитные материалы, между атомами которых возникает обменное взаимодействие.

ферромагнитные

диамагнитные

парамагнитные

антиферромагнитные

ферримагнитные
Магнитные материалы, в которых во время обменного взаимодействия соседних атомов происходит антипараллельная ориентация их магнитных моментов

антиферромагнитные

диамагнитные

парамагнитные

ферромагнитные

ферримагнитные
Магнитные материалы, в которых обменное взаимодействие осуществляется через немагнитный ион кислорода

ферримагнитные

диамагнитные

парамагнитные

ферромагнитные

антиферромагнитные
Какие материалы относятся к слабомагнитным материалам 1. Диамагнетики, 2. Парамагнетики, 3. Ферромагнетики, 4. Антиферромагнетики,5. Ферримагнетики

1, 2, 4

1, 2, 3

2, 3

4, 3, 5

3, 5
Какие материалы относятся к сильномагнитным материалам 1. Диамагнетики, 2. Парамагнетики, 3. Ферромагнетики, 4. Антиферромагнетики,5. Ферримагнетики

3, 5

1, 2, 3

2, 3

4, 3, 5

1, 2, 4
Какой магнитный материал не относится к магнитомягким материалам?

железо-алюминий-никель

кремнистое железо

железо чистое

оксидные ферромагнетики

техническое железо
Какой магнитный материал не относится к магнитотвердым материалам?

Fe-Si

Fe—Ni—Al

Fe—Ni—Co—Al

BaO^.6Fe₂O₃

CoO^‧6Fe₂O₃
К магнитотвердым материалам не относится?

Fe – Ni - Al

FeSi

Fe

оксидные ферромагнетики

Fe_техн.