Никишин. никишин вопросы2. 1. Электропроводность полупроводников

• Название: 1. Электропроводность полупроводников
• Анкор: Никишин
• Дата: 05.09.2022
• Размер: 0.66 Mb.
• Имя файла: никишин вопросы2.odt
• Тип: Документы; #662736
• страница: 1 из 8

1. Электропроводность полупроводников

Электропроводность полупроводников, как и других твердых тел, определяется направленным движением электронов под действием внешнего электрического поля. Существенные отличия электропроводности полупроводников от проводников и диэлектриков объясняется различием их энергетических диаграмм, показанных на рис. 1.2. Здесь 1 зона проводимости, 2 — валентная зона, 3 — запрещенная зона.

У проводников запрещенная зона отсутствует. Как видно из рисунка, зона проводимости и валет пая зона частично перекрываются. При этом образуется свободная зона, имеющая свободные энергетические уровни.



2. Полупроводниковый диод

Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.

Типы диодов по частотному диапазону[править | править код]

• 
  Низкочастотные
  
• 
  Высокочастотные
  
• 
  СВЧ
  

Типы диодов по размеру перехода[править | править код]

• 
  Плоскостные
  
• 
  Точечные
  
• 
  Микросплавные
  

3. Полупроводниковый стабилитрон

Полупроводнико́вый стабилитро́н— полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя[1]. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко[1]. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей ома до сотен oм Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В[






4. Биполярный транзистор: устройство, назначение, принцип работы

Основной функцией биполярного транзистора (БТ) является увеличение мощности входного электрического сигнала.

Принцип работы биполярного транзистора;
При подключении эмиттера и коллектора к источнику питания создаются почти все условия для протекания тока. Однако свободному перемещению носителей заряда препятствует база, и для устранения этой помехи на неё подаётся напряжение смещения. В базовом слое полупроводника возникают физико-химические процессы электронно-дырочной рекомбинации, в результате которой через базу начинает течь небольшой ток. В результате p-n-переходы открывают путь потоку носителей заряда от эмиттера к коллектору.

Устройство биполярного транзистора.

Этот полупроводниковый триод состоит из 3 частей – эмиттера, коллектора и базы. Таким образом, ключевыми элементами биполярного транзистора являются два p-n-перехода, а не один, как в полевых. Эмиттер исполняет функцию генератора носителей заряда, которые формируют рабочий ток, стекающий в приёмник – коллектор. База необходима для подачи управляющего напряжения.
5. Полевой транзистор: структура, назначение, принцип действия
Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором



Электроды полевого транзистора называются:

• 
  исток — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
  
• 
  сток— электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
  
• 
  затвор — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.
  

6. Схемы включения транзисторов и назначение схем