иследование биполярных транзисторов. ОТЧЕТлаб.раб№3. Отчет по лабораторной работе 3 Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с оэ
Скачать 150 Kb.
|
1 2 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАНИЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Экономико-математический факультет Отчет по лабораторной работе №3 «Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с ОЭ»Выполнила: студентка 2 курса группа: ИТСС-21з Шамсиахметова А.Ф. Проверил: проф. к.ф.-м. н. Гарифуллин Н. М. Нефтекамск – 2021 Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ) и по статическим вольтамперным характеристикам определить h-параметры транзистора. Основные технические характеристики транзистора 2N4061: Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 330 Собираем схему p-n-p транзистора для снятия характеристик транзистора при включении в схеме с ОЭ. Рис. 1. Схема включения р-п-р транзистора в схеме с ОЭ. Измерение входных характеристик IБ=f(VБЭ) транзистора а) при UКЭ=0 В.
б) при UКЭ=10 В.
Входные вольтамперные характеристики транзистора 2N4061 в схеме с и VКЭ=0 В и VКЭ=10 V КЭ=0 В и VКЭ=10
1 2 |