Главная страница
Навигация по странице:

  • 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

  • 2 Теоретическое введение

  • 3 Задание на выполнение лабораторной работы 3.1 Расчѐтная часть работы

  • 3.2 Экспериментальная часть работы

  • 4 Рекомендации к выполнению исследований 4.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода

  • 4.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода

  • 4.3 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона

  • 4.4 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона

  • апавпавп. МУ к л.р. 1. Исследование вах полупроводниковых диодов 2 Содержание


    Скачать 338.91 Kb.
    НазваниеИсследование вах полупроводниковых диодов 2 Содержание
    Анкорапавпавп
    Дата15.03.2022
    Размер338.91 Kb.
    Формат файлаpdf
    Имя файлаМУ к л.р. 1.pdf
    ТипИсследование
    #397194

    МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к лабораторной работе №1
    ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

    2
    Содержание
    1. Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы ……………… 3 2. Теоретическое введение ………………………………………………………...3 3. Задание на выполнение лабораторной работы ……………………………….. 6 3.1 Расчетная часть работы………………………………………………………6 3.2Экспериментальная часть работы……………………………………………7 4. Рекомендации к выполнению исследований………….………………………..7 4.1 Исследование прямой ветви ВАХ диодов...………………………………. 7 4.2 Исследование обратной ветви ВАХ диодов………………………………. 8 4.3 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитронов…………………….....9 4.4 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитронов ...……………………....9 5. Содержание отчета ……………………………………………………………...10
    Приложение А………………………………………………………………………10

    3
    1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной
    работы
    Тема: Исследование полупроводниковых устройств
    Цель работы: 1. Изучить характерные свойства электронно-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона (лекция №2).
    2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
    Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
    1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
    2. При изучении теоретического материала в объеме материала лекций и теоретического введения обратить внимание на следующие основные вопросы:
    - физические процессы, определяющие одностороннюю проводимость электронно-дырочного перехода;
    - энергетическую диаграмму р-n перехода;
    - типы пробоя электронно-дырочного перехода и его вольтамперная характеристика (ВАХ);
    - основные параметры, характеризующие выпрямительные диоды и стабилитроны.
    3. Оформление заготовки для отчета (см. раздел 6).
    4. Выполнение указаний разделов 4 и 5.
    Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен
    выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в
    Приложении А.
    2 Теоретическое введение
    Электронно-дырочный переход (р-n переход) – это контакт двух проводников с различным типом проводимости. Изготовляется он обычно из одного кристалла полупроводника, в котором формируются области с повышенной концентрацией акцепторной примеси (р-область) и донорной примеси ( n-область).
    В зависимости от технологии изготовления существуют различные типы
    р-n переходов, например - резкий или плавный р-n переходы. В резком переходе область изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда, который образуется за счет диффузии электронов и дырок, а в плавном переходе - наоборот.

    4
    Если переход находится в равновесии (внешнее электрическое поле отсутствует), то его состояние определяется двумя конкурирующими процессами:
    1) диффузией основных носителей - дырок из р-области в n-область и диффузией электронов в обратном направлении;
    2) дрейфом неосновных носителей под действием поля перехода.
    В условиях равновесия полный ток через переход (дрейфовый плюс диффузионный) носителей каждого знака равен нулю .
    Если приложить к переходу разность потенциалов U, то величину полного тока через переход можно попытаться определять по следующей приближѐнной формуле:













    1 0
    kT
    qU
    e
    I
    I
    , (2.1) где:
    0
    I
    – ток насыщения (I
    обр max
    ); [ А ]
    q – заряд электрона; [ К ]
    k – постоянная Больцмана; [ Дж/К ]
    T – абсолютная температура;
    U – приложенное к переходу внешнее напряжение, причем «+»
    (плюс) – соответствует прямому напряжению, «–» (минус) – соответствует обратному напряжению; [ В ].
    Вольт – амперная характеристика диода представлена на рисунке 2.1.
    Рисунок 2.1 - Вольт – амперная характеристика диода
    ВАХ диода можно описать математической формулой (2.2.).

    5
    


    





    0
    ln
    I
    I
    I
    U
    o
    пр
    T
    пр

    , (2.2) где φ
    Т
    = 25 мВ;
    I
    0
    = 2,48·10
    -11
    А.
    ВАХ стабилитрона представлена на рисунке 2.2.
    Рисунок 2.2 - Вольт – амперная характеристика стабилитрона
    Ток стабилитрона определяется по формуле (2.3).


    max min
    5
    ,
    0
    ст
    ст
    ст
    I
    I
    I



    . (2.3)
    Обратную ветвь ВАХ стабилитрона можно описать формулой (2.4).
    M
    обр
    л
    ст
    обр
    I
    I
    U
    U



    1
    , (2.4) где I
    л
    = -10
    -4
    А – обратный (дрейфовый) ток в обедненной зоне;
    U
    ст
    - номинальное напряжение стабилизации;
    М – коэффициент лавинного размножения (М=5).

    6
    3 Задание на выполнение лабораторной работы
    3.1 Расчѐтная часть работы
    1. Выбрать диод, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров диода:
    - предельно-допустимый постоянный прямой ток max
    пр
    I
    ;
    - предельно-допустимое обратное напряжение max
    обр
    U
    Значения
    max
    пр
    I
    и
    max
    обр
    U
    найти для соответствующего варианта,
    используя ресурсы Internet и записать в отчет.
    max
    пр
    I
    =
    max
    обр
    U
    =
    2. Построить прямую ветвь ВАХ диода. Для построения прямой ветви
    ВАХ использовать формулу 2.2.
    3. Задать 6 значений прямого тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.1. Полученные значения являются рекомендуемыми,
    их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
    Таблица 3.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...

    пр
    I
    , mA
    пр
    U
    , В формула
    Рассчитанное значение
    1 2
    3 4
    1.
    0.05

    max
    пр
    I
    2.
    0.1

    max
    пр
    I
    3.
    0.3

    max
    пр
    I
    4.
    0.5

    max
    пр
    I
    5.
    0.7

    max
    пр
    I
    6.
    0.95

    max
    пр
    I
    4. Выбрать стабилитрон, в соответствии с вариантом и записать значения следующих параметров стабилитрона:
    - минимальный ток стабилизации min
    ст
    I
    ;
    - максимальный ток стабилизации max
    ст
    I
    ;
    - номинальное напряжение стабилизации
    ст
    U
    Значения
    min
    ст
    I
    , max
    ст
    I
    и
    ст
    U
    найти для соответствующего варианта,
    используя ресурсы Internet.
    5. Построить обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Для построения обратной ветви ВАХ использовать формулу 2.4.

    7 6. Задать 5 значений обратного тока, которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 3.2. Полученные значения являются
    рекомендуемыми, их допускается округлять до ближайшего «удобного» числа.
    Таблица 3.2 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...

    обр
    I
    , mA
    обр
    U
    , В формула
    Рассчитанное значение
    1 2
    3 4
    1.
    0.5

    I
    ст min
    2.
    I
    ст min
    3.
    0.2

    I
    ст max
    4.
    0.5

    I
    ст max
    5.
    0.95

    I
    ст max
    3.2 Экспериментальная часть работы
    Для проверки рассчитанных значений выполнить измерения, используя виртуальный универсальный лабораторный стенд. Основные сведения работы на виртуальном стенде приведены в Приложении Б.
    1. С помощью измерительных схем рисунков А.1 и А.2, приведенных в приложении Б, исследовать прямую и обратную ветви ВАХ выпрямительного диода определенной марки. Построить их графики в одних осях с ВАХ, рассчитанной в п.3.1. Найти I
    0
    по обратной ветви ВАХ диода, построенной по измерениям.
    2. С помощью измерительных схем рисунков А.3 и А.4 исследовать
    прямую и обратную ветви ВАХ стабилитрона определенной марки, выбранной из Приложения. Построить их графики в одних осях с ВАХ стабилитрона, рассчитанной в п.3.1.
    4 Рекомендации к выполнению исследований
    4.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
    1. Собрать схему, представленную на рисунке А.1.
    2. Задать те же 6 значений прямого тока источника I
    1
    , ( таблица 3.1).
    Для каждого установленного
    1
    I
    измерить по показаниям V
    1
    прямое напряжение, результаты измерений записать в 3-й столбец таблицы 4.1. При
    оформлении отчѐта в первый столбец вместо выражений вписать
    вычисленные значения. При оформлении таблицы в отчѐте рекомендуется
    фиксировать значения токов и напряжений в тех единицах, которые являются
    наиболее оптимальными.

    8
    Таблица 4.1 - Прямая ветвь ВАХ диода типа ...

    пр
    I
    , mA
    пр
    U
    , В формула
    Рассчитанное значение
    1 2
    3 4
    1.
    0.05

    max
    пр
    I
    2.
    0.1

    max
    пр
    I
    3.
    0.3

    max
    пр
    I
    4.
    0.5

    max
    пр
    I
    5.
    0.7

    max
    пр
    I
    6.
    0.95

    max
    пр
    I
    4.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
    1. Изменить включение диода, собрав схему, представленную на рисунке
    А.2.
    2. Задать 7 значений обратного напряжения с помощью источника
    1
    E
    , которые вычисляются по выражениям во 2-м столбце таблицы 4.2. Как и при измерении прямой ветви
    ВАХ,
    полученные
    значения
    являются
    рекомендуемыми. Для каждого значения
    обр
    U
    измерить обратный ток по амперметру
    1
    A
    , измеренные величины зафиксировать в 3-м столбе таблицы 4.2.
    Таблица 4.2 - Обратная ветвь ВАХ диода типа ...

    обр
    U

    обр
    I
    , мкА формула
    Рассчитанное значение
    1 2
    3 4
    1.
    0.005

    max
    обр
    U
    2.
    0.01

    max
    обр
    U
    3.
    0.05

    max
    обр
    U
    4.
    0.07

    max
    обр
    U
    5.
    0.1

    max
    обр
    U
    6.
    0.5

    max
    обр
    U
    7.
    0.95

    max
    обр
    U
    3. По значениям таблиц 4.1 и 4.2 построить графики прямой и обратной ветвей ВАХ.

    9
    4.3 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
    1. Собрать схему рисунка А.3, установив тип стабилитрона (выбирается в соответствии с вариантом).
    3. Измерить по вольтметру
    1
    V
    напряжение стабилитрона при 5
    рекомендуемых значениях обратного тока
    обр
    I
    (аналогично таблице 3.2).
    Вычисленные значения тока
    обр
    I
    устанавливаются с помощью источника
    1
    I
    Измеренные и установленные значения занести в таблицу 4.3.
    Таблица 4.3 - Обратная ВАХ стабилирона типа ...

    обр
    I
    , mA
    обр
    U
    , В формула
    Рассчитанное значение
    1 2
    3 4
    1.
    0.5

    I
    ст min
    2.
    I
    ст min
    3.
    0.2

    I
    ст max
    4.
    0.5

    I
    ст max
    5.
    0.95

    I
    ст max
    4.4 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
    1. Изменить включение стабилитрона - перейти к схеме, представленной на рисунке А.4.
    2. Измерить прямое напряжение при 5 рекомендуемых значениях тока
    пр
    I
    , указанных во 2-м столбце таблицы 4.4. Измеренные и установленные значения занести в таблицу 4.4.
    Таблица 4.4 - Прямая ВАХ стабилитрона типа ...

    пр
    I
    , mA
    пр
    U
    , В
    1 2
    4 1.
    1mA
    2.
    4 mA
    3.
    10 mA
    4.
    15 mA
    5.
    21 A
    3.По значениям таблиц 4.3 и 4.4 построить графики прямой и обратной ветви ВАХ стабилитрона.

    10
    5 Содержание отчета
    1. Тема и цель лабораторной работы.
    2. Таблицы 3.1 и 3.2.
    3. Таблицы наблюдений 4.1, 4.2, 4.3, 4.4.
    4. Графики ВАХ исследованных диодов и стабилитронов (рассчитанные и измеренные).
    5. Выводы по результатам проведенных исследований.
    Приложение А
    Схемы для снятия ВАХ диода
    Рисунок А.1 - Схема для измерения прямой ветки ВАХ диода
    Рисунок А.2 - Схема для измерения обратной ветви ВАХ диодов

    11
    Схемы для снятия ВАХ стабилитрона
    Рисунок А.3- Схема для измерения обратной ветви ВАХ стабилитронов
    Рисунок А.4- Схема для измерения прямой ветви ВАХ стабилитрона
    Величина ЭДС, а также параметры пассивных элементов схем устанавливается следующим образом: а) курсор «мыши» наводится на соответствующий элемент схемы; б) «кликаньем» правой кнопки вызывается всплывающее меню, из которого вызывается пункт «component properties»;
    с) далее выбирается пункт «value», в котором устанавливается требуемая величина и единица измерения настраиваемого параметра.
    Типы (марки) диодов и других активных элементов выбираются следующим образом: а) курсор «мыши» наводится на соответствующий элемент схемы; б) «кликаньем» правой кнопки вызывается всплывающее меню, из которого вызывается пункт «component properties»; с) далее из списка «library» выбирается библиотека, а из списка «models»
    – соответствующий тип диода.
    Функционирование схемы запускается с помощью переключателя
    , расположенного в правой части панели инструментов. Кнопкой «pause» можно останавливать функционирование; повторным нажатием – снова разрешать функционирование схемы.

    12


    написать администратору сайта