Главная страница
Навигация по странице:

  • 1. Электрический ток

  • Дырочная ( проводимость " p" - типа )

  • "p-n" переход

  • Дмитриева В.Ф. Физика. Учебник для студентов образовательных учреждений среднего профессионального образования. Гриф МО РФ, 2010

  • 31. Электропроводность полупроводников. Презентация по физике на тему _Полупроводники. Собственная прово. Полупроводники. Собственная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы. Автор работы Калинина А. И. преподаватель гбпоу кс 54


    Скачать 0.6 Mb.
    НазваниеПолупроводники. Собственная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы. Автор работы Калинина А. И. преподаватель гбпоу кс 54
    Анкор31. Электропроводность полупроводников
    Дата24.05.2023
    Размер0.6 Mb.
    Формат файлаpptx
    Имя файлаПрезентация по физике на тему _Полупроводники. Собственная прово.pptx
    ТипЗакон
    #1155518

    Полупроводники. Собственная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы.

    Автор работы: Калинина А.И. преподаватель ГБПОУ КС №54

    Вопросы для повторения

    1. Электрический ток

    2. Закон Ома

    3. Вольт-амперная характеристика (ВАХ)

    4. Сопротивление

    • Полупроводни́к — материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения.

    Наиболее типичными полупроводниками являются германий и кремний.

    Основным свойством полупроводника является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Вблизи температуры абсолютного нуля полупроводники имеют свойства диэлектриков.

    • Кроме нагревания , разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением ( фотопроводимость ) и действием сильных электрических полей
    • Если полупроводник чистый( без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика.

    Собственная проводимость бывает двух видов: электронная и дырочная

    При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл.поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.

    При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.

    Дырочная ( проводимость " p" - типа )
    • Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей "p" и "n" -типов и называется электронно-дырочной проводимостью.

    Полупроводники при наличии примесей

    • Наличие примесей сильно увеличивает проводимость. При изменении концентрации примесей изменяется число носителей эл.тока - электронов и дырок. Возможность управления током лежит в основе широкого применения полупроводников.
    • "p-n" переход (или электронно-дырочный переход) - область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот).
    • В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области. В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой. Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.
    • Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя. При прямом (пропускном) направлении внешнего эл.поля эл.ток проходит через границу двух полупроводников. Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.
    • При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет. Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление.

    Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.

    Полупроводниковые диоды

    • Полупроводник с одним "p-n" переходом называется полупроводниковым диодом.
    • Полупроводниковые диоды основные элементы выпрямителей переменного тока.

    литература

    • Дмитриева В.Ф. Физика. Учебник для студентов образовательных учреждений среднего профессионального образования. Гриф МО РФ, 2010
    • https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9F%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA
    • https://yandex.ru/images/search?p=1&text=%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D0%B4&img_url=http%3A%2F%2Fwww.brownbear.ru%2Ffoto%2Ffoto%2F311049.jpg&pos=31&rpt=simage&_=1454567043629


    написать администратору сайта