полупроводниковые резисторы. 3. Диоды выпрямительные. Основные свойства и характеристики. 3

• Название: 3. Диоды выпрямительные. Основные свойства и характеристики. 3
• Анкор: полупроводниковые резисторы
• Дата: 20.03.2022
• Размер: 3.83 Mb.
• Имя файла: 1_Poluprovodnikovye_rezistory_Kharakteristiki_parametry_naznache.docx
• Тип: Документы; #406238
• страница: 5 из 19

8. Транзисторы униполярные (полевые). Основные свойства и характеристики.

Униполярный (полевой) транзистор – это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.

Униполярные транзисторы подразделяются на два больших класса: с управляющими р-п переходами и изолированным затвором.

1. 
   Выходная характеристика – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированном значении входного напряжения: .
   
2. 
   Характеристика передачи тока - это зависимость выходного тока от входного напряжения при фиксированном значении выходного напряжения: .
   

Условное обозначение
а) p - n - n; б) n - p - n

9. Тиристоры. Основные свойства и характеристики.

Это полупроводниковый прибор имеющий 4-ех слойную структуру и 3 p-n-перехода. Он бывает 2-ух электродный и 3-ех электродный.




Электрические характеристики тиристоров близки к характеристикам идеального ключа.

Они могут находиться только в двух состояниях:

- закрытом – сопротивление более 100 кОм;

- открытом – сопротивление 0,01…0,1 Ом.

Общим признаком, характерным для четырёхслойных полупроводниковых структур, является регенеративный процесс, происходящий при открывании (переходе из закрытого в открытое состояние). Регенеративный процесс возникает из-за внутренней положительной обратной связи.

10. Интегральные микросхемы. Общая характеристика.

это электр. схема выполненная по технологии микро-минитилизации электр. приборов представляющая собой законченное изделие заключенное в единый корпус.

Бывают : 1) полупроводниковые; 2) гибридные

1)Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле

2) Гибридная микросхема (часто называемая микросборкой), содержит несколько бескорпусных диодов, бескорпусных транзисторов и(или) других электронных активных компонентов. Также микросборка может включать в себя бескорпусные интегральные микросхемы. Пассивные компоненты микросборки (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) обычно изготавливаются методами тонкоплёночной или толстоплёночной технологий на общей, обычно керамической подложке гибридной микросхемы. Вся подложка с компонентами помещается в единый герметизированный корпус

11. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы.

Фотоэлектрическими называют такие приборы, в которых лучистая энергия преобразуется в электрическую.

Принцип действия полупроводниковых фотоэлектрических приборов основан на использовании внутреннего фотоэффекта, суть которого заключается в следующем. Лучистая энергия излучается в виде квантов света (фотонов) с энергией W= hν, где h — постоянная Планка, ν — частота излучения. Под воздействием этой энергии в чистых полупроводниках (и в меньшей степени в диэлектриках) энергия части валентных электронов может увеличиться настолько, что они смогут преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости. В примесных полупроводниках n-типа под воздействием лучистой энергии электроны с донорных уровней могут перейти в зону проводимости, а в полупроводниках р-типа дырки с акцепторных уровней — в валентную зону (т. е. фак­тически валентные электроны перейдут на акцепторные уровни). Для того чтобы электроны чистого полупроводника могли пре­одолеть запрещенную зону, необходимо сообщить им энергию, боль­шую энергии активации собственной электропроводности ΔWa, или в крайнем случае равную ей, т. е. нужно выполнить условие возникновения фотоэффекта hν ≥ ΔWa. В примесных полупроводниках электронам нужно сообщить энергию большую (или равную), чем энергия ионизации ΔWи т. е. hν ≥ ΔWи.

Полупроводник при этом приобретает добавочную проводимость, которая называется фотопроводимостью. Отметим, что проводимость, обусловленная тепловым возбуждением носителей заряда, называется также темновой проводимостью. Когда энергия фотона равна энергии активации (энергии ионизации для примесных полупроводников), ее назы­вают порогом фотоэффекта. Длину волны λ₀, соответствующую мини­мальной частоте ν₀ (hν₀ = ΔWa), называют красной границей внутрен­него фотоэффекта. При этом ν [Гц] = 3 • 10¹⁴/λ₀, где λ₀ — в мкм.

Для разных полупроводников значения λ₀ различны. Так, для гер­мания λ ₀ ≈ 1,7 мкм, т. е. граница фотоэффекта лежит в инфракрасной области.

Фоторезисторы — полупроводниковые приборы, которые имеют два контакта и электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсив­ности и спектрального состава падающего излучения.