Лабы ОСЭЛ. Физические основы электроники

• Название: Физические основы электроники
• Анкор: Лабы ОСЭЛ.doc
• Дата: 03.02.2018
• Размер: 1.58 Mb.
• Имя файла: Лабы ОСЭЛ.doc
• Тип: Документы; #15161
• страница: 4 из 8

2.3. Контрольные вопросы

1. Почему образуется запирающий слой в электронно-дырочном переходе? Каковы его электрические свойства?

2. Что такое барьерная ёмкость электронно-дырочного перехода? От каких параметров электронно-дырочного перехода она зависит?

3. Как зависит барьерная ёмкость от напряжения электронно-дырочного перехода? Почему?

4. Как зависит барьерная ёмкость от температуры? Почему?

5. Как влияет барьерная ёмкость на быстродействие и частотные свойства полупроводниковых приборов?

6. Как используют барьерная ёмкость в электронной технике?

3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Цель работы: получение экспериментальных вольт-амперных характеристик (ВАХ) биполярного транзистора и определение его h-параметров при включении его по схеме с общим эмиттером (ОЭ).

3.1. Основные теоретические положения

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя областями чередующейся электропроводности, двумя электронно-дырочными переходами и тремя электродами, предназначенный для усиления мощности в электрической цепи. Структура транзистора типа n-p-n и схема включения с ОЭ в электрическую цепь представлены на рис. 3.1. При работе транзистора в активном режиме (режиме усиления) к эмиттерному p-n переходу (ЭП) должно быть подключено прямое напряжение, а к коллекторному (КП) – обратное.

Рис. 3.1. Биполярный транзистор и схема его включения с ОЭ

Схема с ОЭ является наиболее распространенной, поскольку обладает наилучшими свойствами усиления мощности электрического сигнала. При включении транзистора по схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной – цепь коллектора (эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей).

Входной характеристикой транзистора в схеме с ОЭ является зависимость тока базы I_Б от напряжения база-эмиттер U_БЭ, а выходной - зависимость тока коллектора I_К от напряжения коллектор-эмиттер U_КЭ.

Семейство входных характеристик I_Б(U_БЭ) при U_КЭ = const изображено на рис. 3.2, а. ПриU_КЭ= 0 входная ВАХ имеет вид прямой ветви ВАХ электронно-дырочного перехода, поскольку ЭП и КП при этом смещены в прямом направлении и соединены параллельно друг другу (E_К= 0и внутреннее сопротивление этой ЭДС равно нулю, рис. 3.1). ПриU_КЭ> 0 входная ВАХ смещена вправо вследствие дополнительного падения напряжения на ЭП от протекающего по транзистору коллекторного тока. Это падение напряжения существует даже при отсутствии тока базы и соответствует участку «о-а» на рис. 3.2, а.

При уменьшении U_БЭ до нуля (вывод базы и эмиттера соединены между собой) ток базы является обратным током КП и направлен противоположно указанному на рис. 3.1 (участок «о-б» на рис. 3.2, а). Однако этот отрицательный ток базы незначителен и практически его бывает трудно зафиксировать.

Семейство выходных характеристик I_К (U_КЭ) при I_Б = const изображено на рис. 3.2, б. При I_Б = 0 выходная ВАХ имеет вид обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода, увеличенной в ( + 1) раз (где  - коэффициент передачи тока), поскольку КП при этом смещен в обратном направлении. При увеличении тока базы выходные ВАХ смещаются вверх на величину I_Б..

Рис. 3.2. Семейства входных (а) и выходных (б) ВАХ транзистора в схеме с ОЭ

Характеристикой передачи тока транзистора в схеме с ОЭ является зависимость тока коллектора I_К от тока базы I_Б при фиксированном напряжении коллектор-эмиттер U_КЭ. Семейство характеристик передачи тока транзистора в схеме с ОЭ изображено на рис. 3.3.

Рис. 3.3. Семейство характеристик передачи транзистора в схеме с ОЭ
Характеристика передачи тока показывает, что при изменении небольшого по абсолютной величине (микроамперы) тока базы практически пропорционально изменяется значительный ток коллектора (миллиамперы), т. е. в транзисторе происходит процесс усиления электрического сигнала. Некоторая нелинейность характеристик передачи тока транзистора в схеме с ОЭ приводит к нелинейным искажениям усиленного сигнала. Следует отметить, что характеристики передачи могут быть построены без специальных измерений. Для этого можно определить соответствующие параметры по семействам входных и выходных характеристик. Применяются и другие характеристики передачи.

Транзистор в схеме усиления сигнала (на линейных участках своих характеристик) имеет 2 входных и 2 выходных вывода, поэтому его можно представить в виде линейного четырехполюсника. Наиболее удобный вид имеют уравнения связи входных и выходных токов и напряжений транзисторного четырехполюсника, выраженные через h-параметры. В схеме с ОЭ входным током является ток базы I_Б, входным напряжением - напряжение база-эмиттер U_БЭ, выходным током - ток коллектора I_К, выходным напряжением - напряжение коллектор-эмиттер U_КЭ. Система уравнений для этой схемы имеет вид:
U_БЭ = h_11Э I_Б +h_12ЭU_КЭ

I_К = h_21Э I_Б +h_22ЭU_КЭ
В этих уравнениях I и U - приращения соответствующих токов и напряжений. Формулы для расчёта и физический смысл h-параметров определяются подстановкой в систему уравнений U_КЭ = 0 ( короткое замыкание (к. з.) на выходе) или I_Б = 0 (холостой ход (х.х) на входе для переменного тока):

h_11Э = U_БЭ /I_Б – входное сопротивление в режиме к. з. на выходе для переменного тока;

h_12Э = U_БЭ /U_КЭ - коэффициент обратной связи по напряжению в режиме х. х. на входе для переменного тока;

h_21Э = I_К/I_Б - коэффициент передачи тока в режиме к. з. на выходе для переменного тока;

h_22Э = I_К /U_КЭ - выходная проводимость в режиме х. х. на входе для переменного тока.

Соответствующие приращения токов и напряжений определяются по характеристикам транзистора (рис. 3.2) при заданном режиме его работы.