Главная страница
Навигация по странице:

  • Тип полупроводникового диода 1 А, М, Ш 2Д232-80

  • 2Д251 3 В, О, Э КД922

  • ДЛ161-250 5 Д, Р, Я КД2972

  • Д171-400 7 Ё, Т КД503

  • КД280 9 З, Ф Д105-630

  • Тип полупроводникового тиристора 1 А, М, Ш Т222-25

  • КУ202 3 В, О, Э Т353-1000

  • КН102 5 Д, Р, Я Т243-630

  • ТС142-80 7 Ё, Т 2У201

  • Т261-160 9 З, Ф ТБ243-400

  • ТО142-80 11 К, Ц ТС161-200

  • Тип модульной сборки 1 А, М, Ш МТОТО-160

  • МДД-250 3 В, О, Э ТКД265-125

  • МТТ4-100 5 Д, Р, Я МТТ-500

  • МДД-40 7 Ё, Т МДТО4/3-80

  • MT3-650-16-A2 9 З, Ф МТД-100

  • ТК235-63 11 К, Ц МДТ-250

    		•

    Задания 1-3. Лекция Этапы развития преобразовательной техники Задание


    Скачать 20.67 Kb.
    НазваниеЛекция Этапы развития преобразовательной техники Задание
    Дата29.12.2021
    Размер20.67 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЗадания 1-3.docx
    ТипЛекция
    #321468

    Проверяемое задание 1 «Параметры полупроводниковых диодов»


    Лекция 2. Этапы развития преобразовательной техники

    Задание

    Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов. В данном задании обобщается информация о полупроводниковых диодах.

    Номер варианта работы определяется с помощью табл. 1.

    Таблица 1

    Формирование варианта задания

    № варианта
    Первая буква фамилии студента
    Тип полупроводникового диода

    1
    А, М, Ш
    2Д232-80

    2
    Б, Н, Щ
    2Д251

    3
    В, О, Э
    КД922

    4
    Г, П, Ю
    ДЛ161-250

    5
    Д, Р, Я
    КД2972

    6
    Е, С
    Д171-400

    7
    Ё, Т
    КД503

    8
    Ж, У
    КД280

    9
    З, Ф
    Д105-630

    10
    И, Й, Х
    В500

    11
    К, Ц
    КД2999

    12
    Л, Ч
    КД409




    1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового диода и выберите одно из его наименований по справочным данным.

    2. Кратко опишите технические характеристики полупроводникового диода (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).

    3. Выпишите основные электрические параметры полупроводникового диода (средние и предельно допустимые электрические величины).

    4. Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового диода в масштабе с указанием размеров.

    5. Зарисуйте схему включения полупроводникового диода и кратко опишите принцип его работы.

    6. Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового диода.


    Проверяемое задание 2 «Параметры полупроводниковых тиристоров»


    Лекция 2. Этапы развития преобразовательной техники

    Задание

    Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов. В данном задании обобщается информация о полупроводниковых тиристорах.

    Номер варианта работы определяется с помощью табл. 2.

    Таблица 2

    Формирование варианта задания

    № варианта
    Первая буква фамилии студента
    Тип полупроводникового тиристора

    1
    А, М, Ш
    Т222-25

    2
    Б, Н, Щ
    КУ202

    3
    В, О, Э
    Т353-1000

    4
    Г, П, Ю
    КН102

    5
    Д, Р, Я
    Т243-630

    6
    Е, С
    ТС142-80

    7
    Ё, Т
    2У201

    8
    Ж, У
    Т261-160

    9
    З, Ф
    ТБ243-400

    10
    И, Й, Х
    ТО142-80

    11
    К, Ц
    ТС161-200

    12
    Л, Ч
    2Н102




    1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового тиристора (ГОСТ 10862-72 или ГОСТ 20859.1-89) и выберите одно из его наименований по справочным данным.

    2. Кратко опишите технические характеристики полупроводникового тиристора (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).

    3. Выпишите основные электрические параметры полупроводникового тиристора (средние и предельно допустимые электрические величины).

    4. Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового тиристора в масштабе с указанием размеров.

    5. Зарисуйте схему включения полупроводникового тиристора и кратко опишите принцип его работы.

    6. Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового тиристора.


    Проверяемое задание 3 «Параметры силовых модульных сборок»


    Лекция 2. Этапы развития преобразовательной техники

    Задание

    Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов. В данном задании обобщается информация о силовых модульных сборках.

    Номер варианта работы определяется с помощью табл. 3.

    Таблица 3

    Формирование варианта задания

    № варианта
    Первая буква фамилии студента
    Тип модульной сборки

    1
    А, М, Ш
    МТОТО-160

    2
    Б, Н, Щ
    МДД-250

    3
    В, О, Э
    ТКД265-125

    4
    Г, П, Ю
    МТТ4-100

    5
    Д, Р, Я
    МТТ-500

    6
    Е, С
    МДД-40

    7
    Ё, Т
    МДТО4/3-80

    8
    Ж, У
    MT3-650-16-A2

    9
    З, Ф
    МТД-100

    10
    И, Й, Х
    ТК235-63

    11
    К, Ц
    МДТ-250

    12
    Л, Ч
    МТО2-10




    1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводниковой модульной сборки и выберите один из его наименований по справочным данным.

    2. Кратко опишите технические характеристики модульной сборки (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).

    3. Выпишите основные электрические параметры модульной сборки (средние и предельно допустимые электрические величины).

    4. Найдите (в справочнике) эскиз модульной сборки в масштабе с указанием размеров.

    5. Зарисуйте внутреннюю схему модульной сборки и кратко опишите функциональные возможности силового модуля.

    написать администратору сайта