электроника. 1_Прак_зан_Расчет_и_изучение_фоторезисторов. Занятие расчет и изучение параметров и характеристик

• Название: Занятие расчет и изучение параметров и характеристик
• Анкор: электроника
• Дата: 03.05.2022
• Размер: 0.63 Mb.
• Имя файла: 1_Прак_зан_Расчет_и_изучение_фоторезисторов.doc
• Тип: Занятие; #508539
• страница: 3 из 8

Порядок выполнения работы

1. 
   Рассчитать параметры фоторезистора ФСК-1, используемого в схеме, изображенной на рисунке 3. Световая характеристика фоторези- стора изображена на рисунке 4. Напряжение источника питания Е = 50 В, сопротивление резистора нагрузки R_н = 10 кОм, максимально допустимая мощность, рассеиваемая фоторезистором Р_max из таблицы Б.2 (для своего варианта – по номеру в журнале), площадь светочувствительной поверх- ности П = 0,3 см².
   
2. 
   Определить:
   

- удельную чувствительность, если освещенность Е_v = 800 лк;

• 
  световой поток Ф, при котором падение напряжения на фоторези- сторе U_ф = 25 В;
  
• 
  мощность Р_ф, рассеиваемую фоторезистором в этом случае;
  

• 
  минимальное значение сопротивления резистора нагрузки R_{н min}, при котором мощность рассеиваемая фоторезистором не превышает предельно допустимую, если значение светового потока Ф = 0,03 лм.
  

R_н
ФСК -1 _Rф
E
Рисунок 3 – Схема включения фоторезистора

Рисунок 4 - Световая характеристика фоторезистора ФСК - 1

2. 
   Методические указания
   
   1. 
      Определение удельной чувствительности. I находим из графи- ка на рис. 4 по заданному значению Е_v. Далее определяем падение напряжения U_ф на фоторезисторе
      

U_ф = E – U_н = E – IR_н.

По полученным данным определяем удельную чувствительность

^S IEуд ^{= S} IE^/Uф^.

2. 
   Определяем световой поток Ф, при котором падение напряжения на фоторезисторе U_ф = 25В. Данные будем брать из графика на рис. 4.
   

Найдем ток в цепи с фоторезистором (рис.3)
I = U_н/R_н = (E – U_ф)/R_н

Из графика на рис. 4, по найденному значению тока I, определяем

Е_v и, соответственно искомое значение светового потока Ф

Ф = E_vП.

3. 
   Определяем мощность Р_ф, рассеиваемую фоторезистором при падении напряжения на фоторезисторе U_ф = 25 В
   

Р_ф = I²R_ф,

где

R_ф = U_ф/I . I берем из предыдущего задания.

4. 
   Определяем минимальное значение сопротивления резистора
   

нагрузки R_{н min}, при котором мощность рассеиваемая фоторезистором не превышает предельно допустимую, если значение светового потока Ф = 0,03 лм.

Зная Ф найдем

^Rн min ^{= P}max^/I2
E_v = Ф/П

По полученному значению E_v из графика на рис.4 найдем I и рас- считаем искомое значение R_{н min}.

2.