Главная страница
Навигация по странице:

  • СТП ДВУК-20.35-2006 СТАНДАРТ ПРЕДПРИЯТИЯ

  • СТП ДВУК-20.35-2006 2 Нормативные ссылки

  • 3 Обозначения и сокращения

  • 4.2 Проведение испытаний

  • 4.3 Оформление результатов испытаний

  • 4.4 Внесение результатов испытаний в техническую документацию

  • Порядок проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов.(Инструкция)

  • СТП ДВУК-20.35-2006 Лист регистрации изменений

  • Порядок проведения испытаний партий пластин. Ю. И. Иванов А. Н. Щербаков " " 2006 г


    Скачать 150 Kb.
    НазваниеЮ. И. Иванов А. Н. Щербаков " " 2006 г
    Дата09.12.2021
    Размер150 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаПорядок проведения испытаний партий пластин.doc
    ТипДокументы
    #298029

    СОГЛАСОВАНО




    УТВЕРЖДАЮ

    Начальник представительства
    заказчика 4400




    Заместитель генерального директора по производству

    Ю.И. Иванов




    А.Н. Щербаков

    “___”______2006 г.




    “___”______2006 г







    СОГЛАСОВАНО







    Главный контролер







    В.Н. Панасюк







    “___”______2006 г


    СТП ДВУК-20.35-2006
    СТАНДАРТ ПРЕДПРИЯТИЯ


    ПОРЯДОК ПРОВЕДЕНИЯ ИСПЫТАНИЙ МИКРОСХЕМ Взамен

    НА ВОЗДЕЙСТВИЕ СПЕЦИАЛЬНЫХ ФАКТОРОВ СТП И6-20.35-00



    Дата введения
    1 Область применения
    Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы (далее микросхемы) специального назначения.

    Стандарт устанавливает порядок подготовки, обеспечения и проведения испытаний микросхем на соответствие требованиям по стойкости к воздействию специальных факторов, приведенным в технических заданиях (ТЗ), технических условиях (ТУ), стандартах, порядок оформления результатов испытаний и внесения результатов испытаний в техническую документацию, а также порядок взаимодействия подразделений предприятия при проведении выше перечисленных работ.

    СТП ДВУК-20.35-2006

    2 Нормативные ссылки
    В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты и документы:

    ГОСТ РВ 20.39.414.2-98

    Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Классификация по условиям применения и требования по стойкости …

    ГОСТ РВ 20.57.415-98

    Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы оценки соответствия требованиям по стойкости …

    ОСТ 11 073.013-83

    Микросхемы интегральные. Методы испытаний. Часть 10. Имитационные испытания по подтверждению требований по радиационной стойкости.

    ОСТ В 11 0398-2000

    Микросхемы интегральные. Общие технические условия.

    ОСТ В 11 0998-99

    Микросхемы интегральные. Общие технические условия.

    ОСТ В 11 073.012-87

    Микросхемы интегральные. Специальные общие технические условия.

    ОСТ В 11 0546-89

    Микросхемы интегральные бескорпусные на гибком носителе с ленточными выводами. Общие технические условия.

    ОСТ В 11 073.067-82

    Микросхемы интегральные бескорпусные. Общие технические условия.

    ОСТ В 11 1010-01

    Микросхемы интегральные бескорпусные. Общие технические условия.

    РД В 319.03.22-97

    Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний

    РД В 319.03.24-97

    Микросхемы интегральные. Методы испытаний и оценки стойкости больших и сверхбольших интегральных схем к одиночным сбоям от воздействия отдельных высокоэнергетичных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства.


    СТП ДВУК-20.35-2006

    РД В 319.03.31-99

    Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Рациональный состав и последовательность испытаний на соответствие заданным требованиям по радиационной стойкости.

    СТП И6-20.10-99

    Порядок проведения анализа дефектных микросхем и осуществление мероприятий по устранению причин их появления, в том числе при отбраковочных испытаниях.

    СТП ДВУК-20.31-01

    Порядок изоляции брака и технологических потерь в производстве.

    ДВУК.430104.001ПМ-2004

    Методика испытаний партий пластин с кристаллами микросхем серии 1526 на стойкость к воздействию фактора с характеристикой С3 по накопленной дозе.

    ДВУК 15288.00004 - 2005

    Форма сопроводительного листа.



    3 Обозначения и сокращения
    В настоящем стандарте применяются следующие сокращения:

    ГК – главный конструктор ОКР или осваиваемой в производстве микросхемы;

    ИП – испытательное подразделение;

    ИБ – испытательная база (база для испытаний на воздействие специальных факторов, аккредитованная Центральным органом системы “ВОЕНЭЛЕКТРОНСЕРТ” 22 ЦНИИИ МО);

    НД – нормативная документация;

    ПО – программное обеспечение испытаний;

    ПМИ – программа-методика испытаний;

    ЛАО – лаборатория анализа отказов;

    ОРД – отдел разработки конструкторской документации;

    ОГТ – отдел главного технолога;

    ТД – технологическая документация;

    СЛ – сопроводительный лист;

    ОКР – опытно-конструкторская работа;

    СТП ДВУК-20.35-2006
    ТЗ – техническое задание;

    ТУ – технические условия;

    ТНЭП – таблица норм электрических параметров;

    ТТК – таблица тестовых комбинаций;

    ТФК – таблица функционального контроля.
    4 Основные положения
    4.1 Подготовка и обеспечение проведения испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов

    4.1.1 Подготовка и обеспечение проведения испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов на этапе ОКР

    4.1.1.1 Основанием для проведения испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов на этапе ОКР является ТЗ и плановая документация на ОКР. При составлении сметы на ОКР отдел-разработчик должен предусмотреть средства на оплату работ ИБ за проведение испытаний.

    4.1.1.2 ГК ОКР совместно с ИП на основе ТЗ и плановой документации на ОКР согласует с ИБ состав, общий объем, сроки и стоимость испытаний и заключает договор между предприятием и ИБ.

    4.1.1.3 ГК ОКР совместно с ИП передает ИБ выписки из проектов ТУ, ТНЭП, ТТК, ТФК для разработки ПМИ и микросхемы с распечатками результатов измерений для проведения испытаний на воздействие специальных факторов.

    4.1.1.4 ИБ анализирует полученные документы, уточняет и, при необходимости, корректирует по согласованию с ГК ОКР и ИП отдельные положения документов, обосновывает рациональные состав и последовательность испытаний, создает (модернизирует), при необходимости, контрольно-испытательное оборудование, оснастку и ПО, разрабатывает и согласовывает в установленном порядке ПМИ.

    4.1.2 Подготовка и обеспечение проведения испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов на этапе освоения

    СТП ДВУК-20.35-2006
    4.1.2.1 Основанием для проведения испытаний на стойкость к воздействию специальных факторов на этапе освоения является план освоения и требования НД к осваиваемым в производстве микросхемам по стойкости к воздействию специальных факторов. При разработке, согласовании и утверждении плана освоения должны быть предусмотрены средства на оплату работ ИБ за проведение испытаний.

    4.1.2.2 Главный специалист по инновационным проектам совместно с ГК осваиваемой в производстве микросхемы и ИП на основе плана освоения и требований НД к осваиваемым в производстве микросхемам по стойкости к воздействию специальных факторов согласует с ИБ состав, общий объем, сроки и стоимость испытаний и заключает договор между предприятием и ИБ.

    4.1.2.3 ГК осваиваемой в производстве микросхемы совместно с ИП передает ИБ выписки из ТУ, ТНЭП, ТТК, ТФК для разработки ПМИ и микросхемы с распечатками результатов измерений для проведения испытаний на воздействие специальных факторов.

    4.1.2.4 ИБ анализирует полученные документы, уточняет полноту и отдельные положения переданных документов, обосновывает рациональные состав и последовательность испытаний, создает (модернизирует), при необходимости, контрольно-испытательное оборудование, оснастку и ПО, разрабатывает и согласовывает в установленном порядке ПМИ.
    4.1.3 Подготовка и обеспечение проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов

    Подготовка и обеспечение проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов осуществляется в соответствии с инструкцией
    “ Порядок проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов ”, приведенной в приложении А настоящего стандарта.

    4.2 Проведение испытаний

    4.2.1 Испытания микросхем на стойкость к воздействию специальных факторов

    “И”, “С” и “К” ГОСТ РВ 20.39.414.2 проводят в соответствии с ПМИ, а ПМИ должна обеспечивать требования ГОСТ РВ 20.57.415, ОСТ 11 073.013 (часть10) , ОСТ В 11 0398,

    ОСТ В 11 0998, ОСТ В 11 073.012, ОСТ В 11 0546, ОСТ В 11 073.067, ОСТ В 11 1010-01, РД В 319.03.22, РД В 319.03.24, РД В 319.03.31.

    СТП ДВУК-20.35-2006
    4.2.2 Испытания партий пластин проводятся по методике ДВУК.430104.001ПМ, утвержденной генеральным директором предприятия и согласованной с 22 ЦНИИИ МО, и в соответствии с инструкцией “ Порядок проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов ”, приведенной в приложении А настоящего стандарта.

    4.2.3 ИП проводит измерения электрических параметров микросхем и передает их вместе с распечатками результатов измерений ИБ для проведения испытаний.

    4.2.4 ИБ проводит испытания с участием, при необходимости, представителей предприятия, осуществляет контроль работоспособности и оценку показателей стойкости микросхем в процессе испытаний, обеспечивает метрологическое и дозиметрическое сопровождение испытаний. После завершения испытаний ИБ возвращает микросхемы на предприятие
    для проведения измерений.

    4.2.5 ИП проводит измерения электрических параметров микросхем после испытаний и передает распечатки результатов измерений ИБ для оформления протокола испытаний.

    4.3 Оформление результатов испытаний

    4.3.2 Результаты испытаний и результаты измерений электрических параметров микросхем до и после испытаний ИБ оформляет протоколом, установленной на ИБ формы, согласует его с 22 ЦНИИИ МО, утверждает со своей стороны и передает ГК микросхем и ИП для подписания, согласования с ПЗ 4400 и утверждения руководством предприятия.

    4.3.3 Результаты испытаний партий пластин оформляются в соответствии с инструкцией “ Порядок проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов ”, приведенной в приложении А настоящего стандарта.

    4.3.4 После окончания испытаний и оформления протокола испытаний ИП передает микросхемы в изолятор брака в порядке, установленном СТП ДВУК-20.31.
    4.4 Внесение результатов испытаний в техническую документацию

    4.4.1 Результаты испытаний на этапе ОКР, согласованные с ПЗ 4400, передаются ГК ОКР для принятия установленным порядком решения (при необходимости) по корректировке ТУ ГК и КД на микросхему.

    СТП ДВУК-20.35-2006

    4.4.2 Результаты испытаний на этапе освоения, согласованные с ГК осваиваемой в производстве микросхемы и ПЗ 4400, передаются ГК предприятия для принятия (при необходимости) решения по корректировке КД в установленном порядке.


    СОГЛАСОВАНО

    Начальник цеха 2




    С.Н. Лавренов

    Представитель заказчика 4400

    Зам. начальника цеха 2




    А.Г. Цурко

    А.В. Зубашев

    Вед. инженер технолог




    В.А. Вавилов




    Вед. инженер электроник




    Л.М. Коломийцев




    СОГЛАСОВАНО







    Главный технолог

    Главный конструктор




    Н.А. Шелепин

    В.Ф. Морозов

    Главный специалист
    по инновационным проектам




    А.В. Тюфяков




    Начальник цеха 1




    С.О. Ранчин




    Начальник ОРД




    Т.А. Кобельская



    СТП ДВУК-20.35-2006

    Приложение А

    (обязательное)

    Порядок проведения испытаний партий пластин
    на стойкость к воздействию специальных факторов.
    (Инструкция)

    1. Настоящая инструкция определяет порядок подготовки, обеспечения и проведения испытаний партий пластин с кристаллами микросхем, оформления результатов испытаний контрольных выборок микросхем и принятия решения о соответствии партий пластин требованиям ТУ по стойкости к воздействию специальных факторов в соответствии с п. 3.5.5 ОСТ В 11 0998.

    2. Основанием для проведения испытаний партий пластин на стойкость к воздействию специальных факторов является согласованная с ПЗ технологическая документация на микросхему, производственный план, утвержденный руководством предприятия, и требования ТУ к партиям пластин по стойкости к воздействию специальных факторов.

    3. Испытания партий пластин проводятся в рамках договоров с ИБ, которые оформляет ИП на условиях и по срокам, которые определяются руководством предприятия.

    4. Уполномоченный персонал цеха 1, на этапе, установленном технологической документацией, отбирает из партии пластин, подлежащей испытаниям на воздействие специальных факторов, пластину / пластины в соответствии с планом производства и передает их на последующие операции с СЛ установленной ТД формы. При этом в графе СЛ «Протокол испытаний №..» проставляется – «на испытания РС». Оставшиеся пластины партии вместе с основным СЛ переводятся в режим межоперационного хранения на время изготовления контрольной выборки микросхем, проведения испытаний и принятия решения о соответствии партии пластин требованиям ТУ по стойкости. Отобранная пластина / пластины проводятся по обычному маршруту с пометками в соответствующих СЛ «на испытания РС».

    5. Уполномоченный персонал участка измерений пластин, проводит обработку пластины / пластин, в соответствии с действующей ТД, и передает пластину / пластины в цех 2, при этом в сопроводительном ярлыке делается пометка «на испытания РС».

    6. Уполномоченный персонал участка сборки цеха 2 с учетом коэффициента запуска отбирает кристаллы микросхем с пластины по способу, указанному в методике испытаний партий пластин ДВУК.430104.001ПМ. Далее производятся все необходимые сборочные операции по действующему технологическому маршруту и собранные в корпуса микросхемы вместе с СЛ установленной ТД формы передаются на участок измерений микросхем. При

    СТП ДВУК-20.35-2006

    этом в графе «Протокол испытаний №..» СЛ ДВУК 15288.00004 проставляется – «на испытания РС»*.

    7. Уполномоченный персонал участка измерений микросхем цеха 2 , выполняет все необходимые операции по действующему технологическому маршруту и передает соответствующую требованиям ТУ контрольную выборку микросхем в спутниках вместе с СЛ в ИП.

    8. Для исключения случайного повреждения выводов и ошибочного задания электрического режима микросхемы контрольных выборок должны оставаться в спутниках без переустановки вплоть до окончания испытаний и оформления протокола испытаний. Для исключения возможного воздействия статического электричества во время межоперационного хранения и транспортировки все выводы микросхем контрольной выборки должны быть электрически замкнуты с помощью специального контактного устройства или электропроводящей ваты.

    9. Работник ИП, назначаемый распоряжением по цеху 2, копии которого передаются в отдел качества и ПЗ 4400, проводит измерения электрических параметров микросхем контрольной выборки и передает микросхемы с распечатками результатов измерений ИБ для проведения испытаний.

    10. ИБ проводит испытания с участием, при необходимости, представителей предприятия, осуществляет контроль работоспособности и оценку показателей стойкости микросхем контрольной выборки в процессе испытаний, обеспечивает метрологическое и дозиметрическое сопровождение испытаний. После завершения испытаний ИБ возвращает микросхемы на предприятие для проведения измерений.

    11. После испытаний работник ИП проводит измерения электрических параметров микросхем контрольной выборки и передает распечатки результатов измерений ИБ для оформления протокола испытаний.

    12. При отсутствии отказов в процессе и после испытаний уполномоченный представитель ИП производит запись в СЛ “Партия пластин соответствует требованиям ТУ по стойкости к воздействию специальных факторов (см. протокол испытаний №…) и подлежит запуску в производство”, согласует СЛ с ПЗ 4400 и передает в цех 1.

    Уполномоченный персонал цеха 1 вносит номер протокола испытаний в соответствующую графу основного СЛ. При очередных запусках на сборку пластин из аттестованной таким образом партии номер протокола испытаний заносится в соответствующие СЛ.
    * Примечание: Допускается запуск на сборку остальных кристаллов под план производства по отдельному решению.
    СТП ДВУК-20.35-2006

    13. При получении отрицательных результатов испытаний ИБ немедленно информирует об этом своим извещением ГК микросхем и ИП. ГК микросхем немедленно разрабатывает и утверждает в установленном порядке программу анализа отказавших микросхем с привлечением ЛАО, ИП и других подразделений предприятия. По результатам анализа отказавших при испытаниях микросхем ГК микросхем выпускает протокол анализа, который подписывают ГК микросхем, ЛАО, ИП, отдел качества, ПЗ 4400, согласует начальник ПЗ 4400 и утверждает главный контролер.
    Если результаты анализа отказавших микросхем покажут, что характер отказов не связан со снижением стойкости микросхем к воздействию специальных факторов (обусловлен нарушением режимов испытаний из-за возникших неисправностей испытательного или измерительного оборудования или ошибки оператора), то результаты испытаний считают недействительными и аннулируют. Аннулирование результатов испытаний ИП оформляет актом, который подписывают ГК микросхем, представители ИП, отдела качества, ПЗ 4400 в цехах и утверждают главный контролер и начальник ПЗ 4400. На основе результатов анализа отказавших микросхем ГК микросхем разрабатывает, согласует с ПЗ 4400, главным контролером и утверждает у руководства предприятия необходимые мероприятия по предотвращению причин, приведших к отрицательным результатам испытаний. После внедрения мероприятий проводят испытания новой контрольной выборки микросхем, изготовленной на основе кристаллов той же контрольной пластины (см. п.п. 6…11 настоящей инструкции).
    Если результаты анализа отказавших микросхем покажут, что характер отказов связан со снижением стойкости микросхем к воздействию специальных факторов, ГК микросхем и уполномоченный представитель ИП производят запись в СЛ “Партия пластин не соответствует требованиям ТУ по стойкости к воздействию специальных факторов (см. протокол испытаний №…) и не подлежит запуску в производство”, согласуют СЛ с ПЗ 4400 и передают в цех 1. Руководство цеха 1 с участием ГК микросхем разрабатывает и утверждает установленным порядком мероприятия по устранению причин, приведших к отрицательным результатам, и решение по использованию или сдаче в изолятор брака для уничтожения испытанной партии пластин установленным СТП ДВУК-20.31 порядком. После внедрения мероприятий проводят новые испытания на новой партии пластин.
    СТП ДВУК-20.35-2006
    Лист регистрации изменений



    Изм.

    Номера листов (страниц)

    Всего листов (страниц) в докум.



    докум.

    Подпись

    Дата

    измененных

    замененных

    новых

    аннулированных
























































































































































































































































































































































































































































    написать администратору сайта