эссе. А. Н. Туполева институт радиоэлектроники и телекоммуникации кгту (ирэт) Кафедра радиоэлектронных и квантовых устройств (рэку) Методические указания
![]()
|
Министерство образования и науки РФ КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (КНИТУ-КАИ) им. А.Н. ТУПОЛЕВА Институт радиоэлектроники и телекоммуникации КГТУ (ИРЭТ) Кафедра радиоэлектронных и квантовых устройств (РЭКУ) Методические указания ВЧ – тракт радиопередающего устройства Расчёт структурной схемы УБМ Составил: Ст. преп. каф. РЭКУ Гимадеева Л.А. Казань 2015 СодержаниеВведение 3 1.Обобщенная структурная схема 4 1.1. Функциональная схема ВЧ -- тракта РПдУ (рис.3) 7 1.1.1. Расчет оконечного каскада (ОК) 8 2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ) 15 2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ) 26 Список литературы 30 ВведениеОсновная задача проектирования радиопередающего устройства ( РПдУ) состоит в выборе наиболее эффективных решений с учётом государственных стандартов и современной элементной базы при реализации РПдУ в зависимости от назначения, условий эксплуатации, мощности в антенне, диапазона рабочих частот, вида модуляции, нестабильности рабочей частоты, уровня внеполосного излучения. При курсовом проектировании РПдУ прежде, чем производить расчет каскадов, необходимо рассчитать структурную схему РПдУ. В предлагаемых методических указаниях рассматривается многокаскадный ВЧ-тракт РПдУ на биполярных транзисторах . Результатом расчета структурной схемы является: а) тип активного элемента каждого каскада; б) номинальная величина напряжения питания каждого каскада; в) ориентировочные величины параметров каскадов: коэффициент усиления по мощности - КР, выходная мощность - Рвых, входная мощность - Рвх, коэффициент полезного действия - η; г) количество каскадов. 1.Обобщенная структурная схемаРасчет радиопередающего устройства (РПдУ) ведется от конца к началу, т.е. от передающей антенны до возбудителя (автогенератора – АГ). Как правило, при курсовом проектировании задаются следующие параметры: мощность в антенне РА, рабочая частота fраб, относительная нестабильность частоты ![]() вид модуляции, коэффициент нелинейных искажений Кни ; диапазон модулирующих частот Fн ….. Fв параметры антенны ZA = RA + jXA или сопротивление фидера ρф, коэффициент фильтрации выходного каскада Ф. Мощность возбудителя может быть: - ![]() ![]() ![]() - для кварцевых АГ (1.1) ![]() ![]() На рис.1 представлена обобщенная структурная схема РПдУ. Подключение модулятора зависит от вида модуляции и будет рассмотрено далее. ![]() Рис. 1. Обобщенная структурная схема РПдУ Ek1 <…< EK(k-1 ) <…< EK(k-1 ) < EKk – напряжение питания максимально в оконечном каскаде и снижается по мере продвижения к началу передатчика, равенство напряжений питания допускается при специальных требованиях. Кр1 >…> КР(к-i) >…> КР(к-i) > KPk – при правильном расчёте передатчика коэффициент усиления по мощности максимален в начальных каскадах и минимален в оконечном.
–УМ (усилитель мощности); ОК – оконечный каскад; ПРОК – предоконечный каскад; ПМК – промежуточный каскад; УмнЧ – умножитель частоты; В – возбудитель; М – модулятор. Модулятор (М) в зависимости от вида модуляции подключается или в конце ВЧ тракта – при АМ или ИМ, или в начале ВЧ тракта – при ЧМ. При ОМ формирователь ОМ сигнала включается в начале ВЧ тракта, а усилители мощности ВЧ тракта работают в режиме усиления модулированных колебаний, т.е. с низким кпд. ОК, ПРОК, ПМК, УмнЧ относятся к генераторам с внешним возбуждением (ГВВ) и любой из них включает в себя активный элемент и колебательную систему. В транзисторных радиопередатчиках чаще всего в качестве колебательных систем применяются П- , Г- , Т- образные фильтры, так как они удобны для согласования RЭКВКР и RН и имеют высокий коэффициент полезного действия , что является одним из основных требований при проектировании генераторов. RЭКВКР - это эквивалентное критическое сопротивление коллекторной нагрузки, соответствующее критическому энергетически выгодному режиму генератора , определяется при энергетическом расчёте усилителя мощности, RН- сопротивление нагрузки каскада, в ОК- это сопротивление фидера или антенны, в ПРОК, ПМК, УмнЧ-это входное сопротивление каскада, следующего после рассматриваемым. ![]() Рис. 2. Обобщенная структурная схема ВЧ- тракта РПдУ (В– возбудитель колебаний, УБМ- усилитель большой мощности, УСМ- усилитель средней мощности, УММ- усилитель малой мощности). Исходя из заданной мощности в антенне РА , необходимо определить мощность, которую должен выдать выбранный транзистор с учетом потерь в фидере ![]() ![]() ![]() где Рок – мощность на коллекторе оконечного каскада, ![]() ![]() ![]() Входная мощность оконечного каскада: ![]() где Кр – коэффициент усиления по мощности Мощность на коллекторе транзистора предоконечного каскада с учетом потерь в колебательной системе: ![]() Аналогично производятся расчеты промежуточных каскадов и умножителя частоты (если он требуется) до тех пор, пока входная мощность первого промежуточного каскада не будет примерно равна выходной мощности автогенератора ф. (1.1): ![]() 1.1. Функциональная схема ВЧ -- тракта РПдУ (рис.3)Расчет радиопередатчика ведется от конца к началу, т.е. от передающей антенны до возбудителя (автогенератора – АГ). ![]() Рис.3. Функциональная схема ВЧ- тракта РПдУ. 1– возбудитель колебаний (АГ) 2, 3,4, 5 – усилители мощности. 1.1.1. Расчет оконечного каскада (ОК)Исходные данные: Мощность в антенне РА=28Вт Рабочая частота fраб=80МГц Исходя из заданной мощности излучения в антенне в несущем режиме РА и с учетом потерь в фидере 0,8…0,9 и потерь в колебательной системе кс = 0,8…0,9, определяется требуемая мощность транзистора модулируемого каскада (в данном случае оконечного каскада) : ![]() ![]() Где Рок – мощность на коллекторе оконечного каскада. 1.1.2. Выбор активного элемента Транзистор оконечного каскада выбирается, исходя из требуемой мощности в максимальном режиме ![]() Мощность, которую можно будет получить при выборе данного транзистора, будет примерно равна: Рвых≈(1…1,3)∙Ррасс , (1.28) где Ррасс - мощность рассеивания на коллекторе. При f раб → fт – Рвых ↓, Кр ↓, то режим устойчивый; При f раб → fβ – Рвых ↑, Кр ↑, то режим неустойчивый. Также получение большой мощности приводит к снижению надежности транзистора. По мощности подходят транзистор 2Т….. (см. справочники). Для максимального использования активного элемента биполярный транзистор применяется в области высоких частот и выбирается, исходя из заданной частоты /1/: fТ >fраб> 3fβ где fβ – частота, на которой коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ падает до уровня 0,707 от статического низкочастотного коэффициента усиления по току, приведенного в справочнике. fT – граничная частота приводится в справочнике, если fT не указана, то ее можно определить по формуле : ![]() где |h21э|спр – модуль коэффициента усиления по току, измеренный на частоте fспр. Для транзистора 2Т…: ![]() ![]() ![]() Используем ![]() Или Статический коэффициент по току ![]() ![]() Коэффициент усиления по току на рабочей частоте: ![]() ![]() Проверим справедливость неравенства: fТ >fраб> 3fβ Для 2Т… 360 ∙106 >80 ∙106> 3∙ 7.2∙ 106 Условие выполняется, расчёт можно продолжать. ![]() Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты. Для проверки получения на выбранном транзисторе возможной мощности воспользуемся формулой через предельные допустимые параметры транзистора. ![]() где α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5 ![]() Рассчитаем rнас по одной из формул в зависимости от приведённых параметров в справочнике: Для 2Т…в справочнике , а) rнас указано в справочнике rнас[Ом]=0.15Ом ![]() ![]() или б) UКЭнас, IКнас – напряжение и ток в режиме насыщения, указаны в справочнике ![]() ![]() ![]() ![]() или в) Если в справочнике приведена выходная характеристика, то сопротивление насыщения можно определить (см.рис.5б и П.2) по формуле: ![]() ![]() ![]() ![]() а) б) Рис.5. а) Входная, проходная б) выходная характеристики биполярного транзистора где SБ – крутизна входной характеристики касательная в рабочей точке IБмах, E'Б Е', E'Б – напряжение отсечки базового тока, ![]() Соответствуют выбранному режиму IКmах и IБmах = ![]() Е' – напряжение отсечки коллекторного тока ( напряжение сдвига проходной характеристики ). UКЭост кр – остаточное напряжение К-Э, UБЭраб – напряжение Б-Э или г) Если в справочнике нет сведений о параметрах насыщения или выходной характеристики, но имеется выходная мощность, измеренная при напряжении UКЭ, то сопротивление насыщения можно определить по формуле: ![]() ![]() где Рвых – выходная мощность, измеренная при UКЭ. Рассчитаем мощность ф. (1.33) при использовании транзистора 2Т… ![]() Требуется ![]() Транзистор 2Т… подходит. Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы транзистора: Выбираем напряжение питания ЕК – напряжение питания, выбирается из следующего выражения: ![]() ![]() ![]() В выражении (1.35) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б. (ЕК > UКЭост; UВЫХ ≈ ЕК - UКЭост ). Подбирая Eк , IКmax Допустим зададим Eк=24В, IКmax=6,75А, определим возможную мощность: ![]() ![]() ![]() По заданию требуется РОК=38.754Вт, т.е. транзистор 2Т… подходит. 2.2. Определим коэффициент усиления по мощности: ![]() ![]() где параметры со штрихом K'P , f ', E'K , P'1 – параметры выбранного транзистора, приведенные в справочнике, (генератор может иметь коэффициент усиления K'P на частоте f ' при питании E'K , при этом на коллекторе данного транзистора можно получить мощность P'1) , ƒраб – рабочая частота, P1 – требуемая мощность, EK – задаваемое напряжение питания. При расчете Кр следует задавать режимы, близкие к справочным, большой запас по частоте может привести к неустойчивой работе генератора. Напряжение питания должно выбираться: ![]() где ![]() В выражении (2.3) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б. ![]() Получение мощности P1 > P'1 приводит к снижению надежности транзистора. Целесообразно выбрать такой транзистор, у которого в результате расчета ф. (2.2); 25…30 > KP > 1,5 По формуле (2.2) коэффициент усиления по мощности можно определить для биполярных транзисторов, у которых приведены необходимые параметры в справочнике. К сожалению, такие параметры имеются только для мощных высокочастотных транзисторов. В таких случаях рассчитывают коэффициент усиления по мощности /3.4/ по следующей формуле: ![]() где ƒmax – максимальная частота усиления по мощности биполярного транзистора. 2.1.7.Максимальная частота усиления мощности fmax. Поскольку при расчете ГВВ транзистор используется в области высоких частот, на параметры транзистора влияет его инерционность, т.е. на энергетические показатели ГВВ: выходная мощность, КПД, коэффициент усиления по мощности уменьшаются. Поэтому при определении fmaxнеобходимо учитывать инерционность транзистора и работу ГВВ в режиме с отсечкой коллекторного тока θВЧ /4/: ![]() ![]() ![]() ![]() Далее производится расчет параметров выбранного транзистора 2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)Определим параметры транзисторов: 2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формул А,Б,В,Г,Д в зависимости от имеющихся в справочнике данных. ![]() ![]() А. Если в справочнике имеется ![]() 2Т…: Для данного тр-ра ![]() Модуль входного сопротивления: ![]() ![]() ![]() ![]() Б. Если имеется входная характеристика, с её помощью определяем ![]() Известна высота импульса коллекторного тока: ![]() 2Т… Из ф.(1.16а,1.16б) Определим соответствующую высоту импульса базового тока: IБ max ![]() ![]() ![]() где ![]() ![]() Проверим ![]() ![]() ![]() ![]() Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где ![]() СК – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике. 2Т912А: СК[пФ]=200 (2.14) SП – крутизна по эмиттерному переходу /5/: 2Т912А: ![]() ![]() IK1 – ток первой гармоники коллекторного тока ![]() ![]() α1(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θНЧ ( ![]() IKmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5). ![]() tП – температура перехода [◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора tП=1600С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора . Таблица 5.
2.3.2. Сопротивление эмиттера rэ рассчитывается по формуле: ![]() ![]() ![]() ![]() Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где ![]() 2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то L (1…1,5) [ ![]() где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора. Или из справочника известно: 2Т…: LБ =2.3 нГн LЭ =2.1нГн 2.4. Входная мощность ![]() ![]() Все параметры сведем в таблицу.
Итак, все параметры ОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД. Расчет предоконечного каскада Выходная мощность ПредОК с учётом потерь в КС: ![]() ![]() Далее расчет параметров производится аналогично расчёту ОК. Выбор активного элемента Транзистор оконечного каскада выбирается, исходя из требуемой мощности в максимальном режиме ![]() Мощность, которую можно будет получить при выборе данного транзистора, будет примерно равна: Рвых≈(1…1,3)∙Ррасс , (1.28) где Ррасс - мощность рассеивания на коллекторе. При f раб → fт – Рвых ↓, Кр ↓, то режим устойчивый; При f раб → fβ – Рвых ↑, Кр ↑, то режим неустойчивый. Также получение большой мощности приводит к снижению надежности транзистора. По мощности подходят транзистор 2Т….. (см. справочники). Для максимального использования активного элемента биполярный транзистор применяется в области высоких частот и выбирается, исходя из заданной частоты /1/: fТ >fраб> 3fβ где fβ – частота, на которой коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ падает до уровня 0,707 от статического низкочастотного коэффициента усиления по току, приведенного в справочнике. fT – граничная частота приводится в справочнике, если fT не указана, то ее можно определить по формуле : ![]() где |h21э|спр – модуль коэффициента усиления по току, измеренный на частоте fспр. Для транзистора 2Т…: ![]() ![]() ![]() Используем ![]() Или Статический коэффициент по току ![]() ![]() Коэффициент усиления по току на рабочей частоте: ![]() ![]() Проверим справедливость неравенства: fТ >fраб> 3fβ Для 2Т… 360 ∙106 >80 ∙106> 3∙ 7.2∙ 106 Условие выполняется, расчёт можно продолжать. ![]() Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты. Для проверки получения на выбранном транзисторе возможной мощности воспользуемся формулой через предельные допустимые параметры транзистора. ![]() где α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5 ![]() Рассчитаем rнас по одной из формул в зависимости от приведённых параметров в справочнике: Для 2Т…в справочнике , а) rнас указано в справочнике rнас[Ом]=0.15Ом ![]() ![]() или б) UКЭнас, IКнас – напряжение и ток в режиме насыщения, указаны в справочнике ![]() ![]() ![]() ![]() или в) Если в справочнике приведена выходная характеристика, то сопротивление насыщения можно определить (см.рис.5б и П.2) по формуле: ![]() ![]() ![]() ![]() а) б) Рис.5. а) Входная, проходная б) выходная характеристики биполярного транзистора где SБ – крутизна входной характеристики касательная в рабочей точке IБмах, E'Б Е', E'Б – напряжение отсечки базового тока, ![]() Соответствуют выбранному режиму IКmах и IБmах = ![]() Е' – напряжение отсечки коллекторного тока ( напряжение сдвига проходной характеристики ). UКЭост кр – остаточное напряжение К-Э, UБЭраб – напряжение Б-Э или г) Если в справочнике нет сведений о параметрах насыщения или выходной характеристики, но имеется выходная мощность, измеренная при напряжении UКЭ, то сопротивление насыщения можно определить по формуле: ![]() ![]() где Рвых – выходная мощность, измеренная при UКЭ. Рассчитаем мощность ф. (1.33) при использовании транзистора 2Т… ![]() Требуется ![]() Транзистор 2Т… подходит. Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы транзистора. Выбираем напряжение питания ЕК – напряжение питания, выбирается из следующего выражения: ![]() ![]() ![]() В выражении (1.35) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б. (ЕК > UКЭост; UВЫХ ≈ ЕК - UКЭост ). Подбирая Eк , IКmax Допустим зададим Eк=24В, IКmax=6,75А, определим возможную мощность: ![]() ![]() ![]() По заданию требуется РОК=38.754Вт, т.е. транзистор 2Т… подходит. 2.2. Определим коэффициент усиления по мощности: ![]() ![]() где параметры со штрихом K'P , f ', E'K , P'1 – параметры выбранного транзистора, приведенные в справочнике, (генератор может иметь коэффициент усиления K'P на частоте f ' при питании E'K , при этом на коллекторе данного транзистора можно получить мощность P'1) , ƒраб – рабочая частота, P1 – требуемая мощность, EK – задаваемое напряжение питания. При расчете Кр следует задавать режимы, близкие к справочным, большой запас по частоте может привести к неустойчивой работе генератора. Напряжение питания должно выбираться: ![]() где ![]() В выражении (2.3) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б. ![]() Получение мощности P1 > P'1 приводит к снижению надежности транзистора. Целесообразно выбрать такой транзистор, у которого в результате расчета ф. (2.2); 25…30 > KP > 1,5 По формуле (2.2) коэффициент усиления по мощности можно определить для биполярных транзисторов, у которых приведены необходимые параметры в справочнике. К сожалению, такие параметры имеются только для мощных высокочастотных транзисторов. В таких случаях рассчитывают коэффициент усиления по мощности /3.4/ по следующей формуле: ![]() где ƒmax – максимальная частота усиления по мощности биполярного транзистора. 2.1.7.Максимальная частота усиления мощности fmax. Поскольку при расчете ГВВ транзистор используется в области высоких частот, на параметры транзистора влияет его инерционность, т.е. на энергетические показатели ГВВ: выходная мощность, КПД, коэффициент усиления по мощности уменьшаются. Поэтому при определении fmaxнеобходимо учитывать инерционность транзистора и работу ГВВ в режиме с отсечкой коллекторного тока θВЧ /4/: ![]() ![]() ![]() ![]() Далее производится расчет параметров выбранного транзистора 2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)Определим параметры транзисторов: 2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формул А,Б,В,Г,Д в зависимости от имеющихся в справочнике данных. ![]() ![]() А. Если в справочнике имеется ![]() 2Т…: Для данного тр-ра ![]() Модуль входного сопротивления: ![]() ![]() ![]() ![]() Б. Если имеется входная характеристика, с её помощью определяем ![]() Известна высота импульса коллекторного тока: ![]() 2Т… Из ф.(1.16а,1.16б) Определим соответствующую высоту импульса базового тока: IБ max ![]() ![]() ![]() где ![]() ![]() Проверим ![]() ![]() ![]() ![]() Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где ![]() СК – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике. 2Т912А: СК[пФ]=200 (2.14) SП – крутизна по эмиттерному переходу /5/: 2Т912А: ![]() ![]() IK1 – ток первой гармоники коллекторного тока ![]() ![]() α1(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θНЧ ( ![]() IKmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5). ![]() tП – температура перехода [◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора tП=1600С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора . Таблица 5.
2.3.2. Сопротивление эмиттера rэ рассчитывается по формуле: ![]() ![]() ![]() ![]() Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где ![]() 2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то L (1…1,5) [ ![]() где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора. Или из справочника известно: 2Т…: LБ =2.3 нГн LЭ =2.1нГн 2.4. Входная мощность ![]() ![]() Все параметры сведем в таблицу.
Итак, все параметры ПредОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД. Список литературыРадиопередающие устройства. /Под ред. В.В. Шахгильдяна; - М.: Радио и связь, 1996. – 560с Проектирование радиопередатчиков: Учеб. пособие для вузов / В.В. Шахгильдян, М.С. Шумилин, В.Б. Козырев и др. ; Под ред. В.В. Шахгильдяна. – М.: Радио и связь, 2000. – 656с.: ил. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. - М.: Советское радио,1970. Ю. В. Корчагин. О выборе типа транзистора для высокочастотного усилителя мощности. // Сб. “Полупроводниковые приборы в технике электросвязи.” Вып. 13 / Под ред. Николаевского. – М.: Связь, 1974. Проектирование радиопередающих устройств СВЧ: Учеб. пособие для вузов. /Под ред. Г. М. Уткина. - М.: Сов. Радио, 1979, -320 с. Каганов В. И. Транзисторные радиопередатчики. - М.: Энергия, 1970. - 328 с. Судаков Ю.И. Амплитудная модуляция и автомодуляция транзисторных генераторов: М.: Энергия, 1969.- 3 Радиопередающие устройства: Учебник для вузов. /Под ред. М.В. Благовещенского, Г.М. Уткина. Верзунов М. В. И др. Проектирование радиопередающих устройств малой и средней мощности М.: Энергия, 1967.- 376 с.: ил. Справочник по акустике. /Под ред. Сапожкова М.А.; - M.: Связь, 1979 Ю.И. Козюренко. Звукозапись с микрофона. – М.: Радио и связь, 1988. – 112с.: ил. – (Массовая радио библиотека). Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400с.: ил. Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б.П. Кудряшов, Ю.В. Назаров, Б.В. Тарабрин, В.А. Ушибышев. – М.: Радио и связь, 1981. – 160с., ил. – (Массовая радиобиблиотека; вып. 1033). Шахмаев М.М. Системы радиосвязи с однополосной угловой модуляцией. – Казань: Фен, 2001. – 192с. Проектирование радиопередающих устройств. Под ред. А.П.Сиверса. Учебное пособие для вузов, М., 1976. Авторы: Клич С.М., Кривенко А.С., Носиков Г.Н. и др. 17.Ворона В.А. Радиопередающие устройства. Основы теории и расчёта: Учебное пособие для ВУЗов. – М.: Горячая линия – Телеком, 2007 – 384с.: ![]() ил. |