эп.кв. 1. Какой полупроводниковый прибор называется биполярным транзистором
 Скачать 180.85 Kb.
|
|
1.Какой полупроводниковый прибор называется биполярным транзистором? Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный прибор с одним или несколькими электрическими переходами и двумя выводами для подключения к внешней цепи. 2. Какие виды электрических переходов используются в полупроводниковых диодах? Электрический переход – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом). В зависимости от функционального назначения, уровня требуемых электрических параметров в диодах используются следующие типы выпрямляющих и омических электрических переходов. Выпрямляющий переход – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом. Омический переход – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов. Электронно-дырочный переход (p-n-переход) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа. Гетерогенный переход (гетеропереход) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Гомогенный переход (гомопереход) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны. Переход Шотки – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником. Электронно-электронный переход (n-n + -переход) – электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости. Дырочно-дырочный переход (p-p + -переход) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости. Знак «+» условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью. 3. Какие явления происходят в p-n-переходе в состоянии динамического равновесия? Диффузия основных носителей p- и n-областей в противоположную область приводит к возникновению вблизи границы объемных электрических зарядов – положительного в n-области и отрицательного в p-области. Эти заряды обусловлены появлением нескомпенсированных ионизированных атомов донорной примеси (положительные неподвижные заряды) в n-области и нескомпенсированных ионизированных атомов акцепторной примеси (отрицательные неподвижные заряды) в p-области. Между нескомпенсированными зарядами в n- и p-областях возникает электрическое поле напряженностью E , называемое внутренним, и контактная разность потенциалов.. Электрическое поле препятствует дальнейшей диффузии носителей заряда через переход, при этом возникает потенциальный энергетический барьер для основных носителей. Вектор напряженности внутреннего электрического поля в p-n-переходе направлен от n-области к p-области. Поэтому возникшее электрическое поле вызывает дрейфовый перенос носителей из области, где они являются неосновными, в ту область, где они становятся основными носителями. Электроны дрейфуют из p-области в n-область, а дырки – наоборот. 4. Как необходимо изменить концентрацию легирующих примесей для уменьшения ширины p-n-перехода?  5. Нарисуйте график зависимости барьерной емкости p-n-перехода от обратного напряжения.  |