ответы на вопросы по лекции. 1 и 2 лекции. 2. Теперь можно рассчитать число витков обмотки Поверхностный эффект
 Скачать 1.15 Mb.
|
 1.  2. Теперь можно рассчитать число витков обмотки  3.  4. Поверхностный эффект, скин-эффект — эффект уменьшения амплитуды электромагнитных волн по мере их проникновения вглубь проводящей среды. В результате этого эффекта, например, переменный ток высокой частоты при протекании по проводнику распределяется не равномерно по сечению, а преимущественно в поверхностном слое.   5. Для уменьшения действия эффекта вытеснения тока элементарные проводники при сборке стержня переплетают между собой определенным образом так, чтобы каждый из них на протяжении пазовой части занимал попеременно все возможные положения по высоте стержня. Такое переплетение называют транспозицией 6. Величина этой индуктивности должна быть больше критической L > Lкр, чтобы обеспечить непрерывный характер тока нагрузки. Критическое значение индуктивности сглаживающего фильтра  7. Определим далее произведение индуктивности и емкости фильтра LфCф по формуле (11):   Емкость фильтра можно определить, разделив рассчитанное выше значение на :   6. Очевидное достоинство этой схемы – отсутствие перенапряжений на транзисторе, что позволяет использовать относительно дешевые силовые транзисторы с невысоким пробивным напряжением. Отметим также и недостаток этой схемы – последовательное включение на пути рабочего тока первичной обмотки W1 трансформатора Т двух транзисторов. Однако в случае применения низковольтных транзисторов MOSFET, которые, как известно, имеют пониженное сопротивление открытого канала, увеличение потерь мощности на транзисторах оказывается незначительным и не приводит к какому-либо заметному снижению КПД преобразователя. 7. Для предохранения силового транзистора ООП от пробоя и от перегрузки по току в первую очередь необходимо применять только полевые транзисторы (MOSFET) [7]. Они имеют универсальные динамические характеристики и высокую перегрузочную способность. Кроме этого, у этих транзисторов практически отсутствует явление вторичного пробоя, которое имеет место у биполярных транзисторов. Из-за этого недостатка биполярные транзисторы не нашли широкого применения в высокочастотных ООП. |