Главная страница
Навигация по странице:

  • Пример решения задания.

    		•

    практическая диоды. ПР№1 ПД. Самостоятельная работа 1 Расчет основных характеристик полупроводникового диода


    Скачать 33.55 Kb.
    НазваниеСамостоятельная работа 1 Расчет основных характеристик полупроводникового диода
    Анкорпрактическая диоды
    Дата20.10.2020
    Размер33.55 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаПР№1 ПД.docx
    ТипСамостоятельная работа
    #144145

    Самостоятельная работа №1

    «Расчет основных характеристик полупроводникового диода»
    Цель: графическим методом рассчитать основные характеристики полупроводникового диода.

    Задание.

    Определить выходное напряжение (Uвых), сопротивление постоянному току (Rпр), дифференциальное сопротивление (rдиф) в схеме, приведенной на рисунке 1, согласно таблицы 1, если к идеальному диоду, работающему при Т=300 К, при прямом включении.



    Рисунок 1 – Схема подключения диода

    Таблица 1 – Варианты исходных данных

    №

    Варианта
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10

    I0 ·10-8, А
    100
    200
    50
    70
    150
    120
    110
    90
    80
    160

    R1, кОм
    10
    30
    2
    5
    40
    12
    15
    7
    10
    15

    E, В
    0,3
    0,1
    0,2
    0,4
    0,5
    0,1
    0,2
    0,3
    0,4
    0,5


    Пример решения задания.

    Дано: Е=50 мВ, R=10 кОм, обратный ток насыщения I0 = 10-8 A.

    Решение:

    Воспользуемся графическим способом. Используя значение I0 = 10-8 A и задаваясь напряжением диода, построим вначале ВАХ диода в соответствие с формулы 1. ВАХ диода показана на рисунке 2.




    На том же графике построим нагрузочную прямую, используя уравнение



    Координаты нагрузочной прямой:

    - при U=0, I=E/R = 0,5 мА;

    - при I=0, U  E В.

    Точка пересечения нагрузочной прямой с ВАХ даёт решение задачи.

    Из построения следует, что I  0.4 мА

    Рисунок 2 – ВАХ

    написать администратору сайта