ФОЭ задачи. Задание 1 в полупроводнике nтипа концентрация атомов донорной примеси составляет nд1017 см3, т 300 К. Определить Удельное сопротивление полупроводника n и его отношение к удельному сопротивлению собственного полупроводника ni Исходные данные Материал полупроводника Ge.
 Скачать 73.1 Kb.
|
|
Задание 1 В полупроводнике n-типа концентрация атомов донорной примеси составляет NД=1017 см-3, Т = 300 К. Определить: Удельное сопротивление полупроводника ρn и его отношение к удельному сопротивлению собственного полупроводника ρn/ρi Исходные данные: Материал полупроводника - Ge. Задание 2 Отношение ширины участков резкого p-n-перехода, лежащих в n- и р-областях ∆n/∆p=0,1. Удельная электрическая проводимость р-области σр=10 См/см, T=300 К Определить: Контактную разность потенциалов ϕко и ширину перехода ∆0 в равновесном состоянии (u=0) Исходные данные: - Материал полупроводника Si; - Диффузионная длина электронов Ln, см = 0,015; - Диффузионная длина дырок Lp, см = 0,01; - Площадь перехода S, см2 = 0,004. Задание 3 Полевой транзистор с каналом n-типа, включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Задано напряжение Uси. Определить: Рассчитать и построить на графике управляющую характеристики транзистора iс = f (Uзи ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи, соответствующем изменению тока iс = 0…20 мА. Исходные данные: - Удельная крутизна b, мА/В2 = 9,0; - Пороговое напряжение Uпор, В = 5,0; - Напряжение между электродами Uси, В = 6,0;  |