7№Исследование биполярного транзистора. (3). Исследование биполярного транзистора цель работы
 Скачать 66.21 Kb.
|
Лабораторная работа №1. Исследование биполярного транзистораЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучение характеристик и параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Исследование характеристик биполярного транзистораа) собрать схему с ОЭ (рис. 4.1) для снятия статических характери- стик. Снять семейство входных характеристик, Iб f(Uбэ) при напря- жениях Uкэ: 1) 0В; 2) 5В. Построить полученные характеристики. б) снять семейство выходных характеристик Iк f(Uкэ)при то- ках базы Iб: 1) 50мкА; 2) 100мкА; 3) 150мкА; 4) 200мкА; 4) 250мкА. Построить полученные характеристики.  Рис. 4.1 в) собрать схему для снятия ВАХ транзистора BC639 с исполь- зованием инструмента IV ANALYZER; снять семейство ВАХ транзи- стора в диапазоне изменения тока базы, указанным в п.4.1,б; полу- ченные характеристики сохраните; г) используя полученные характеристики рассчитайте входное сопротивление транзистора rвх, коэффициент передачи тока базы , сопротивление обратносмещенного коллекторного перехода rк(э). Исследование режимов работы биполярного транзистораа) собрать схему, изображенную на рие.4.2. Изменяя положение движка потенциометра R1 от 0 до 100%, определить положение, при ко- тором в диаграмме тока коллектора наблюдается ограничение амплиту- ды полуволны синусоиды. Обозначить данное значение движка рези- стора буквой N; Установите произвольное значение движка резистора в диапазоне от 0 до N%. Определите амплитуды базового и коллекторного токов в этом положении. Рассчитайте значение коэффициента передачи базово- го тока в активном режиме; Установите произвольное значение движка резистора в диапазоне от N до 100%. Определите максимальное значение базового и коллек- торного токов. Рассчитайте значение тока базы насыщения. Рассчитать степень насыщения транзистора.  Рис. 4.2 б) соберите схему, изображенную на рис.4.3. Изменяя положение движка потенциометра R1 от 0 до 100%, снять зависимость напряжения коллектора от тока базы (15-20 точек). Построить график полученной зависимости. Отметить на графике значение тока базы насыщения.  Рис. 4.3 СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА Отчет по работе должен содержать: а) наименование и цель работы; б) схемы соединений для выполненных экспериментов; в) результаты исследований и проведенных по ним расчетов, по- мещенные в соответствующие таблицы; г) экспериментально снятые и построенные характеристики; д) обработанные осциллограммы. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ Каковы структуры биполярных транзисторов и их условные графические обозначения? Каковы функции эмиттерного и коллекторного перехода тран- зистора? В каких режимах может работать транзистор и какова поляр- ность включения переходов для разных режимов? Какие схемы включения транзистора вы знаете? В чем заклю- чаются основные отличия данных схем? Как работает транзистор в нормальном активном режиме? Как связаны между собой ток коллектора, ток эмиттера и ток базы? В чем заключается управляющее свойство транзистора? Как влияет температура транзисторной структуры на ВАХ и почему? Что представляет собой эффект модуляции базы и как влияет на ход статических ВАХ транзистора? Что такое дифференциальное сопротивление коллекторного перехода и как его можно определить по выходным характеристикам транзистора? Как записываются выходные характеристики транзистора в аналитической форме для области активного режима (ОЭ)? Как выглядят входные и выходные статические характеристи- ки в схеме с общим эмиттером? Как определить статический коэффициент передачи транзи- стора по току β? Как снять статические выходные характеристики? Что такое область активного режима, насыщения, отсечки? Что такое ток базы насыщения и ток коллектора насыщения? Что такое степень насыщения? Каковы рекомендуемые значе- ния для степени насыщения? Чем обусловлены рекомендуемые значе- ния степени насыщения? Как зависит напряжение коллектора от тока базы? Почему? Приведите схемы замещения биполярного транзистора для различных режимов его работы. Укажите условия нахождения транзи- стора в этих режимах. |