РГЗ 1 Сигналы Веселков. Федеральное агентство связи Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
 Скачать 382.24 Kb.
|
|
Федеральное агентство связи Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики Кафедра РТС Практическое задание «Амплитудная модуляция» Вариант №3 Выполнил: студент 2 курса МТС группы МИ-87 Веселков В.К. Проверил: Сидельников Г. М. Новосибирск 2020 Задание 1: К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение:  Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом:  Где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток; u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение. Таблица 1. Исходные данные
Решение:   Задание 2: Ток в полупроводниковом диоде i связан с приложенным напряжением U кусочно-линейной зависимостью:  где S – крутизна, U0 - напряжение отсечки. Найдите постоянную составляющую тока I0, амплитуду первой, второй и третьей гармоник протекающего тока (Im1, Im2, Im3) для входного воздействия в виде напряжения: Uвх(t) = E + Um cos ωot где Е – напряжение смещения, Um – амплитуда. Постройте спектральную диаграмму протекающего тока и укажите, какие спектральные составляющие следует выделять параллельным колебательным контуром для получения умножения частоты в два и три раза. Таблица 1. Исходные данные.
  Для получения умножения частоты в два и три раза следует выделять вторую и третью спектральную составляющую соответственно.Задание 3 На вход модулятора на полевом транзисторе с вольтамперной характеристикой вида: i=a0+a1u+a2u2 подано напряжение  Выходной контур модулятора настроен на частоту  и имеет полосу пропускания  (на уровне 0,707 от максимума).В соответствии с исходными данными таблицы 3: Изобразить схему модулятора на полевом транзисторе; Вывести в общем виде уравнение для тока, питающего выходной контур модулятора (влиянием сопротивления контура на величину тока пренебречь); Записать выражение для амплитудно-модулированного сигнала (по току). Определить глубину модуляции m; Определить глубину модуляции по напряжению с учетом влияния колебательного контура; Рассчитать и построить статическую модуляционную характеристику при изменении смещения от 0 до Emax (Emax – значение смещения, при котором Im1 обращается в ноль); Определить по построенной модуляционной характеристике режим модулятора и сравнить с заданным режимом. Таблица 1. Исходные данные.
   |
