Задача по схемотехники полевого транзистора. Задача По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.

Название	Задача По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока.
Анкор	Задача по схемотехники полевого транзистора
Дата	30.08.2021
Размер	0.54 Mb.
Формат файла
Имя файла	file_672_Dij9QT045m.docx
Тип	Задача #228351

Задача 1.

По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 1) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.

Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Исходные данные:

Решение.

Приведены выходные характеристики полевого транзистора с р-каналом типа КП303В (рисунок 1.1). Построим характеристику прямой передачи и определим параметры при напряжении сток-исток U_СИ0=7 В. Напряжение отсечки транзистора U_ЗИ0=-3,2 В.

Рисунок 1.1

Для построения характеристики прямой передачи определяем ток стока при U_ЗИ=0 В; -0,4В; -0,8B; -1,2B; -1,6B; -2,0B; -2,4B; -3,2B (рисунок 1.1). Результаты заносим в таблицу 1.1.

Таблица 1.1

U_ЗИ, В	0	-0,4	-0,8	-1,2	-1,6	-2,0	-2,4	-3,2
I_C, мА	4,7	3,75	2,8	1,9	1,25	0,7	0,3	0

По полученным результатам строим характеристику прямой передачи (рисунок 1.2).

Рисунок 1.2

По выходным характеристикам определяем крутизну в 6-8 точках и строим её зависимость от напряжении на затворе. В нашем примере сначала находим крутизну при напряжении на затворе U_ЗИ=-0,2 В. Для этого, относительно этой точки берем приращение напряжения  U_ЗИ=0,2 В. Определяем токи при напряжениях U _ЗИ=0 В и U _ЗИ=-0,4 В. Они равны соответственно I _С=4,7 мА и I _С=3,75 мА (рисунок 1.1). Затем вычисляем крутизну. Аналогично проделываем эту операцию для U_ЗИ=-0,6В; -1,0В; -1,4В; -1,8В; -2,2В; -3,2В. Результаты вычислений заносим в таблицу 1.2. Строим график S=f(U_ЗИ) (рисунок 1.3)

Таблица 1.2

U_ЗИ, В	-0,2	-0,6	-1,0	-1,4	-1,8	-2,2	-3,2
I_C, мА	0,95	0,95	0,9	0,65	0,55	0,4	0
S, мА В	2,375	2,375	2,25	1,625	1,375	1	0

Для определения выходного сопротивления R_i задаемся приращением  U_СИ=2В относительно напряжения U_СИ= 7 В (рисунок 1.4) т.е.  U_СИ=4В. Определяем приращение тока  I_C стока при напряжении на затворе 0 В, вычисляем значение. Результат заносим в таблицу 1.3. Аналогично проделываем для U_ЗИ=0В;-0,4B; -0,8B; -1,2B; -1,6B; -2,0B; -2,4B. На рисунке 1.3 cтроим зависимость R_i=f(U_ЗИ).

Таблица 1.3

U_ЗИ, В	0	-0,4	-0,8	-1,2	-1,6	-2,0	-2,4
 I_С, мА	1,8	1,1	0,6	0,36	0,2	0,14	0,1
R_i, кОм	2,22	3.64	6,67	11,1	20	28,57	40
S,мА В	2,4	2,375	2,325	2,05	1,65	1,25	0,85
	5,328	8,645	15,508	22,755	33	35,71	34

Рисунок 1.3

Из рисунка 1.3 определяем значение крутизны для тех же величин U_ЗИ, что и R_i. Результат так же заносим в таблицу 1.3.В заключении определяем коэффициент усиления транзистора  = S R_i. Результат так же заносим в таблицу 1.3 и строим зависимость  =f(U_ЗИ) (рисунок 1.3).

Рисунок 1.4

Вывод. Из рисунка 1.3, где отображены функции основных параметров транзистора, получаем, что для задания режима работы транзистора необходимо подать на вход транзистора необходимое напряжение Uзи.