Лабы ОСЭЛ. Физические основы электроники

• Название: Физические основы электроники
• Анкор: Лабы ОСЭЛ.doc
• Дата: 03.02.2018
• Размер: 1.58 Mb.
• Имя файла: Лабы ОСЭЛ.doc
• Тип: Документы; #15161
• страница: 5 из 8

3.2. Порядок выполнения работы

1. Собрать схему экспериментальной установки по рис. 3.4. На схеме источник тока «RegI_1mA» позволяет регулировать ток базы от 0 до 1 мА с шагом 0,01 мА нажатием на клавишу«I» (увеличение тока) или «Shift+I» (уменьшение тока).

Рис. 3.4 Схема измерения ВАХ транзистора
Источник напряжения «RegU_5В» позволяет регулировать коллекторное напряжения в пределах от 0 до 5 В. Регулирование осуществляется с шагом 0,05 В нажатием на клавишу «U» (увеличение напряжения) или «Shift+U» (уменьшение напряжения).

Амперметр А1 измеряет ток базы I_Б, вольтметр V1 измеряет напряжение база-эмиттер U_БЭ, вольтметр V2 измеряет напряжение U_КЭ, а амперметр A2 – ток коллектора I_К транзистора.

2. Измерить напряжения и токи входной ВАХ транзистора при фиксированном значении U_КЭ = 5 В. Для этого установить с помощью источника напряжения «RegU_5В» указанное напряжение, контролируя его по показаниям вольтметра V1. Увеличивая ток базы в диапазоне от 0 до 1 мА с помощью источника тока «RegI_1mA» записать показания амперметра А1 и вольтметра V1 в табл. 3.1.

Таблица 3.1

Входная ВАХ транзистора в схеме с ОЭ при U_КЭ = 5 В

IБ, мкА	0	10	50	100	200	400	600	800	1000
UБЭ, мВ

3. Измерить напряжения и токи выходных ВАХ транзистора при различных фиксированных токах базы. Для этого установить с помощью источника тока «RegI_1mA» наименьшее из указанных в табл. 3.2 значений токов базы, контролируя его по показаниям амперметра А1. Регулируя напряжение с помощью «RegU_5В» в диапазоне от 0 до 5 В соответственно табл. 3.2 (контролировать его по показаниям вольтметра V2), записать показания амперметра А2 в табл. 3.2. Повторить измерения для всех остальных фиксированных токов базы, указанных в табл. 3.2.

Таблица  3.2

Семейство выходных ВАХ транзистора в схеме с ОЭ

UКЭ, В		0	0,1	0,2	0,5	1	3	5
IК, мА	IБ =10 мкА
	IБ =200 мкА
	IБ =400 мкА
	IБ =600 мкА
	IБ =800 мкА
	IБ =1000 мкА

4. Сформировать таблицу результатов измерения характеристики передачи тока транзистора для фиксированного значении U_КЭ= 5 В. Для этого из табл. 3.2 выбрать соответствующие численные значения измеренных ранее параметров для указанного значения U_КЭ и записать их в табл. 3.3.

Таблица 3.3

Характеристика передачи тока транзистора в схеме с ОЭ при U_КЭ =5 В

IБ, мкА
IК, мА

5. Сформировать таблицу результатов измерения характеристики передачи транзистора I_К (U_БЭ ) для фиксированного значении U_КЭ= 5 В. Для этого из табл. 3.1 и табл. 3.2 выбрать соответствующие численные значения измеренных ранее параметров для указанного значения U_КЭ и записать их в табл. 3.4.

Таблица 3.4

Характеристика передачи транзистора в схеме с ОЭ при U_КЭ = 5 В

UБЭ, мВ
IК, мА

6. По значениям табл. 3.1 - табл. 3.4 построить отдельные характеристики транзистора и их семейства.

7. По характеристикам транзистора определить егоh-параметры для заданного режима работы: I_Б = 600 мкА,U_КЭ= 5 В.

8. Записать выводы по работе.