ЭЦиМСТ-2. 1 Генераторы линейноизменяющегося напряжения
 Скачать 278.5 Kb.
|
|
ТЕМА: [1] Диодно-транзисторная логика. Резистор на входе ТТЛ. Элементы с открытым коллектором.Формирователь импульсов на логическом элементе. --------------------------------------------- ВОПРОС № 172 " Какую величину должно превысить Uвх1 = Uвх2 для получения логического нуля на выходе? Прямое падение напряжения на диодах считать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В. -10.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+6) --------------------------------------------- ВОПРОС № 173 " Какой сигнал нужно подать на вход Uвх1 для получения логического нуля на выходе, если Uвх2 = '1'? Прямое падение напряжения на диодах считать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В. -10.bmpris " ОТВ.ввести: {1,'1',высокий,(логическую,единицу)} --------------------------------------------- ВОПРОС № 174 " Какой сигнал нужно подать на вход Uвх1 для получения логической единицы на выходе, если Uвх2 = '1'? Прямое падение напряжения на диодах считать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В. -10.bmpris " ОТВ.ввести: {0,'0',низкий,(логический,ноль)} --------------------------------------------- ВОПРОС № 175 " Рассчитайте величину сопротивления R, необходимую для создания входного напряжения низкого уровня Uвх = 0.2 В. При расчетах полагать Uэб = 0.8 В, Uкэ = 0.2 В. Ответ дать в к. -13.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+2) --------------------------------------------- ВОПРОС № 176 " Рассчитайте величину сопротивления R, необходимую для создания входного напряжения высокого уровня Uвх = 2.4 В. При расчетах полагать Uэб = 0.8 В, Uкэ = 0.2 В. Ответ дать в к и округлить до двух значащих цифр. -13.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (5+{.+,}+3) --------------------------------------------- ВОПРОС № 177 " Найдите отношение Rб/R, если на резисторе R падает напряжение 0.2В При расчетах полагать Uэб = 0.8 В, Rб = 4 кОм. -26.bmpris " ОТВ.ввести: (20) --------------------------------------------- ВОПРОС № 178 " Найти максимальное сопротивление нагрузки Rн из условия обеспечения уровня логической единицы на выходе DD1. Ответ дать в кОм и округлить до двух значащих цифр. -20.bmpris DD1 - К155ЛА8 ( (I,ут%вых) = 250 мкА, (I,вых,0) = 16 мА) DD2 - К155ЛН1 ( (I,вх,1) = 40 мкА, (I,вх,0) = 1.6 мА, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В.)" ОТВ.ввести: key ,=+ end (3+{.+,}+7) --------------------------------------------- ВОПРОС № 179 " Найти минимальное сопротивление нагрузки Rн из условия обеспечения уровня логического нуля на выходе DD1. Ответ дать в Ом. -21.bmpris DD1 - К155ЛА8 ( (I,ут%вых) = 250 мкА, (I,вых,0) = 16 мА) DD2 - К155ЛН1 ( (I,вх,1) = 40 мкА, (I,вх,0) = 1.6 мА, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В.)" ОТВ.ввести: (575) --------------------------------------------- ВОПРОС № 180 " Найдите величину Uc(0), если Е = 5 В, R = 200 Ом, Uвх(0) = 0.42 В, Uбэм = 0.8 В, Rбм = 4 кОм. -27.bmpris" ОТВ.ввести: (20) ============================================ ТЕМА: [1] Мультивибратор --------------------------------------------- ВОПРОС № 181 " Рассчитать величину сопротивления Rб, если С1 = С2 = 0.1 мкФ, а период генерируемых колебаний равен Т = 1.4 мс. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в кОм. -1.bmpris" ОТВ.ввести: (10) --------------------------------------------- ВОПРОС № 182 " Рассчитать частоту следования импульсов Uвых, если С1 = 0.1 мкФ, C2 = 0.3 мкФ, Rб = 10 кОм. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в Гц и округлить до целого числа. -1.bmpris" ОТВ.ввести: (357) --------------------------------------------- ВОПРОС № 183 " Рассчитать величину сопротивления Rб, если С1 = С2 = 0.1 мкФ, а Rк = 1 кОм. Транзистор находится в режиме, граничащем с насыщением (S = 1). Ответ дать в кОм. -3.bmpris Транзисторы типа КТ333А (Uкэн = 0.2 В, Uбэн = 0.8 В, beta = 98). ОТВ.ввести: (92) --------------------------------------------- ВОПРОС № 184 " Величина сопротивления Rб = 20 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ, а Rк = 1 кОм. Определить ток открытого транзистора. Ответ дать в мА. -3.bmpris Транзисторы типа КТ333А (Uкэн = 0.2 В, Uбэн = 0.8 В, beta = 98). ОТВ.ввести: key ,=+ end (9+{.+,}+8) --------------------------------------------- ВОПРОС № 185 " Дано: Rб = 10 кОм, С1 = 0.1 мкФ, Rк = 1 кОм. Определить скважность Uвых, если С2 = 0.3 мкФ. Транзисторы считать идеальными ключами. Дробный ответ округлить до трех значащих цифр. -1.bmpris " ОТВ.ввести: {1.33,4} --------------------------------------------- ВОПРОС № 186 " Скважность импульсов Uвых равна 5, а период Т = 0.2 мс. Оценить длительность импульса на коллекторе VT2. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мкс. -1.bmpris " ОТВ.ввести: (160) --------------------------------------------- ВОПРОС № 187 " Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 14 кОм, beta = 30. Рассчитать С1 = С2 для получения колебаний с частотой 50 кГц. Ответ дать в пФ. -3.bmpris " ОТВ.ввести: (1000) --------------------------------------------- ВОПРОС № 188 " Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 14 кОм, beta = 28. Рассчитать степень насыщения открытого транзистора. Транзисторы считать идеальными ключами. -8.bmpris " ОТВ.ввести: (2) --------------------------------------------- ВОПРОС № 189 " Дано: Rк = 2 кОм, Rб = 15 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ. Рассчитать длительность импульсов Uвых. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мс и округлить до двух значащих цифр. -9.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+8) --------------------------------------------- ВОПРОС № 190 " Дано: Rк = 2 кОм, Rб = 15 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ. Во сколько раз частота импульсов меньше, чем в схеме, где общая точка резисторов Rб подключена к источнику -12 В. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ округлить до двух значащих цифр. -9.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+6) --------------------------------------------- ВОПРОС № 191 " Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 10 кОм, beta = 50, С1 = С2 = 0.1 мкФ. Рассчитайте минимальное значение напряжения Е, при котором мультивибратор сохраняет работоспособность. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ округлите до двух значащих цифр, в качестве разделителя целой и дробной части используйте точку. -11.bmpris " ОТВ.ввести: (-,2.4) --------------------------------------------- ВОПРОС № 192 " Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 20 кОм, С = 1 мкФ. Рассчитайте длительность фронта выходного импульса, снимаемого с коллектора закрывшегося ключа. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мс. -12.bmpris " ОТВ.ввести: (3) --------------------------------------------- ВОПРОС № 193 " Рассчитать постоянную времени заряда конденсатора С = 8000 пФ, если Rк = 1 кОм, R = 20 кОм, Rб = 10 кОм. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мкс. -13.bmpris " ОТВ.ввести: (160) --------------------------------------------- ВОПРОС № 194 " Дано: Rб = 20 кОм, R = Rк = 1 кОм, С = 1 мкФ, Сп = 1000 пФ. Рассчитать длительность фронта выходного импульса, снимаемого с коллектора запирающегося транзистора VT1. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мкс. -14.bmpris " ОТВ.ввести: (3) --------------------------------------------- ВОПРОС № 195 " Дано: R = Rк = 10 кОм, Rб = 200 кОм, С = 0.1 мкФ. Рассчитать эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки при разряде конденсатора. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в кОм. -13.bmpris " ОТВ.ввести: (5) --------------------------------------------- ВОПРОС № 196 " Дано: R = Rк = 10 кОм, Rб = 200 кОм, С = 0.1 мкФ. Рассчитать перепад напряжения на коллекторе транзистора VT2. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в вольтах. -16.bmpris " ОТВ.ввести: {6,-6} --------------------------------------------- ВОПРОС № 197 " Дано: R = 1 кОм, Rк = 1 кОм, Rб = 10 кОм, С = 1 мкФ. Рассчитать длительность выходных импульсов. Транзисторы и диоды считать идеальными ключами. Ответ дать в мс и округлить до целого числа. -17.bmpris " ОТВ.ввести: (4) -------------------------------------------- ВОПРОС № 198 " Дано: Rк = 5 кОм, Rб = 20 кОм, С = 0.1 мкФ, выходное сопротивление эмиттерных повторителей - 100 Ом. Рассчитайте длительность отрицательных фронтов выходного напряжения в узле Т. Ответ дать в мкс. -18.bmpris " ОТВ.ввести: (30) --------------------------------------------- ВОПРОС № 199 " Рассчитать постоянную времени заряда конденсатора С, если: C = 1 мкФ, R = 500 Ом, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В, (U,пор) = 1.5 В, (R,вых,0) = 10 Ом, (R,вых,1) = 100 Ом. Ответ дать в мкс. -29.bmpris " ОТВ.ввести: (600) --------------------------------------------- ВОПРОС № 200 " Рассчитать начальное значение Uвх1, если: Е = 5 В, С = 1 мкФ, R = 400 Ом, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В, (U,пор) = 1.5 В, (R,бм) = 4 кОм, (U,бэм) = 0.6 В ( (U,бэм) и (R,бм) относятся к многоэмиттерному транзистору ТТЛ-инвертора). Ответ дать в вольтах. -30.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+4) --------------------------------------------- ВОПРОС № 201 " Рассчитать емкости конденсаторов С для формирования сигналов с частотой f = 5 кГц, если: Е = 5 В, (R,вых,1) = 200 Ом, R = 400 Ом, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В, (U,пор) = 1.6 В, (R,бм) = 4 кОм, (U,бэм) = 0.6 В ( (U,бэм) и (R,бм) относятся к многоэмиттерному транзистору ТТЛ-инвертора). Ответ дать в мкф и округлить до одной значащей цифры. -30.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+4) --------------------------------------------- ВОПРОС № 202 " Рассчитать постоянную времени восстановления схемы, предположив, что диоды в схему не поставлены, если: С = 0.1 мкФ, R = 190 Ом, (R,вых,0) = 10 Ом, Е = 5 В, (R,вых,1) = 100 Ом. Ответ дать в мкс. -32.bmpris " ОТВ.ввести: (20) --------------------------------------------- ВОПРОС № 203 " При формировании импульса (U,вых2) напряжение (U,вх) изменяется во врем по закону: (U,вх)$(t)$prob=prob$(U,вх)$(0)$prob-prob$[(U,вх)$(beskon) $prob-prob$(U,вх)$(0)]$(e,minus$t/tau), где tau$prob=prob $C$(R$prob+prob$(R,вых,1)). Какое из приведенных соотношений определяет длительность импульса? -30.bmpris 1) (t,и)$prob=prob$C$(prob$(R,вых,1)$prob+prob$R)$ln$||(U,вых,1) $prob+prob$(U,вых,0)$prob+prob$(U,R)|/(U,пор)|; 2) (t,и)$prob=prob$C$(prob$(R,вых,0)$prob+prob$R)$ln$||(U,вых,1) $prob-prob$(U,вых,0)$prob-prob$(U,R)|/(U,пор)|; 3) (t,и)$prob=prob$C$(prob$(R,вых,1)$prob+prob$R)$ln$||(U,вых,1) $prob-prob$(U,вых,0)$prob+prob$(U,R)|/(U,пор)|; 4) (t,и)$prob=prob$C$(prob$(R,вых,0)$prob+prob$R)$ln$||(U,вых,1) $prob+prob$(U,вых,0)$prob+prob$(U,R)|/(U,пор)|. ОТВ.ввести: (3) --------------------------------------------- ВОПРОС № 204 " При плавном включении напряжения источника питания в схеме не возникли автоколебания (из-за жесткого режима возбуждения). Укажите, какому состоянию выходов соответствует такой режим? -32.bmpris 1) Uвых1 = '1', Uвых2 = '0'; 2) Uвых1 = '0', Uвых1 = '1'; 3) Uвых1 = '0', Uвых2 = '0'; 4) Uвых1 = '1', Uвых2 = '1'. ОТВ.ввести: (4) --------------------------------------------- ВОПРОС № 205 " Оцените период генерируемых колебаний, если С = 0.1 мкФ, R = 10 кОм, R1 = 20 кОм, R2 = 10 кОм. ОУ питается от источника @pm15 В. Ответ дать в мс. -40.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+4) ============================================= ТЕМА: [1] Одновибратор.Ждущий мультивибратор. --------------------------------------------- ВОПРОС № 206 " Дано: Rк1 = 6 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, Rб = 10 кОм, С = 2 мкФ. Рассчитать длительность формируемого импульса. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мс. -19.bmpris " ОТВ.ввести: (14) --------------------------------------------- ВОПРОС № 207 " Рассчитать величину сопротивления резистора Rб исходя из условий: VT2 насыщен базовым током 0.5 мА, на резисторе Rэ падает 3 В. Транзисторы считать идеальными ключами, Rк2 = 3 кОм. Ответ дать в кОм. -19.bmpris " ОТВ.ввести: (24) --------------------------------------------- ВОПРОС № 208 " Рассчитать амплитуду выходного импульса, если заданы: Rк1 = 5 кОм, Rк2 = 1 кОм, Rэ = 500 Ом, Rб = 10 кОм, С = 1 мкФ. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в вольтах. -19.bmpris " ОТВ.ввести: {10,-10} --------------------------------------------- ВОПРОС № 209 " Рассчитать постоянную времени восстановления схемы, если заданы: Rк1 = 6 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rб = 10 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 2 мкФ. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в мс. -19.bmpris " ОТВ.ввести: (5) --------------------------------------------- ВОПРОС № 210 " Укажите верную запись условия насыщения VT2: 1) beta$|(E,к)-(U,э)|/(R,б)$prob$@ge$prob$|(E,к)-(U,э)|/(R,к2); 2) beta$|(E,к)-(U,э)|/(R,к1)$prob$@ge$prob$|(E,к)-(U,э)|/(R,к2); 3) beta$|(E,к)-(U,э)|/(R,б)$prob$<$prob$|(E,к)-(U,э)|/(R,к2); 4) beta$|(E,к)-(U,э)|/(R,к1)$prob$<$prob$|(E,к)-(U,э)|/(R,к2). -19.bmpris ОТВ.ввести: (1) --------------------------------------------- ВОПРОС № 211 " Дано: Rк1 = 4.5 кОм, Rк2 = 1 кОм, Rб = 20 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ. Рассчитать амплитуду импульса на эмиттерном сопротивлении Rэ. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в вольтах. -19.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (3+{.+,}+5) --------------------------------------------- ВОПРОС № 212 " Дано: Rк1 = 3 кОм, Rк2 = 1 кОм, Rб = 25 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, R1 = 20 кОм, R2 = 5 кОм. Рассчитать величину напряжения, запирающего VT1. Транзисторы считать идеальными ключами. Ответ дать в вольтах. -19.bmpris " ОТВ.ввести: (2) --------------------------------------------- ВОПРОС № 213 " Дано: Rк1 = 5 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, Rб = 10кОм Напряжение между базой и эмиттером VT2 при формировании выходного изменяется по закону: Uб2(t) = Uб2( beskon) - [Uб2( beskon) - Uб2(0)] (e,minus$t/tразр). Рассчитайте Uб2( beskon). Ответ дать в вольтах. -26.bmpris " ОТВ.ввести: (-,10) --------------------------------------------- ВОПРОС № 214 " Дано: Rк1 = 5 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, Rб = 10кОм. Напряжение между базой и эмиттером VT2 при формировании выходного изменяется по закону: Uб2(t) = Uб2( beskon) - [Uб2( beskon) - Uб2(0)] (e,minus$t/tразр). Рассчитайте Uб2(0). Ответ дать в вольтах. ОТВ.ввести: (8) -27.bmpris " --------------------------------------------- ВОПРОС № 215 " Дано: Rк1 = 7 кОм, Rк2 = 2 кОм, Rэ = 500 Ом, С = 1 мкФ, Rб = 10 кОм, Rк' = 2.5 кОм. Напряжение между базой и эмиттером VT2 при формировании выходного изменяется по закону: Uб2(t) = Uб2( beskon) - [Uб2( beskon) - Uб2(0)] (e,minus$t/tразр). Рассчитайте Uб2( beskon). Ответ дать в вольтах. -28.bmpris " ОТВ.ввести: (-,3) --------------------------------------------- ВОПРОС № 216 " Рассчитать длительность выходного импульса, если (U,вых,1) = 3.6 В, (U,пор) = 1.5 В, R = 500 Ом, (R,вых,1) = 100 Ом, С = 0.01 мкФ, (t,изапуска) = 1 мкс. Ответ дать в мкс и округлить до двух значащих цифр. -35.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (4+{.+,}+2) --------------------------------------------- ВОПРОС № 217 " Дано: (R,вых,0) = 10 Ом, (R,вых,1) = 200 Ом, R = 190 Ом, С = 0.1 мкФ, (R,пр) = 90 Ом, (R,обр) = 100 кОм. Рассчитать отношение постоянной времени восстановления схемы после обрыва цепи VD к постоянной времени до обрыва. -35.bmpris " ОТВ.ввести: (2) --------------------------------------------- ВОПРОС № 218 " Дано: (R,вых,0) = 10 Ом, (R,вых,1) = 100 Ом, R = 990 Ом, С = 0.01 мкФ, (U,пор) = 1.8 В, (U,вых,1) = 3.6 В. Рассчитать длительность выходного импульса. Ответ дать в мкс. -37.bmpris " ОТВ.ввести: (7) --------------------------------------------- ВОПРОС № 219 " Дано: (R,вых,0) = 10 Ом, (R,вых,1) = 100 Ом, R = 990 Ом, С = 0.01 мкФ, (U,пор) = 1.8 В, (U,вых,1) = 3.6 В. Рассчитать постоянную времени цепи восстановления схемы в устойчивое состояние. Ответ дать в мкс. -37.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (10+{.+,}+9) --------------------------------------------- ВОПРОС № 220 "Дано: (R,вых,0) = 10 Ом, (R,вых,1) = 100 Ом, R = 990 Ом, С = 0.01 мкФ, (U,пор) = 1.8 В, (U,вых,1) = 3.6 В. Рассчитать постоянную времени цепи восстановления схемы в устойчивое состояние. Параметры диода: (R,пр) = 100 Ом, (R,обр) = 100 кОм. Ответ дать в мкс. -39.bmpris " ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+9) ============================================= |