электроника. 1_Прак_зан_Расчет_и_изучение_фоторезисторов. Занятие расчет и изучение параметров и характеристик

• Название: Занятие расчет и изучение параметров и характеристик
• Анкор: электроника
• Дата: 03.05.2022
• Размер: 0.63 Mb.
• Имя файла: 1_Прак_зан_Расчет_и_изучение_фоторезисторов.doc
• Тип: Занятие; #508539
• страница: 6 из 8

Рисунок Б.2 – Внешний вид и размеры различных типов фоторезисторов Фоторезисторы характеризуются следующими параметрами (см.

табл. Б.2): - темновым сопротивлением Rт- активным сопротивлением при полном отсутствии освещения. В таблице приведены средние зна- чения, определенные (кроме Iт) при освещенности 200 лк. У некоторых
типов фоторезисторов темновое сопротивление может иметь значи- тельный разброс; - кратностью изменения сопротивления R_т/R_св, пара- метром, показывающим отношение темнового сопротивления к сопро- тивлению при освещенном состоянии. Это один из важнейших парамет- ров, характеризующий чувствительность фоторезистора.
Таблица Б.2 – Параметры фоторезисторов

№	Тип ФР	Uраб, В	Rт, ом.	Iт, мка	Iсв, мка	dI=Iсв- Iт, мка	Rт/Rсв	Удельная чувств., мка/лм-в	Интегр. чувств., а/лм	Мощность рассеяния, Вт
1	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
1	ФСА-0	4-100	40*103- 106	-	-	-	1,2	500	-	0,01
2	ФСА-1	4-100	40*103- 106	-	-	-	1,2	500	-	0,01
3	ФСА-Г1	4-40	47*103- 470*103	-	-	-	1,2	500	-	0,01
4	ФСА-Г2	4-40	40*103- 106	-	-	-	1,2	500	-	0,01
5	ФСА-6	5-30	50- 300*103	-	-	-	1,2	500	-	0,01
6	ФСК-0	50	5*106	10	2000	1990	200	7000	1,4	0,125
7	ФСК-1	50	5*106	10	2000	1990	200	7000	1,4	0,125
8	ФСК-2	100	10*106	10	800	790	80	1500	-	0,125
9	ФСК-4	50	5*106	10	2000	1990	200	7000	1,4	0,125
10	ФСК-5	50	5*106	10	1000	1990	100	6000	1,2	0,05
11	ФСК-6	50	3,3*106	15	2000	1885	-	9000	1,8	0,2
12	ФСК-7а	50	106	50	350	300	-	1500	-	0,35
13	ФСК-7б	50	105	50	800	750	-	6000	1,2	0,35
14	ФСК-Г7	50	5*106	10	2000	1990	200	3500	0,7	0,35
15	ФСК-Г1	50	5*106	10	1500	1490	150	6000	1,2	0,12
16	ФСК-Г2	50	5*106	10	4000	3990	400	12000	2,4	0,2
17	ФСК-П1	100	1010	0,01	1000- 2000	1000- 2000	-	4000	-	0,1
18	СФ2-1	15	30*106	0,5	1000	1000	2000	400000	-	0,01
19	СФ2-2	2(10)	4*106	0,5	1500	1500	3000	75000	-	0,05
20	СФ2-4	15	-	1,0	>750	-	-	-	-	0,01
21	СФ2-9	25	>3,3*106	-	240- 900	-	-	-	-	0,125

22	СФ2-12	15	>15*106	-	200- 1200	-	-	-	-	0,01
23	ФСД-0	20	20*108	1	2000	2000	2000	40000	-	0,05
24	ФСД-1	20	20*106	1	2000	2000	2000	40000	-	0,05
25	ФСД-Г1	20	20*106	1	2000	2000	2000	40000	-	0,05
26	СФ3-1	15	15*108	0.01	1500	1500	150000	600000	-	0,01
27	СФ3-8	25	-	<1	750	-	-	-	-	0,025

С увеличением освещенности кратность возрастает по линейному закону, с уменьшением - снижается. Наименьшей чувствительностью обладают сернисто-свинцовые фоторезисторы, у которых кратность при освещенности 200 лк не ниже 1,2. У остальных типов фоторезисторов чувствительность значительно выше; - рабочим напряжением, под кото- рым понимается напряжение, гарантирующее продолжительную работу фоторезистора. При работе в импульсном режиме у сернисто- кадмиевых и селенисто-кадмиевых фоторезисторов допустимое напря- жение может в 2-3 раза превышать рабочее. У сернисто-свинцовых фо- торезисторов рабочее напряжение можно принять равным 0,1 Rт, где Rт в килоОмах; - допустимой мощностью рассеяния, позволяющей дли-

тельную эксплуатацию фоторезистора при +20⁰С в окружающей среде

без опасности появления необратимых изменений в светочувствитель- ном слое; - спектральными характеристиками, показывающими, в какой части спектра фоторезистор имеет наибольшую чувствительность. При- мерные спектральные характеристики показаны рис. Б.3.

Как видно из этих характеристик, фоторезисторы с сернисто- кадмиевым светочувствительным элементом имеют максимальную чув- ствительность в видимой части спектра, фоторезисторы, выполненные на основе селенистого кадмия, наиболее чувствительны к красной и ин- фракрасной части спектра, а сернисто-свинцовые фоторезисторы имеют максимум чувствительности в инфракрасной, области спектра.