Главная страница
Навигация по странице:

  • отчет

  • Цель работы

  • Экспериментальные результаты

  • Вывод

    		•

    лабакэт3готова. Исследование характеристик варисторов и фоторезисторов


    Скачать 62.51 Kb.
    НазваниеИсследование характеристик варисторов и фоторезисторов
    Дата25.04.2023
    Размер62.51 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлалабакэт3готова.docx
    ТипИсследование
    #1087456

    МИНОБРНАУКИ РОССИИ

    Санкт-Петербургский государственный

    электротехнический университет

    «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

    Кафедра Электронных приборов и устройств
    отчет

    по лабораторной работе №3

    по дисциплине «Компоненты электронной техники»

    Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАРИСТОРОВ и фоторезисторов



    Студенты гр. 1207



    Бачевский И.М.







    Тарасов А.A.

    Преподаватель



    Грязнов А.Ю.


    Санкт-Петербург

    2023

    Цель работы: исследование характеристик варисторов и фоторезисторов.

    Основные теоретические положения:

    Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если приложенное напряжение увеличивается сверх определенного значения.

    Схема измерений:


    Рисунок 3.2 – схема косвенного измерения ВАХ

    Экспериментальные результаты:

    Таблица 1. Исследование вольтамперной характеристики варистора S10K11.

    Напряжение U, B
    0
    8
    16
    18,9
    20,2
    20,8
    21,3
    21,8

    Напряжение Uб, мВ
    0
    0
    0
    1
    5
    10
    20
    40

    Ток I, мА
    0
    0
    0
    0,4762
    2,381
    4,7619
    9,5238
    19,048


    Таблица 2. Исследование вольтамперной характеристики варистора CTI1206M6G.

    напряжение U, B
    0
    4
    8
    12,23
    13,1
    13,66
    14,02
    14,7

    Напряжение Uб, мВ
    0
    0
    0
    1
    5
    10
    15
    30

    Ток I, мА
    0
    0
    0
    0,4762
    2,381
    4,7619
    7,1429
    14,286


    График 1. Вольтамперные характеристики для варисторов S10K11 и CTI1206M6G.




    Освещенность, %
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    80
    90
    100

    Теор. отн.
    1
     
    0,65
     
    0,4
     
    0,25
     
    0,15
     
    0,1

    сопротивление, у.е.
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     

    Сопротивление, кОм
    350
    251
    100
    57
    42
    27
    12
    10
    6,3
    4,8
    3,5

    Эксп. отн.
    1
    0,72
    0,29
    0,16
    0,12
    0,08
    0,034
    0,028
    0,018
    0,014
    0,01

    сопротивление, у.е.
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     

    Таблица 3. Исследование функциональной зависимости сопротивления фоторезистора.
    График 2. Функциональная зависимость сопротивления фоторезистора.




    Таблица 4. Исследование спектральной зависимости проводимости фоторезистора.

    Длина волны, нм.
    400
    425
    450
    475
    500
    525
    550
    575
    600
    625
    650
    675
    700

    Теор. отн.
    0,3
    0,4
    0,5
    0,62
    0,75
    0,9
    1
    0,8
    0,75
    0,6
    0,45
    0,3
    0,2

    проводимость, у.е.

    Сопротивление, кОм
    5,9
    5,2
    5,2
    3,3
    2,6
    2,1
    1,5
    1,7
    1,9
    2,4
    3,4
    4,7
    5,6

    Эксп. отн.
    1
    0,88
    0,88
    0,56
    0,44
    0,35
    0,25
    0,28
    0,32
    0,41
    0,58
    0,8
    0,95

    проводимость, у.е.


    График 3. Спектральная зависимость проводимости фоторезистора.



    Вывод: В ходе лабораторной работы были исследованы вольтамперные характеристики варисторов S10K11 и CTI1206M6G. Варисторы представляют собой полупроводниковые резисторы, сопротивление которых начинает резко падать, если приложенное напряжение увеличивается сверх определенного значения, что видно на Графике 1. Графики обоих варисторов соответствуют теории, то есть оба симметричны относительно начала осей координат.
    Судя по графику функциональной зависимости сопротивления фоторезистора, исследованные характеристики зависимости сопротивления от освещенности примерно соответствуют теоретическим только до 10-20% освещенности. Далее на Графике 2 наблюдается существенное отклонение от теории. Скорее всего вызвано недостаточной яркостью дисплея мобильного устройства, используемого во время лабораторной работы.
    По графику спектральной зависимости сопротивления фоторезистора от длины волны видно, что оба графика довольны схожи, но экспериментальные значения имеют небольшие отклонения от теоретических. Отклонения также вызваны мобильным устройством.

    написать администратору сайта