полупроводниковые резисторы. 3. Диоды выпрямительные. Основные свойства и характеристики. 3

• Название: 3. Диоды выпрямительные. Основные свойства и характеристики. 3
• Анкор: полупроводниковые резисторы
• Дата: 20.03.2022
• Размер: 3.83 Mb.
• Имя файла: 1_Poluprovodnikovye_rezistory_Kharakteristiki_parametry_naznache.docx
• Тип: Документы; #406238
• страница: 4 из 19

6. Транзисторы биполярные. Основные свойства и характеристики.

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, имеющий 3 области с чередующимися типами электропроводности и два взаимодействующих p-n-перехода и три вывода от каждой области полупроводника. Различают транзисторы со структурой p-n-p и n-p-n.

Средняя область называется базой. Она выполняется тонкой и обедненной основными носителями зарядов. Другие области называются эмиттером и коллектором и обладают более высокой концентрацией носителей зарядов одинакового типа. Эмиттер легируют примесями сильнее, так как он является источником основных носителей заряда, обеспечивая их инжекцию в область базы. Назначение коллектора – прием (экстракция) носителей заряда из базы. Концентрация носителей у него меньше чем у эмиттера. Ток в цепи коллектора складывается из тока инжектирующих зарядов и обратного тока коллектора: , , .

Инжекцией называется введение (нагнетание) носителей заряда через p-n-переход в область полупроводника, где они являются неосновными носителями за счет снижения потенциального барьера (прямое включение перехода).

Экстракцией называют процесс «втягивания» неосновных носителей заряда при обратном включении напряжения.

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента

7. Схема замещения и h-параметры биполярного транзистора.

При анализе и расчетах биполярный транзистор представляют в виде линейного четырехполюсника, с системами уравнений:

;

; (1.1)

где - приращение входного тока четырехполюсника;

- приращение входного напряжения;

- приращение выходного тока четырехполюсника;

- приращение выходного напряжения;

h11, h12, h21, h22 - коэффициенты, называемые h-параметрами транзистора

- определяется при = const ( = 0)? соответствует входному сопротивлению транзистора;

- определяется при ( =0), соответствует безразмерному коэффициенту внутренней обратной связи по напряжению;

- определяется при ( ), соответствует безразмерному коэффициенту передачи тока( );

- определяется при ( ), соответствует выходной проводимости транзистора.

Коэффициент h12 лежит в пределах 0,002-0,0002 поэтому им пренебрегают.

Системе уравнений (1.1) при h12=0 соответствует схема замещения транзистора, где h11 и 1/h22 - сопротивления схемы замещения, - управляемый источник тока.