электроника и схемотехника. 1 билет Свойства последовательного соединения элементов rlc. Последовательным
 Скачать 1.35 Mb.
|
|
1 билет: 1. Свойства последовательного соединения элементов RLC. Последовательным называют такие соединения элементов, при котором конец одного элемента соединен с началом другого элемента, образую простой узел. Электрическая цепь с последовательным соединением элементов r, l и c П  усть в заданной схемес последовательным соединением элементов R, L и C (рис. 47) протекает переменный ток .По 2-му закону Кирхгофа для мгновенных значений функций получим уравнение в дифференциальной форме:  .То же уравнение в комплексной форме получит вид:  где  комплексное сопротивление,  реактивное (эквивалентное) сопротивление,  модуль комплексного или полное сопротивление,  аргумент комплексного сопротивления или угол сдвига фаз между напряжением и током на входе схемы. При  фазный уголφ>0, при этом цепь в целом носит активно-индуктивный характер, а при  иφ<0 – цепь в целом носит активно-емкостный характер.Уравнение закона Ома для последовательной схемы будет иметь вид:  в комплексной форме, в обычной форме для модулей.В  екторная диаграмма тока и напряжений при φ>0 показана на рис. 48.В рассматриваемой цепи на переменном токе будут происходить одновременно два физических процесса: преобразование энергии в другие виды в резисторе R (активный процесс) и взаимный обмен энергией между магнитным полем катушки, электрическим полем конденсатора и источником энергии (реактивный процесс). 2. Особенности схемотехники ЗУ с произвольной выборкой Запоминающее устройство с произвольным доступом (сокращённо ЗУПД), также Запоминающее устройство с произвольной выборкой (сокращённо ЗУПВ; англ. Random Access Memory, RAM) — один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке (всегда за одно и то же время, вне зависимости от расположения) по её адресу на чтение или запись. Это отличает данный вид памяти от устройств памяти первых компьютеров (последовательных компьютеров), созданных в конце 1940-х — начале 1950-х годов (EDSAC, EDVAC, UNIVAC), которые для хранения программы использовали разрядно-последовательную память на ртутных линиях задержки, при которой разряды слова для последующей обработки в АЛУ поступали последовательно один за другим. Виды ЗУПВ Полупроводниковая статическая (англ. StaticRandomAccessMemory, SRAM) — ячейки представляют собой полупроводниковые триггеры. Достоинства — небольшое энергопотребление, высокое быстродействие. Отсутствие необходимости производить «регенерацию». Недостатки — малый объём, высокая стоимость. Благодаря принципиальным достоинствам широко используется в качестве кеш-памяти процессоров в компьютерах. Полупроодниковая динамическая (англ. DynamicRandomAccessMemory, DRAM) — каждая ячейка представляет собойконденсатор на основе перехода КМОП-транзистора. Достоинства — низкая стоимость, большой объём. Недостатки — необходимость периодического считывания и перезаписи каждой ячейки — т. н. «регенерации», и, как следствие, понижение быстродействия, большое энергопотребление. Процесс регенерации реализуется специальнымконтроллером, установленным на материнской плате или в центральном процессоре. DRAM обычно используется в качестве оперативной памяти (ОЗУ) компьютеров.В настоящее время выпускается в виде модулей памяти — небольшой печатной платы, на которой размещенымикросхемы запоминающего устройства. Ф  ерромагнитная — представляет собой матрицу из проводников, на пересечении которых находятся кольца или биаксы, изготовленные из ферромагнитных материалов. Достоинства — устойчивость к радиации, сохранение информации при выключении питания; недостатки — малая ёмкость, большой вес, стирание информации при каждом чтении. В настоящее время в таком, собранном из дискретных компонентов виде, не применяется. Однако к 2003 году появилась магнитная память MRAM в интегральном исполнении. Сочетая скорость SRAM и возможность хранения информации при отключённом питании, MRAM является перспективной заменой используемым ныне типам ROM и RAM. Однако она на 2006 год была приблизительно вдвое дороже микросхем SRAM (при той же ёмкости и габаритах).2 билет: 1. Свойства параллельного соединения элементов RLC. |