Главная страница
Навигация по странице:

  • Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

  • 2. Расчет h -параметров для выходных характеристик транзистора

    		•

    иследование биполярных транзисторов. ОТЧЕТлаб.раб№3. Отчет по лабораторной работе 3 Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с оэ


    Скачать 150 Kb.
    НазваниеОтчет по лабораторной работе 3 Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с оэ
    Анкориследование биполярных транзисторов
    Дата22.03.2021
    Размер150 Kb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаОТЧЕТлаб.раб№3.docx
    ТипОтчет
    #187003
    страница2 из 2
    1   2
    1. Расчет h-параметров для входных характеристик транзистора: Входное сопротивление для переменного тока:

    = = 80 Ом;

    = =222 Ом;

    Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению:

    = = 0,0053

    2. Измерение выходных характеристик IК=f(VКЭ) транзистора

    а) при 0,1* IБ=100 мкА

    IК, мА
    0
    0.610
    0.674
    0.675
    0.679
    0.681
    0.685
    0.687
    0.694

    UКЭ,B
    0
    0,221
    0,301
    0,403
    0,523
    0,633
    0,701
    0,821
    0,937

    IК, мА
    0.701
























    UКЭ,B
    1,001
























    б) при 0,3*IБ=300 мкА

    IК, мА
    0
    0.854
    0.942
    0.947
    0.951
    0.954
    0.956
    0.960
    0.968

    UКЭ,B
    0
    0,220
    0,229
    0,404
    0,524
    0,635
    0,714
    0,827
    0,945

    IК, мА
    0.975
























    UКЭ,B
    1,101
























    в) при 0,5*IБ=500 мкА

    IК, мА
    0
    1.043
    1.151
    1.164
    1.172
    1.189
    1.195
    1.989
    1.210

    UКЭ,B
    0
    0,180
    0,229
    0,406
    0,527
    0,637
    0,744
    0,846
    0,984

    IК, мА
    1.017
























    UКЭ,B
    1,069






















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    2. Расчет h-параметров для выходных характеристик транзистора:

    Коэффициент усиления по току:

    = =75.

    Выходная проводимость:

    = = 0,05 * Cм;

    Вывод: в ходе выполнения работы были изучены характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Были составлены таблицы и выведены графики кривых входных и выходных характеристик транзистора. При исследование входных характеристик биполярного транзистора 2N4061, убедились, что с увеличением VКЭ вольтамперная характеристика транзистора смещается вправо, а входное сопротивление h11Э, при коротком замыкании на выходе, при напряжении на коллекторе 0В и 10В приблезительны h11Э=109 Ом и 79 Ом . Увеличение VБЭ вызывает рост тока эмиттера. Это можно объяснить тем, что при увеличении VКЭ увеличивается и напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении. С ростом напряжения UКЭ входная характеристика будет незначительно смещаться вправо.
    1   2

    написать администратору сайта