Zadachi_Агеев_I_A_ES-31. Вологодский государственный университет
Скачать 44.46 Kb.
|
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Вологодский государственный университет» Институтмашиностроенияэнергетикиитранспорта (наименование института) Кафедраэлектрооборудования (наименование кафедры) ЖУРНАЛКОНТРОЛЬНЫХ РАБОТ (наименование письменной работы) Дисциплина: «Электроника»
Вологда 2022 г. ОглавлениеВВЕДЕНИЕ 3 Задача №1,5 4 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 5 ВВЕДЕНИЕСовременное развитие электроники и широкое применение интегральных процессов и микросхем дало возможность в десятикратно уменьшить массы и размеры электронной аппаратуры, управляемой и контролируемой технологическими процессами многих отраслей промышленности, причем микросхемы и микропроцессоры используются в совокупности аппаратных и программных средств с преобразователями аналоговых сигналов, с унификацией информационных магистралей. В современных электронных устройствах (дешифраторах, сумматорах, триггерах, регистрах, счетчиках и многих других) основным видом сигналов являются цифровые. Цифровые технологии относятся к самым динамичным направлениям развития и в значительной степени определяют общий технологический прогресс. Впрочем, и в XXI веке аналоговые элементы остаются популярными, а именно технологии цифровых технологий стимулируют развитие и выпуск цифровых микросхем, а также аналоговые и цифровые микросхемы. Ускоренное развитие электроники, как области науки и техники вызывает потребность к ее познанию при подготовке специалистов многих направлений. Целью прохождения данного лабораторного практикума является закрепление знаний о простейших структурных единицах электроники. В процессе выполнения лабораторных работ будут обретены навыки чтения электронных схем, снятия различных характеристик, определения параметров компонентов. Задача №1,5Исходные данные для расчета представлены в таблице 1.1. Таблица 1.1 – Исходные данные на расчет
вместо n величину ND и, обозначая уpовень Феpми через EFn, получаем: Откуда следует: ni = 1,45·1010 (см-3) - собственная концентрация носителей заряда Si; k = 8,62·10-5 (эВ/К) - постоянная Больцмана. (эВ). Согласно известной формуле для расчета концентрации неосновных носителей заряда в электронном полупроводнике с учетом сдвига уровня Ферми относительно середины запрещённой зоны: СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВКоновалов Б. И., Мишуров В. С. Основы преобразовательной техники: учебное пособие. — Томск: ТУСУР, 2015 – 197 с. Попков О.З. Основы преобразовательной техники: учеб. пособие для вузов / О.З. Попков. 3-е изд., стереот. — Москва: МЭИ, 2010 – 200 с. Аксенов А. И., Нефедов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы / 5-е изд . доп. и испр. - Москва.: СОЛОН-Пресс, 2005. - 584 с. Орлов, В.В. Основы силовой преобразовательной техники: Учеб. пособие / В.В. Орлов, Н.Д. Поздеев. – Вологда: ВоГТУ, 2004. – 171с. Номиналы резисторов, таблица, онлайн калькулятор. – Текст: электронный // Fly Modification //: сайт – URL: https://flymod.ru/?p=490 (дата обращения: 29.11.2021 г). Родюков М.С., Коновалов Н.Н. Электроника. Расчёт усилительного каскада с общим эмиттером: методические указания по выполнению домашней работы, 2-е изд., испр. – Москва.: МГУПИ, 2011 г. 48 с. Изъюрова, Г. И. Расчет электронных схем. Примеры и задачи: учеб. пособие для вузов по спец. электрон. техники/ Г.И. Изъюрова, Г.В. Королев, В.А. Терехов [и др.]. – М.: Высш. шк., 1987. – 335 с. |