Главная страница
Навигация по странице:

  • «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА» (СПбГУТ)

  • Выполнила студентка группы РТ-01 Чихунова А.С. Принял: ассистент каф. КПРЭС Горобцов И.А. Санкт-Петербург 2021

  • Объект и средства испытаний

    		•

    Лабораторная 3. Отчет по лабораторной работе 3 по теме Исследование основных параметров транзисторов


    Скачать 163.58 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 3 по теме Исследование основных параметров транзисторов
    Дата06.04.2023
    Размер163.58 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаЛабораторная 3.docx
    ТипОтчет
    #1041176

    МИНИСТЕРСТВО ЦИФРОВОГО РАЗВИТИЯ, СВЯЗИ И МАССОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕРЕРАЦИИ
    ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

    «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ ИМ. ПРОФ. М.А. БОНЧ-БРУЕВИЧА»

    (СПбГУТ)

    Кафедра конструирования и производства радиоэлектронных средств
    Отчет по лабораторной работе 3

    по теме

    « Исследование основных параметров транзисторов »


    Выполнила студентка группы РТ-01

    Чихунова А.С.
    Принял: ассистент каф. КПРЭС

    Горобцов И.А.

    Санкт-Петербург

    2021





    Цель работы:

    Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

    Объект и средства испытаний:

    Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.
    1. Схема электрической цепи для снятия ВАХ биполярного транзистора transistor_1.ms14.


    2. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=5В.

    Ток базы Iб, мкА
    50
    100
    200
    300
    400
    500

    Напряжение Uбэ, В
    0,687
    0,711
    0,735
    0,749
    0,76
    0,768

    3. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=10В.

    Ток базы Iб, мкА
    50
    100
    200
    300
    400
    500

    Ток коллектора Iк, мА
    12
    24
    46
    66
    83
    99

    Напряжение Uбэ, В
    0,688
    0,711
    0,736
    0,751
    0,761
    0,77

    4. График с входными ВАХ транзистора Iб=f(Uбэ) для напряжений Uкэ равных 5 В и 10 В.


    5. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость Iк=f(Iб) для Uкэ=10 В.



    6. Коэффициент усиления транзистора.

    193

    7. Выходные характеристики биполярного транзистора.

    Напряжение Uкэ, В
    0,1
    0,5
    1
    5
    8
    12

    Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА
    50
    1.587
    6
    6.307
    8.769
    11
    13

    100
    3.222
    12
    13
    18
    22
    26

    200
    6.232
    23
    24
    34
    41
    51

    300
    9
    33
    35
    48
    59
    72

    400
    11
    42
    44
    61
    74
    92

    500
    14
    50
    52
    73
    88
    109


    8. График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора Iк=f(Uкэ).



    9. Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.



    10. Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.


    11. Результаты эксперимента.


    Параметр
    Значение в контрольной точке

    Iб, мкА
    100
    200
    300
    400
    500
    600
    700
    800
    900
    1000
    1200
    1400
    1800
    2000
    2100



    Uбэ, В



    0.735
    0.749
    0.759
    0.767
    0.773
    0.779
    0.784
    0.788
    0.79
    0.792
    0.793
    0.795
    0.796
    0.796



    Uкэ, В



    6.393
    4.823
    3.663
    2.754
    2.021
    1.42
    0.89
    0.451
    0.257
    0.212
    0.195
    0.176
    0.169
    0.167



    Iк, мА



    37
    48
    56
    62
    67
    71
    74
    77
    78
    79
    79
    79
    79
    79




    12. Графики Uкэ=f(Uбэ) и Iк=f(Iб).



    Вывод:

    Изучили принцип действия биполярного транзистора, его основных параметров и способы их определения. Сняли входные и выходные вольтамперные характеристики биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

    написать администратору сайта