Лаба1 ТЭ. Отчет по лабораторной работе 1 Исследование статических характеристик биполярного транзистора

• Название: Отчет по лабораторной работе 1 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
• Дата: 05.01.2022
• Размер: 62.7 Kb.
• Имя файла: Лаба1 ТЭ.docx
• Тип: Отчет; #324342

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное

учреждение высшего образования

ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)

Факультет дистанционного обучения (ФДО)


Отчет по лабораторной работе №1

«Исследование статических характеристик биполярного транзистора»

по дисциплине

"Твердотельная электроника"

	Выполнил: Студент гр. з-360П8-4 (номер группы) ____________ / И.А. Журавлев/ (подпись) И. О. Фамилия «___»__________20____г. (дата)
	Проверил: ______________________________ (должность, ученая степень, звание) ______________ /____________________/ (подпись) И. О. Фамилия «____»_______________20____г. (дата)

Томск 2021

1.Цель работы:

Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером и определение статических коэффициентов передачи тока эмиттера и тока базы.

2.Схема экспериментальной установки:



3. Основные расчетные формулы

β=∆Iк/∆IБ
α = β/(1 + β)

4. Основные экспериментальные данные и их анализ:

Входная характеристика					Выходная характеристика
Uк=0 В		Uк=15 В			Iб=125 мкА			Iб=370мкА			Iб=670мкА
Uбэ, B	Iб, мкА		Uбэ, B	Iб, мкА		Uкэ, B	Iк, мА		Uкэ, B	Iк, мА		Uкэ, B	Iк, мА
0.05	0.016		0.05	0.01		1	2.25		1	6.91		1	12.7
0.1	0.04		0.1	0.026		2.5	4.1		2.5	12.84		2.5	23.7
0.15	0.083		0.15	0.067		4	4.46		4	13.7		4	25.3
0.2	0.21		0.2	0.15		5.5	4.53		5.5	14.1		5.5	26.2
0.25	0.4		0.25	0.35		6.5	4.62		6.5	14.27		6.5	26.6
0.3	0.8		0.3	0.58		7.5	4.66		7.5	14.46		7.5	27

Таблица №1. Статические характеристики биполярного транзистора МП40, включенного по схеме с общим эмиттером.

β=∆Iк/∆IЭ= 12.54/0.3=41.8

∆Iк = 27-14.46=12.54 мА.

∆Iб = 0.67-0.37=0.3 мА.

α = β/(1 + β) = =0,97



Рис. 4.1. Входная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общим эмиттером, при различных напряжениях коллектора.



Рис. 4.2. Выходная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общим эмиттером, при различных токах базы.

Входная характеристика				Выходная характеристика
Uк=0 В		Uк=15 В			Iэ=8 мА			Iэ=18 мА			Iэ=27 мА
Uбэ, B	Iэ, мА	Uбэ, B	Iк, мА	UкБ, B		Iк, мА	UкБ, B		Iк, мА	UкБ, B		Iк, мА
0.035	0.009	0.035	0.011	-0.21		0	-0.20		0	-0.18		0
0.07	0.035	0.07	0.045	-0.15		0.3	-0.18		0.1	-0.15		0.8
0.1	0.095	0.1	1.15	0.1		7.6	-0.07		11.2	-0.08		13.7
0.13	2.45	0.13	2.93	3		7.8	0.2		17.8	0.3		26.4
0.17	8.15	0.17	9.89	6		7.9	4		18.3	4		27
0.2	19.52	0.2	22.9	7.5		8	7.5		18.6	7.5		27.5

Таблица №2. Статические характеристики биполярного транзистора МП40, включенного по схеме с общей базой.

β=∆Iк/∆IЭ= 8.9/9=0.98

∆Iк = 27.5-18.6=8.9 мА.

∆Iэ = 27-18=9 мА.

α = β/(1 + β) = =0,5



Рис. 4.3. Выходная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общей базой, при различных токах эмиттера



Рис. 4.4. Выходная характеристика биполярного транзистора МП40, включенного в схеме с общей базой, при различных напряжениях коллектора

5. Выводы по проделанной работе

В данной работе мы исследовали статические характеристики биполярного транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером, определили статические коэффициенты передачи тока эмиттера и тока базы.

Построили основные характеристики транзистора — выходные и выходные

По полученным с лабораторного стенда данных построили таблицы и нарисовали графики.